[發明專利]邦定結構、邦定結構制備方法及顯示裝置在審
| 申請號: | 202210727193.5 | 申請日: | 2022-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN115000145A | 公開(公告)日: | 2022-09-02 |
| 發明(設計)人: | 鄭財;黃沅江 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/603;H05K1/03 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 尹紅敏 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 結構 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種邦定結構,其特征在于,包括:
第一邦定件,包括第一襯底以及設于所述第一襯底的第一邦定層,所述第一邦定層包括第一邦定部;
第二邦定件,包括第二襯底以及設于所述第二襯底的第二邦定層,所述第二邦定層包括第二邦定部;
所述第一邦定部和所述第二邦定部邦定;
所述第一邦定部背離所述第二邦定部的一側設置有第一抗膨脹層,所述第一抗膨脹層的熱膨脹系數小于所述第一襯底的熱膨脹系數;和/或,
所述第二邦定部背離所述第一邦定部的一側設置有第二抗膨脹層,所述第二抗膨脹層的熱膨脹系數小于所述第二襯底的熱膨脹系數。
2.根據權利要求1所述的邦定結構,其特征在于,所述第一抗膨脹層在所述第一邦定層上的正投影覆蓋所述第一邦定部;
所述第二抗膨脹層在所述第二邦定層上的正投影覆蓋所述第二邦定部。
3.根據權利要求1或2所述的邦定結構,其特征在于,所述第一邦定件還包括設于所述第一襯底背離所述第一邦定部一側的支撐層,所述第一抗膨脹層和所述支撐層均設置在所述第一襯底背離所述第一邦定層的一側表面上,且所述第一抗膨脹層和所述支撐層之間設置有間隙。
4.根據權利要求1或2所述的邦定結構,其特征在于,所述第一邦定層包括相對于所述第一襯底向外延伸的第一延伸部,部分或者全部所述第一延伸部形成所述第一邦定部,在所述第一延伸部背離所述第一邦定件的一側表面設有所述第一抗膨脹層;和/或,
所述第二邦定層包括相對于所述第二襯底向外延伸的第二延伸部,部分或者全部所述第二延伸部形成所述第二邦定部,在所述第二延伸部背離所述第一邦定件的一側表面設有所述第二抗膨脹層。
5.根據權利要求4所述的邦定結構,其特征在于,所述第二邦定件還包括設于所述第二襯底背離所述第二邦定層一側的導電層和設置于所述導電層背離所述第二襯底一側的第一絕緣保護層;
所述導電層和所述第一絕緣保護層在所述第二襯底上的正投影和所述第二襯底重合,以使所述第二襯底、所述導電層和所述第一絕緣保護層靠近所述第二延伸部的側面和所述第二延伸部之間形成鏤空區域,所述第二抗膨脹層設于所述鏤空區域內。
6.根據權利要求4所述的邦定結構,其特征在于,所述第二襯底的靠近所述第二延伸部的側面和所述第二延伸部之間形成鏤空區域,所述第二抗膨脹層設于所述鏤空區域內;
優選的,所述第二抗膨脹層在所述第二延伸部上的正投影與所述第二延伸部重合。
7.根據權利要求1所述的邦定結構,其特征在于,所述第一抗膨脹層或所述第二抗膨脹層的熱膨脹系數為1.5×10-6/℃~3.0×10-6/℃;
優選的,所述第一抗膨脹層或所述第二抗膨脹層包括高分子復合材料;
優選的,所述綁定結構還包括導電膠,所述第一邦定部和所述第二邦部通過所述導電膠電連接;
優選的,在沿垂直于所述第一襯底所在平面的方向上,所述導電膠的厚度為1μm~12μm。
8.一種邦定結構制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供第一邦定件,包括第一襯底以及形成于所述第一襯底的第一邦定層,所述第一邦定層包括第一邦定部;
提供第二邦定件,包括第二襯底以及設于所述第二襯底的第二邦定層,所述第二邦定層包括第二邦定部;
在所述第一邦定部背離所述第二邦定部的一側形成第一抗膨脹層,所述第一抗膨脹層的熱膨脹系數小于所述第一襯底的熱膨脹系數;和/或,在所述第二邦定部背離所述第一邦定部的一側形成第二抗膨脹層,所述第二抗膨脹層的熱膨脹系數小于所述第二襯底的熱膨脹系數;
在預設溫度下,通過壓頭對所述第一抗膨脹層和/或所述第二抗膨脹層施壓以使所述第一邦定件和所述第二邦定件邦定。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





