[發明專利]接口轉換裝置及測試半導體設備中低通濾波器性能的方法在審
| 申請號: | 202210737336.0 | 申請日: | 2022-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN115128308A | 公開(公告)日: | 2022-09-30 |
| 發明(設計)人: | 趙長江;慕曉航;任攀;王凱 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | G01R1/04 | 分類號: | G01R1/04;G01R31/00 |
| 代理公司: | 北京思創畢升專利事務所 11218 | 代理人: | 廉莉莉 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接口 轉換 裝置 測試 半導體設備 中低通 濾波器 性能 方法 | ||
本發明公開了一種接口轉換裝置及測試半導體設備中低通濾波器性能的方法。該裝置包括:輸入轉接件,輸入轉接件包括第一接頭、第二接頭以及連接第一接頭和第二接頭的第一射頻電纜,第一接頭為N型同軸公頭或母頭,第二接頭為SMPW?K型非同軸公頭或母頭,第一接頭用于與第一測試接口連接,第二接頭用于與射頻輸入接口連接;輸出轉接件,輸入轉接件包括第三接頭、第四接頭以及連接第三接頭和第四接頭的第二射頻電纜,三接口為N型同軸公頭或母頭,第四接頭為SMPW?K型非同軸公頭或母頭,第三接頭用于與第二測試接口連接,第四接頭用于與射頻輸出接口或第二接頭連接。本發明可提高對低通濾波器的測試效率,并提高測試數據的準確性。
技術領域
本發明涉及半導體技術領域,更具體地,涉及一種接口轉換裝置及測試半導體設備中低通濾波器性能的方法。
背景技術
濾波器的濾波特性的特性阻抗、傳輸參數S21、反射參數S11等參數是半導體裝備中射頻部件的關鍵參數,其中,參數S21為:端口2匹配時,端口1到端口2的正向傳輸系數(增益),參數S11為:端口2匹配時,端口1的反射系數(輸入回波損耗),對上述參數的精確測量可以準確反映濾波器的濾波性能,也可以為濾波器的改進、優化提供數據參考,有利于縮短半導體裝備射頻系統的設計周期以及裝備的穩定運行。例如,帶有射頻模塊的薄膜沉積設備的射頻低通濾波器,其目的是保護加熱功率傳輸信號、爐體熱電偶反饋信號免受高頻信號(13.56MHz)的干擾,對其濾波性能(S21)進行精確測量至關重要。由于加熱功率信號、熱電偶反饋信號傳輸的均為低頻信號(50Hz),所用接頭和電纜均為單導體結構(例如型號為SMPW-K-F/M的快插接頭),屬于非同軸結構的接口結構。通過帶有標準同軸接口(N型或SMA型同軸射頻接頭)的矢量網絡分析儀測試低通濾波器的傳輸參數S11、反射參數S21等參數,就需要制作非同軸接口轉同軸接口的測試夾具來實現設備的連接。
現有的典型半導體裝備中低通濾波器測試夾具如圖1所示,該測試夾具主要包括兩根同軸射頻線纜,通過射頻線纜將低通濾波器SMPW-K型非同軸快插接頭的一個內導體(交流加熱信號線或熱電偶信號線)直接與矢量網絡分析儀的N型同軸射頻接頭的內導體連接,矢量網絡分析儀的N型同軸射頻接頭的外導體通過測試夾具與濾波器的外殼均接地,然后直接進行低通濾波器的輸入阻抗Zin、傳輸參數S21、反射參數S11等相關參數的測試。這種測試夾具在測試時操作不便,測試效率低,而且該測試夾具的引入會帶來測量誤差,測量結果無法真實反映濾波器的濾波性能。
發明內容
本發明的目的是提出一種接口轉換裝置及測試半導體設備中低通濾波器性能的方法,實現提高對低通濾波器的測試效率并提高測試數據的準確性。
第一方面,本發明提出一種接口轉換裝置,用于矢量網絡分析儀與半導體設備中低通濾波器的接口之間的連接,所述低通濾波器具有射頻輸入接口和射頻輸出接口,所述射頻輸入接口為SMPW-K型非同軸公頭和母頭中的一個,所述射頻輸出接口為SMPW-K型非同軸公頭和母頭中的另一個,所述矢量網絡分析儀具有第一測試接口和第二測試接口,所述第一測試接口為N型同軸公頭和母頭中的一個,所述第二測試接口為N型同軸公頭和母頭中的另一個,所述裝置包括:
輸入轉接件,所述輸入轉接件包括第一接頭、第二接頭以及連接所述第一接頭和所述第二接頭的第一射頻電纜,所述第一接頭為N型同軸公頭或母頭,所述第二接頭為SMPW-K型非同軸公頭或母頭,所述第一接頭用于與所述第一測試接口連接,所述第二接頭用于與所述射頻輸入接口連接;
輸出轉接件,所述輸入轉接件包括第三接頭、第四接頭以及連接所述第三接頭和所述第四接頭的第二射頻電纜,所述三接口為N型同軸公頭或母頭,所述第四接頭為SMPW-K型非同軸公頭或母頭,所述第三接頭用于與所述第二測試接口連接,所述第四接頭用于與所述射頻輸出接口或所述第二接頭連接。
可選地,所述第一接頭具有一個第一內導體,所述第二接頭具有多個第二內導體;
所述第一射頻電纜的一端與所述第一內導體連接,所述第一射頻電纜的另一端與一個所述第二內導體連接。
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