[發明專利]Micro-LED修補載板的制備方法及顯示裝置的Micro-LED修補方法在審
| 申請號: | 202210751902.3 | 申請日: | 2022-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN115132639A | 公開(公告)日: | 2022-09-30 |
| 發明(設計)人: | 陳書志;李佳育 | 申請(專利權)人: | 上海聞泰信息技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67;H01L25/075;G09F9/33 |
| 代理公司: | 廣州德科知識產權代理有限公司 44381 | 代理人: | 林玉旋;萬振雄 |
| 地址: | 200062 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | micro led 修補 制備 方法 顯示裝置 | ||
本申請公開了一種Micro?LED修補載板的制備方法及顯示裝置的Micro?LED修補方法,Micro?LED修補載板的制備方法包括:提供Micro?LED晶片和臨時載板,將所述Micro?LED晶片貼合至所述臨時載板上,所述Micro?LED晶片包括襯底以及貼合在所述襯底上的多個Micro?LED芯片;將所述襯底與所述Micro?LED芯片分離,以使所述Micro?LED芯片貼合在所述臨時載板上;獲取所述背板上的缺陷Micro?LED芯片的目標信息,所述目標信息至少包括缺陷Micro?LED芯片的數量以及缺陷Micro?LED芯片的位置信息;提供目標載板,根據所述背板上的缺陷Micro?LED芯片的目標信息,將所述臨時載板上對應于所述目標信息的至少部分Micro?LED芯片轉移至所述目標載板,以得到修補載板。采用本申請的方案,能夠一次對多個缺陷Micro?LED芯片進行修補,因此無需單個進行修補,修補效率高。
技術領域
本申請涉及半導體制造技術領域,尤其涉及一種Micro-LED修補載板的制備方法及顯示裝置的Micro-LED修補方法。
背景技術
微型發光二極管(Micro Light Emitting Diode,Micro-LED)具有自發光顯示特性,其為全固態發光二極管,具有壽命長、亮度高、功耗低、體積較小、超高分辨率等特點,可應用于高溫或輻射等極端環境中。相對于同為自發光顯示的OLED技術,Micro-LED不僅效率較高、壽命較長,材料相對穩定,不易受環境影響,而且還能避免產生殘影現象。
目前,在顯示裝置中,往往需要對顯示裝置的背板上的Micro-LED芯片進行缺陷檢測,當檢測到缺陷時,需對缺陷的Micro-LED芯片進行修補。當前的修補方式一次只能對一個缺陷的Micro-LED芯片進行修補,修補效率非常低下。
發明內容
本申請實施例公開了一種Micro-LED修補載板的制備方法及顯示裝置的Micro-LED修補方法,能夠一次對多個缺陷的Micro-LED芯片進行修補,有效提高修補效率。
為了實現上述目的,第一方面,本申請實施例公開了一種Micro-LED修補載板的制備方法,
所述Micro-LED修補載板應用于顯示裝置,所述顯示裝置包括背板以及陣列排布于所述背板上的多個Micro-LED芯片,所述修補載板用于對所述背板上的缺陷Micro-LED芯片進行修補,所述方法包括:
提供Micro-LED晶片和臨時載板,將所述Micro-LED晶片貼合至所述臨時載板上,所述Micro-LED晶片包括襯底以及貼合在所述襯底上的多個Micro-LED芯片;
將所述襯底與所述Micro-LED芯片分離,以使所述Micro-LED芯片貼合在所述臨時載板上;
獲取所述背板上的缺陷Micro-LED芯片的目標信息,所述目標信息至少包括缺陷Micro-LED芯片的數量以及缺陷Micro-LED芯片的位置信息;
提供目標載板,根據所述背板上的缺陷Micro-LED芯片的目標信息,將所述臨時載板上對應于所述目標信息的Micro-LED芯片轉移至所述目標載板,以得到修補載板。
作為一種可選地實施方式,采用激光振鏡設備獲取所述背板上的缺陷Micro-LED芯片的目標信息。
作為一種可選地實施方式,
所述提供目標載板,根據所述背板上的缺陷Micro-LED芯片的目標信息將所述臨時載板上對應于所述目標信息的Micro-LED芯片轉移至所述目標載板,以得到修補載板,包括:
提供目標載板,所述激光振鏡設備根據所述目標信息,對所述臨時載板上對應于所述目標信息的Micro-LED芯片進行激光解離,以使解離后的所述Micro-LED芯片轉移至所述目標載板,以得到修補載板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





