[發(fā)明專利]發(fā)光裝置、其制造方法及顯示模組在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210747556.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN115207195A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-10-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 謝明勛;陳効義;鄧紹猷 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/62 | 分類號(hào): | H01L33/62;H01L33/54 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 王銳 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 裝置 制造 方法 顯示 模組 | ||
一種發(fā)光裝置,包含一載板、一發(fā)光元件以及一連結(jié)結(jié)構(gòu)。載板包含一第一導(dǎo)電區(qū)。發(fā)光元件包含可發(fā)出第一光線的一第一發(fā)光層以及形成在該第一發(fā)光層的下的一第一接觸電極,其中該第一接觸電極對(duì)應(yīng)該第一導(dǎo)電區(qū)。連結(jié)結(jié)構(gòu)包含第一電連結(jié)部以及圍繞該第一接觸電極及該第一電連接部的一保護(hù)部,且第一電連結(jié)部與該第一導(dǎo)電區(qū)及該第一接觸電極電性連接。該第一電連結(jié)部包含一上部,一底部以及位于該上部及該底部之間的一頸部,其中,該上部的邊緣突出于該頸部,且該底部的邊緣突出于該上部。
本申請(qǐng)是中國(guó)發(fā)明專利申請(qǐng)(申請(qǐng)?zhí)枺?01880084819.7,申請(qǐng)日:2018年06月08日,發(fā)明名稱:發(fā)光裝置、其制造方法及顯示模組)的分案申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置及其制造方法,尤其是涉及一種包含特定結(jié)構(gòu)的連結(jié)結(jié)構(gòu)的發(fā)光裝置及其制造方法。
背景技術(shù)
發(fā)光二極管(Light-Emitting Diode;LED)具有低耗電量、低發(fā)熱量、操作壽命長(zhǎng)、耐撞擊、體積小以及反應(yīng)速度快等特性,因此廣泛應(yīng)用于各種需要使用發(fā)光元件的領(lǐng)域,例如,車輛、家電、顯示屏及照明燈具等。
發(fā)光二極管屬于一種單色光(monochromatic light),因此很適合作為顯示器中的像素(pixel)。例如可作為戶外或戶內(nèi)顯示屏的像素。其中,提高顯示器的解析度是目前技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)之一。為了提高解析度,勢(shì)必要將更多作為像素的LED轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基板上。如此將衍伸出許多的技術(shù)問(wèn)題,例如:LED與基板的電性連結(jié)的良率提升是一大挑戰(zhàn)。
發(fā)明內(nèi)容
一種發(fā)光裝置,包含一載板、一發(fā)光元件以及一連結(jié)結(jié)構(gòu)。載板包含一第一導(dǎo)電區(qū)。發(fā)光元件包含可發(fā)出第一光線的一第一發(fā)光層以及形成在該第一發(fā)光層之下的一第一接觸電極,其中該第一接觸電極對(duì)應(yīng)該第一導(dǎo)電區(qū)。連結(jié)結(jié)構(gòu)包含第一電連結(jié)部以及圍繞該第一接觸電極及該第一電連接部的一保護(hù)部,且第一電連結(jié)部與該第一導(dǎo)電區(qū)及該第一接觸電極電性連接。該第一電連結(jié)部包含一上部,一底部以及位于該上部及該底部之間的一頸部,其中,該上部的邊緣突出于該頸部,且該底部的邊緣突出于該上部。
附圖說(shuō)明
圖1A為顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所披露的一發(fā)光元件的剖面圖。
圖1B為顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所披露的一發(fā)光元件的剖面圖。
圖1C為顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所披露的一發(fā)光元件的剖面圖。
圖2A為顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所披露的一發(fā)光單元的剖面圖。
圖2B為顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所披露的一發(fā)光單元的剖面圖。
圖2C為顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所披露的一發(fā)光單元的剖面圖。
圖3A至圖3E為顯示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光裝置的制造流程圖。
圖3A至圖3D以及圖3F至圖3J為顯示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光裝置的制造流程圖。
圖4A至圖4E為顯示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光裝置的制造流程圖。
圖5A至圖5D為顯示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光裝置的局部結(jié)構(gòu)圖。
圖6為顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所披露的一發(fā)光模組的俯視圖。
圖7A至圖7D為顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所披露的一修補(bǔ)發(fā)光模組的制造流程圖。
圖7A,圖7E至圖7G為顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所披露的一修補(bǔ)發(fā)光模組的制造流程圖。
圖8A至圖8G為顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所披露的多個(gè)發(fā)光元件轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基板的制造流程圖。
圖9A至圖9B為顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所披露的多個(gè)發(fā)光元件轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基板的制造流程圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
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