[發明專利]一種半導體雙面拋光裝置及半導體拋光方法

在審

• 申請號: 202210745652.2
• 申請日: 2022-06-28
• 公開（公告）號: CN114952576A
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 郭炳熙;王國超;孫美玉
• 申請（專利權）人: 廣東先導微電子科技有限公司
• 主分類號: B24B29/02
• 分類號: B24B29/02;B24B27/00;B24B41/06;B24B41/00;B24B1/00;B08B3/02
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 黃華蓮

本發明涉及半導體加工技術領域，公開了一種半導體雙面拋光裝置及半導體拋光方法，其包括上磨盤、下磨盤、起片部件、第一升降機構、第二升降機構以及控制器，上磨盤和下磨盤相對設置，當需要對晶圓片進行拋光時，起片部件處于第一狀態，第一支撐條位于第一容納槽內并隨下磨盤轉動，不會影響晶圓片的下表面拋光，當需要對晶圓片進行抬升清洗時，第二升降機構驅動多個第一支撐條同步上升，從而帶動位于支撐位上的晶圓片上升至清洗位置，此時由于多個第一支撐條之間存在間隙，不會影響晶圓片下表面的沖洗，從而無需再單獨對晶圓片下表面進行沖洗，可同時對晶圓片的上表面和下表面進行沖洗，沖洗效率高，避免機械類損傷，提高了晶圓的成品率。

技術領域

本發明涉及半導體加工技術領域，特別是涉及一種半導體雙面拋光裝置及半導體拋光方法。

背景技術

晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓，在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能的集成電路產品。拋光是指利用機械、化學或電化學的作用，使工件表面粗糙度降低，以獲得光亮、平整表面的加工方法。是利用拋光工具和磨料顆?；蚱渌麙伖饨橘|對工件表面進行的修飾加工。在半導體技術突飛猛進的當下，人們對晶圓的質量要求越來越高，通常需要對晶圓的兩面均進行拋光，在完成拋光加工后，通常需要對晶圓的兩個表面進行沖水，以防止任何一面出現藥水藥引缺陷。

現有的半導體雙面拋光裝置在對晶圓的雙面進行拋光后，晶圓由于平整度較高，通常會與下磨盤緊密貼合，難以取出，導致晶圓的下表面容易出現藥水藥引，需要單獨再進行下表面的拋光，更容易造成機械類損傷，晶圓的成品率低。部分作業人員會采用起子撬起晶圓后再用真空吸筆取出，但該種方法容易對晶圓的邊緣造成損壞。

發明內容

本發明的目的是提供一種半導體雙面拋光裝置。

為了實現上述目的，本發明提供了一種半導體雙面拋光裝置，其包括：

上磨盤；

下磨盤，所述上磨盤和所述下磨盤相對設置，所述下磨盤的頂面設置有多個槽口朝上的第一容納槽，多個所述第一容納槽間隔設置；

起片部件，所述起片部件包括與所述第一容納槽數量相對且一一對應的第一支撐條，多個所述第一支撐條共同形成有支撐位，用于放置晶圓；

第一升降機構，與所述上磨盤相連接，用于升降所述上磨盤；

第二升降機構，與所述起片部件相連接，用于升降所述起片部件；

控制器，與所述上磨盤、所述下磨盤、所述第一升降機構以及所述第二升降機構均電連接；

其中，所述起片部件可達到第一狀態和第二狀態，當所述起片部件處于所述第一狀態時，所述第一支撐條位于所述第一容納槽內，當所述起片部件處于所述第二狀態時，所述第一支撐條位于所述第一容納槽外，所述支撐位位于所述下磨盤的頂面上方。

在本申請的一些實施例中，任意相鄰的兩個所述第一容納槽之間的距離為8-14mm。

在本申請的一些實施例中，多個所述第一容納槽沿第一方向均勻排列。

在本申請的一些實施例中，所述第一容納槽呈環形，且所述第一容納槽與所述下磨盤同軸心設置，自所述下磨盤的軸心至其邊緣排列的布置的所述第一容納槽的內徑依次增大。

在本申請的一些實施例中，所述下磨盤的頂面設置有多個槽口朝上的第二容納槽，多個所述第二容納槽間隔設置并沿第二方向均勻排列，所述第二容納槽與所述第一容納槽相互交錯設置，且二者相連通；

所述起片部件包括與所述第二容納槽數量相對且一一對應的第二支撐條，所述第二支撐條與所述第一支撐條交錯設置且互相連接，多個所述第一支撐條和所述第二支撐條共同形成有所述支撐位；