[發(fā)明專利]半導體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210727614.4
• 申請日: 2018-08-20
• 公開（公告）號: CN115101597A
• 公開（公告）日: 2022-09-23
• 發(fā)明（設計）人: 西脅達也;大麻浩平;松葉博;相田喜久夫;洪洪
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 牛玉婷

1.一種半導體裝置，其中，具備：

第1導電型的第1半導體區(qū)域；

第2導電型的基底區(qū)域，形成在上述第1半導體區(qū)域之上；

多個柵極電極，貫通上述基底區(qū)域而到達上述第1半導體區(qū)域；

多個柵極絕緣膜，形成于上述多個柵極電極的每個柵極電極的周圍；

第1區(qū)域，是上述多個柵極絕緣膜之間的多個區(qū)域中的位于兩個上述柵極絕緣膜之間的區(qū)域，上述第1區(qū)域形成有第1導電型的源極區(qū)域；

第2區(qū)域，是上述多個區(qū)域中的位于兩個上述柵極絕緣膜之間的區(qū)域，上述第2區(qū)域位于上述第1區(qū)域的末端區(qū)域，上述第2區(qū)域未形成有上述源極區(qū)域；

第1寬度的第1接觸部，形成于上述第1區(qū)域，將上述基底區(qū)域與源極電極電連接；以及

比上述第1寬度寬的第2寬度的第2接觸部，形成于上述第2區(qū)域，將上述基底區(qū)域與上述源極電極電連接，

上述基底區(qū)域、上述柵極電極、上述第1區(qū)域、上述第2區(qū)域、上述第1接觸部及上述第2接觸部以第1方向作為長度方向被延伸形成，

上述第2區(qū)域設置在與上述第1方向交叉的方向即第2方向的兩側，在這些設置在兩側的上述第2區(qū)域分別形成有1個上述第2接觸部，并且在這些上述第2區(qū)域之間形成有多個上述第1區(qū)域，

在多個上述第1區(qū)域的每個上述第1區(qū)域形成有1個上述第1接觸部。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述第1接觸部與上述第2接觸部由金屬形成。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

上述第1接觸部延伸的方向的末端部具有比上述第1寬度寬的第3寬度。

4.如權利要求3所述的半導體裝置，其中，

上述第1接觸部的末端部的第3寬度與上述第2接觸部的上述第2寬度相同。

5.如權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其中，

上述第1接觸部以及上述第2接觸部由第2導電型的第2半導體區(qū)域形成。

6.如權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置，其中，

還具備處于上述多個柵極電極的每個柵極電極的下方的、被埋入于上述第1半導體區(qū)域的多個場板電極。

7.如權利要求6所述的半導體裝置，其中，

上述多個場板電極連接于上述柵極電極或者上述源極電極。

8.如權利要求6或7所述的半導體裝置，其中，

在上述多個場板電極的周圍形成有比上述柵極絕緣膜厚的場板絕緣膜。

9.如權利要求3或4所述的半導體裝置，其中，

上述第1接觸部、上述第2接觸部由第2導電型的第3半導體區(qū)域形成。

10.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

形成于上述第2區(qū)域的上述第2接觸部的第2深度比形成于上述第1區(qū)域的上述第1接觸部的第1深度深。

11.如權利要求3或4所述的半導體裝置，其中，

上述第1接觸部的末端部具有第3深度，

形成于上述第2區(qū)域的上述第2接觸部的第2深度比形成于上述第1區(qū)域的上述第1接觸部的第1深度深，并且，

上述第1接觸部的上述末端部的第3深度比形成于上述第1區(qū)域的上述第1接觸部的第1深度深。

12.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述第1接觸部和上述第2接觸部通過在到達上述基底區(qū)域的溝槽內形成的金屬而構成，

形成于上述第2區(qū)域的上述第2接觸部的第2深度比形成于上述第1區(qū)域的上述第1接觸部的第1深度深。