[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 202210727614.4 | 申請日： | 2018-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN115101597A | 公開（公告）日： | 2022-09-23 |
| 發明（設計）人： | 西脅達也;大麻浩平;松葉博;相田喜久夫;洪洪 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
一種抑制了在恢復動作時產生破壞的半導體裝置。半導體裝置具備：第1導電型的第1半導體區域；第2導電型的基底區域，形成在上述第1半導體區域之上；多個柵極電極，貫通上述基底區域而到達上述第1半導體區域；多個柵極絕緣膜，形成于上述多個柵極電極的每個柵極電極的周圍；第1區域，是處于上述多個柵極絕緣膜之間的多個區域中的形成有第1導電型的源極區域的區域；第2區域，在上述多個區域中，位于上述第1區域的末端區域，未形成有上述源極區域；第1寬度的第1接觸部，形成于上述第1區域，將上述基底區域與源極電極電連接；以及比上述第1寬度寬的第2寬度的第2接觸部，形成于上述第2區域，將上述基底區域與上述源極電極電連接。
本申請為2018年8月20日提交的申請號為201810946471.X、發明名稱為“半導體裝置”的分案申請。
相關申請的交叉引用
本申請享受以日本專利申請2018－50096號(申請日：2018年3月16日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內容。
技術領域
本發明的實施方式涉及半導體裝置。
背景技術
在MOSFET(Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)中，在源極電極與漏極電極之間等效地存在體二極管。在將該體二極管從正向電流向反向電流切換的反向恢復時，在具備MOSFET的半導體裝置中，需要將蓄積于漂移區域的空穴排出。但是，蓄積于末端區域的附近的空穴距源極電極的接觸部較遠，電流集中于靠近末端區域的接觸部。因此，存在因從電壓下降返回時的急劇的電壓上升導致柵極氧化膜被破壞、或因發熱導致半導體裝置被破壞的問題。
發明內容
本實施方式提供一種抑制了在恢復動作時產生破壞的半導體裝置。
本實施方式的半導體裝置具備：第1導電型的第1半導體區域；第2導電型的基底區域，形成在上述第1半導體區域之上；多個柵極電極，貫通上述基底區域而到達上述第1半導體區域；多個柵極絕緣膜，形成于上述多個柵極電極的每個柵極電極的周圍；第1區域，是上述多個柵極絕緣膜之間的多個區域中的形成有第1導電型的源極區域的區域；第2區域，在上述多個區域中，位于上述第1區域的末端區域，未形成有上述源極區域；第1寬度的第1接觸部，形成于上述第1區域，將上述基底區域與源極電極電連接；以及比上述第1寬度寬的第2寬度的第2接觸部，形成于上述第2區域，將上述基底區域與上述源極電極電連接。
附圖說明
圖1是第1實施方式的半導體裝置的圖2的I－I線剖面圖。
圖2是第1實施方式的半導體裝置的圖1的II－II線剖面圖。
圖3是表示反向恢復時的體二極管電流IF與時間的關系、漏極·源極電壓VDS與時間的關系的曲線圖。
圖4是表示在圖3的時刻t1沿體二極管的正向流過電流、且空穴被注入漂移區域的情形的圖。
圖5是表示在圖3的時刻t2的反向恢復時、沿體二極管的反向流過電流時的空穴排出的情形的圖。
圖6是表示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的一個例子的圖。
圖7是表示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的一個例子的圖。
圖8是表示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的一個例子的圖。
圖9是表示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的一個例子的圖。
圖10是表示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的一個例子的圖。
圖11是表示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的一個例子的圖。
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