[發明專利]接口轉換裝置及測試半導體設備中低通濾波器性能的方法

在審

• 申請號: 202210737336.0
• 申請日: 2022-06-27
• 公開（公告）號: CN115128308A
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發明（設計）人: 趙長江;慕曉航;任攀;王凱
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: G01R1/04
• 分類號: G01R1/04;G01R31/00
• 代理公司: 北京思創畢升專利事務所 11218
• 代理人: 廉莉莉

1.一種接口轉換裝置，用于矢量網絡分析儀與半導體設備中低通濾波器的接口之間的連接，所述低通濾波器具有射頻輸入接口和射頻輸出接口，所述射頻輸入接口為SMPW-K型非同軸公頭和母頭中的一個，所述射頻輸出接口為SMPW-K型非同軸公頭和母頭中的另一個，所述矢量網絡分析儀具有第一測試接口和第二測試接口，所述第一測試接口為N型同軸公頭和母頭中的一個，所述第二測試接口為N型同軸公頭和母頭中的另一個，其特征在于，所述裝置包括：

輸入轉接件，所述輸入轉接件包括第一接頭、第二接頭以及連接所述第一接頭和所述第二接頭的第一射頻電纜，所述第一接頭為N型同軸公頭或母頭，所述第二接頭為SMPW-K型非同軸公頭或母頭，所述第一接頭用于與所述第一測試接口連接，所述第二接頭用于與所述射頻輸入接口連接；

輸出轉接件，所述輸入轉接件包括第三接頭、第四接頭以及連接所述第三接頭和所述第四接頭的第二射頻電纜，所述三接口為N型同軸公頭或母頭，所述第四接頭為SMPW-K型非同軸公頭或母頭，所述第三接頭用于與所述第二測試接口連接，所述第四接頭用于與所述射頻輸出接口或所述第二接頭連接。

2.根據權利要求1所述的接口轉換裝置，其特征在于，所述第一接頭具有一個第一內導體，所述第二接頭具有多個第二內導體；

所述第一射頻電纜的一端與所述第一內導體連接，所述第一射頻電纜的另一端與一個所述第二內導體連接。

3.根據權利要求1所述的接口轉換裝置，其特征在于，所述第三接頭具有一個第三內導體，所述第四接頭具有多個第四內導體；

所述第二射頻電纜的一端與所述第三內導體連接，所述第二射頻電纜的另一端與一個所述第四內導體連接。

4.根據權利要求1-3任意一項所述的接口轉換裝置，其特征在于，所述第一射頻電纜和所述第二射頻電纜的長度相同。

5.一種應用權利要求1-4任一所述的接口轉換裝置測試半導體設備中低通濾波器性能的方法，其特征在于，所述方法包括：

將所述輸入轉接件的所述第一接頭、所述輸出轉接件的所述第三接頭分別與矢量網絡分析儀的所述第一測試接口和所述第二測試接口連接，并將所述輸入轉接件的所述第二接頭與所述輸出轉接件的所述第四接頭連接；

通過所述矢量網絡分析儀進行射頻測試，獲得第一測試數據；

將所述第二接頭、所述第四接頭分別與低通濾波器的所述射頻輸入接口和所述射頻輸出接口連接；

通過所述矢量網絡分析儀再次進行射頻測試，獲得第二測試數據；

根據所述第一測試數據和所述第二測試數據計算所述低通濾波器的測試數據。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一測試數據和所述第二測試數據包括傳輸參數S21和反射參數S11的測量值。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述低通濾波器的測試數據通過以下公式計算：

S21_實際＝S21_B-S21_A

S11_實際＝S11_B-S11_A/2

其中，S21_實際、S11_實際分別為所述低通濾波器的傳輸參數S21和反射參數S11的實際測量值，S21_A和S11_A分別為所述第一測試數據中的傳輸參數S21和反射參數S11的測量值，S21_B和S11_B分別為所述第二測試數據中的傳輸參數S21和反射參數S11的測量值。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在將所述第二接頭、所述第四接頭分別與低通濾波器的所述射頻輸入接口和所述射頻輸出接口連接的同時，還包括：

將所述第一測試接口、所述第二測試接口、所述第一接頭和所述第三接頭的外導體接地以及所述低通濾波器的外殼接地。