[發明專利]一種BN納米片改性聚碳硅烷及其合成方法有效
| 申請號： | 202210725463.9 | 申請日： | 2022-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN114874453B | 公開（公告）日： | 2023-03-31 |
| 發明（設計）人： | 龍鑫;邵長偉;王兵;王應德;王小宙;茍燕子;韓成;張曉山 | 申請（專利權）人： | 中國人民解放軍國防科技大學 |
| 主分類號： | C08G83/00 | 分類號： | C08G83/00;C04B35/571;D01F9/10;C04B35/622 |
| 代理公司： | 長沙國科天河知識產權代理有限公司 43225 | 代理人： | 陳俊好 |
| 地址： | 410073 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 bn 納米 改性 硅烷 及其 合成 方法 | ||
1.一種BN納米片改性聚碳硅烷的合成方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：稱取BN納米片和改性物，混合、球磨，然后用有機溶劑進行萃取，得到功能改性納米片分散溶液；所述改性物為檸檬酸鈉和尿素中的至少一種；
S2：稱取聚碳硅烷，溶解在有機溶劑中，得到聚碳硅烷溶液；
S3：將所述功能改性納米片分散溶液與聚碳硅烷溶液混勻，在惰性氣氛下，攪拌升溫至混合液沸騰以使BN納米片與聚碳硅烷進行化學鍵合，再繼續升溫蒸餾出有機溶劑，得到BN納米片改性聚碳硅烷。
2.如權利要求1所述的合成方法，其特征在于，在步驟S1中，所述BN納米片的尺寸為100～1000nm，厚度為0.5～10nm。
3.如權利要求1所述的合成方法，其特征在于，在步驟S1中，所述功能改性納米片分散溶液濃度為5～40mg/mL。
4.如權利要求1所述的合成方法，其特征在于，在步驟S1和S2中，所述有機溶劑為N,N-二甲基甲酰胺、甲苯、二甲苯和四氫呋喃中的一種。
5.如權利要求1所述的合成方法，其特征在于，在步驟S2中，所述聚碳硅烷是一種含有Si-C骨架結構的有機聚合物，由聚硅烷經高溫裂解制備得到；所述聚碳硅烷的軟化點在100～250℃。
6.如權利要求1所述的合成方法，其特征在于，在步驟S2中，所述聚碳硅烷溶液的濃度為100～1000mg/mL。
7.如權利要求1所述的合成方法，其特征在于，在步驟S3中，所述攪拌升溫至沸騰具體為：
攪拌升溫至混合液沸點，并在沸點溫度下保溫2～10h。
8.如權利要求1所述的合成方法，其特征在于，在步驟S3中，所述繼續升溫蒸餾出有機溶劑的溫度為180～300℃。
9.一種BN納米片改性聚碳硅烷，其特征在于，由權利要求1～8任一項所述合成方法合成；所述改性聚碳硅烷中BN納米片與聚碳硅烷通過化學鍵合作用結合。
10.一種SiC陶瓷材料，其特征在于，以權利要求1～8任一項所述合成方法合成的改性聚碳硅烷或者權利要求9所述的改性聚碳硅烷為原料，通過先驅體轉化法制備得到。
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