[發明專利]集成電路裝置和包括其的電子系統

在審

• 申請號: 202210737888.1
• 申請日: 2022-06-27
• 公開（公告）號: CN115547983A
• 公開（公告）日: 2022-12-30
• 發明（設計）人: 鄭煐陳;金素羅;樸海莉;柳貴衍;尹壯根
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L29/423
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;李競飛

1.一種集成電路裝置，包括：

半導體襯底，其包括單元區和鄰近于所述單元區的連接區；

柵極堆疊件，其包括在水平方向上在所述半導體襯底的主表面上延伸并且在豎直方向上交替地堆疊在所述半導體襯底的主表面上的多個柵電極和多個絕緣層，所述柵極堆疊件在所述連接區中具有階梯結構；

溝道結構，其在所述單元區中，并且在所述豎直方向上延伸穿過所述多個柵電極；以及

多個接觸插塞，其在所述連接區中，

其中，在所述連接區的一部分中，所述多個柵電極中的位于最下層中的第一柵電極在所述水平方向上的第一長度小于位于所述第一柵電極上方的第二柵電極在所述水平方向上的第二長度。

2.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中，所述多個接觸插塞中的鄰近于所述第一柵電極的第一接觸插塞與所述半導體襯底直接接觸，而不與所述第一柵電極直接接觸。

3.根據權利要求2所述的集成電路裝置，其中，所述第一接觸插塞是虛設接觸插塞。

4.根據權利要求1所述的集成電路裝置，

其中，所述柵極堆疊件包括在所述連接區中具有各自的階梯結構的多個柵極堆疊件中的第一柵極堆疊件，

其中，在所述連接區的另一部分中，所述多個柵極堆疊件中的第二柵極堆疊件的最下面的柵電極在所述水平方向上的第一長度大于所述第二柵極堆疊件的另一柵電極在所述水平方向上的第二長度。

5.根據權利要求4所述的集成電路裝置，其中，所述多個接觸插塞中的第一接觸插塞與所述最下面的柵電極直接接觸。

6.根據權利要求5所述的集成電路裝置，其中，所述第一接觸插塞是地接觸插塞。

7.根據權利要求4所述的集成電路裝置，其中，所述最下面的柵電極的第一長度大于所述第一柵電極的第一長度。

8.根據權利要求7所述的集成電路裝置，其中，在頂視圖中，所述最下面的柵電極在所述水平方向上突出超過所述第一柵電極。

9.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中，所述多個接觸插塞中的每一個具有朝著所述半導體襯底的主表面逐漸變細的形狀。

10.根據權利要求1所述的集成電路裝置，還包括在所述半導體襯底與所述柵極堆疊件之間的外圍電路結構。

11.一種集成電路裝置，包括：

半導體襯底，其包括單元區和鄰近于所述單元區并且包括彼此相鄰的第一部分和第二部分的連接區；

第一柵極堆疊件，其包括在水平方向上在所述半導體襯底的主表面上延伸并且在豎直方向上交替地堆疊在所述半導體襯底的主表面上的多個柵電極和多個絕緣層，所述第一柵極堆疊件在所述連接區中具有階梯結構；

溝道結構，其在所述單元區中，并且在所述豎直方向上延伸穿過所述多個柵電極；

多個接觸插塞，其在所述連接區中；以及

第二柵極堆疊件，其在所述連接區中具有階梯結構；

其中，在所述連接區的第一部分中，所述第一柵極堆疊件的多個柵電極中的位于最下層中的第一柵電極在所述水平方向上的第一長度小于所述第一柵極堆疊件的位于所述第一柵電極上方的第二柵電極在所述水平方向上的第二長度，并且所述多個接觸插塞中的鄰近于所述第一柵電極的第一接觸插塞與所述半導體襯底直接接觸，而不與所述第一柵電極直接接觸，并且

其中，在所述連接區的第二部分中，所述第二柵極堆疊件的最下面的第一柵電極的第一長度大于所述第二柵極堆疊件的位于所述第二柵極堆疊件的第一柵電極上方的第二柵電極的第二長度，并且所述多個接觸插塞中的第二接觸插塞與所述第二柵極堆疊件的第一柵電極直接接觸。