[發(fā)明專利]陣列基板、顯示面板及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210727178.0 | 申請日: | 2022-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN114899198A | 公開(公告)日: | 2022-08-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳忠厚;周思思;張露;張金方;朱修劍 | 申請(專利權(quán))人: | 合肥維信諾科技有限公司;昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258 | 代理人: | 呂倩茹 |
| 地址: | 230000 安徽省合*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本申請公開了一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。陣列基板包括襯底以及依次遠(yuǎn)離襯底的第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層,第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層中相鄰膜層之間設(shè)置有絕緣層;陣列基板還包括第一初始化信號線和第二初始化信號線,第一初始化信號線和第二初始化信號線用于傳輸不同的初始化信號,第一初始化信號線和第二初始化信號線均沿第一方向延伸且均位于第四金屬層。根據(jù)本申請實施例,能夠提供信號線布置的合理性。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。
背景技術(shù)
顯示設(shè)備可以采用像素電路驅(qū)動發(fā)光元件發(fā)光。隨著顯示技術(shù)的發(fā)展,對顯示設(shè)備的功耗、低刷新率的顯示效果等要求越來越高。為了降低顯示設(shè)備的功耗且保證顯示效果,可以采用LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide,低溫多晶氧化物)技術(shù),像素電路中可以既包括低溫多晶硅薄膜晶體管,又可以包括氧化物薄膜晶體管。
然而,相關(guān)技術(shù)中,采用LTPO技術(shù)的陣列基板,其信號線的布置并不合理。
發(fā)明內(nèi)容
本申請實施例提供一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置,能夠提供信號線布置的合理性。
第一方面,本申請實施例提供一種陣列基板,包括襯底以及依次遠(yuǎn)離襯底的第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層,第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層中相鄰膜層之間設(shè)置有絕緣層;
陣列基板還包括第一初始化信號線和第二初始化信號線,第一初始化信號線和第二初始化信號線用于傳輸不同的初始化信號,第一初始化信號線和第二初始化信號線均沿第一方向延伸且均位于第四金屬層。
在第一方面一種可能的實施方式中,陣列基板還包括第五金屬層,第五金屬層位于第四金屬層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè);
陣列基板還包括第一輔助線和第二輔助線中的至少一者;
第一輔助線沿第二方向延伸,位于第五金屬層且通過第一過孔與第一初始化信號線連接;
第二輔助線沿第二方向延伸,位于第五金屬層且通過第二過孔與第二初始化信號線連接;
優(yōu)選的,在第一方向上,第一輔助線和第二輔助線交替排布,第一方向和第二方向相交;
優(yōu)選的,相鄰的第一輔助線和第二輔助線之間設(shè)置有沿第一方向排布的至少兩個像素電路。
在第一方面一種可能的實施方式中,陣列基板還包括像素電路,像素電路包括驅(qū)動晶體管、第一晶體管、第二晶體管和發(fā)光元件的第一電極;
第一晶體管的第一極電連接第一初始化信號線,第一晶體管的第二極電連接驅(qū)動晶體管的柵極;
第二晶體管的第一極電連接第二初始化信號線,第二晶體管的第二極電連接發(fā)光元件的第一電極;
優(yōu)選的,第一晶體管為銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管;
優(yōu)選的,第二晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管;
優(yōu)選的,陣列基板還包括:
第一半導(dǎo)體層,位于襯底與第一金屬層之間,第二晶體管的有源層位于第一半導(dǎo)體層;
第二半導(dǎo)體層,位于第二金屬層與第三金屬層之間,第一晶體管的有源層位于第二半導(dǎo)體層。
在第一方面一種可能的實施方式中,陣列基板還包括第一連接部,像素電路還包括第三晶體管,第一連接部位于第四金屬層,驅(qū)動晶體管的柵極位于第一金屬層,第一連接部通過第三過孔連接驅(qū)動晶體管的柵極,第一連接部通過第四過孔連接第三晶體管的源極或漏極;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





