[發明專利]一體式全自動植球機在審
| 申請號: | 202210722313.2 | 申請日: | 2022-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN115527892A | 公開(公告)日: | 2022-12-27 |
| 發明(設計)人: | 張治強 | 申請(專利權)人: | 江蘇長晟半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/60 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 226000 江蘇省南通市開發區*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 體式 全自動 植球機 | ||
本申請涉及一種一體式全自動植球機,包括植球機本體,植球機本體包括整板進料口、整板載板平臺和整板出料口,整板載板平臺包括升降冶具、整板鋼網和刮錫機構,其中整板鋼網設置在整板載板平臺中心,升降冶具設置在整板載板平臺的底部,刮錫機構在整板載板平臺的頂部,整板載板平臺的側面安裝有刮刀驅動機構,刮刀驅動機構上安裝有供球機構;升降冶具包括冶具主體和升降氣缸,其中冶具主體鑲嵌在傳輸模具中,且傳輸模具的兩側凹槽與植球機本體上的滑軌滑動連接,滑軌貫穿整板進料口、整板載板平臺和整板出料口;整板出料口上還安裝有鐵板加熱裝置。本申請有效提高植球質量和植球效率,大大降低人工成本高。
技術領域
本申請涉及半導體技術領域,尤其是涉及一種一體式全自動植球機。
背景技術
晶圓級植球機是一種高端半導體設備,用于將錫球精準放置于已經印刷助焊劑的晶圓上,目前晶圓級植球機使用的錫球一般在75μm-300μm范圍內,其核心技術之一就是植球方式。
現有的晶圓級植球設備為了實現將錫球精確植入晶圓,基本采用手工植球的方式,如專利CN103606527A是操作工拿著塑料刮板在網板上來回幾次刮球,將球刮入網孔內,網孔與晶圓上的PAD點預先對位,每個網孔落入一個錫球,通過此種手動方式將錫球植到晶圓的PAD點上,此種方式需要專業人員操作,在工廠大批量生產情況下,植球質量可能受人工操作的影響,且植球效率低,人工成本高。
發明內容
為了克服現有技術中存在的問題,本申請提供一種一體式全自動植球機。
本申請提供的一種一體式全自動植球機采用如下的技術方案:
一種一體式全自動植球機,包括植球機本體,植球機本體包括整板進料口、整板載板平臺和整板出料口,整板載板平臺包括升降冶具、整板鋼網和刮錫機構,其中整板鋼網設置在整板載板平臺中心,升降冶具設置在整板載板平臺的底部,刮錫機構在整板載板平臺的頂部,整板載板平臺的側面安裝有刮刀驅動機構,刮刀驅動機構上安裝有供球機構;升降冶具包括冶具主體和升降氣缸,其中冶具主體鑲嵌在傳輸模具中,且傳輸模具的兩側凹槽與植球機本體上的滑軌滑動連接,滑軌貫穿整板進料口、整板載板平臺和整板出料口;整板出料口上還安裝有鐵板加熱裝置。
通過采用上述技術方案,植球機中傳輸模具通過底部的凹槽與植球機本體上的滑軌滑動連接,傳輸模具在滑軌上的移動可以采用伸縮桿推動其移動的方式進行控制,傳輸模具能夠帶著裝有晶圓的冶具主體從整板進料口進入,經過整板載板平臺上的植球工序,再到整板出料口上的鐵板加熱裝置對植入的錫球進行溶解冷卻,最終從整板出料口導出,實現全自動的植球工藝。其中整板平臺中升降冶具能夠通過升降氣缸將冶具主體從傳輸模具上升到整板鋼網的底面,與整板鋼網貼合,從而讓升降冶具中的晶圓對于整板鋼網上的網孔,通過刮刀驅動機構驅動刮錫機構對整板鋼網上的錫球進行刮球,從而將錫球填充到晶圓上,而在刮刀驅動機構上的供球機構負責為刮錫機構提供錫球。
優選的,刮刀驅動機構包括架體,架體內橫向貫穿有調節絲桿,調節絲桿的端部安裝減速電機,調節絲桿上套裝有移動部,刮錫機構安裝在移動部的端部,移動部遠離刮錫機構的一端還設有配重塊。
通過采用上述技術方案,刮刀驅動機構中通過減速電機驅動調節絲桿進行轉動,從而調節套裝在絲桿上的移動部在架體內進行滑動,從而控制安裝在移動部上的刮錫機構進行往復運動,從而實現掃球植球的目的,并且在移動部遠離刮錫機構的一端設有配重部,能夠避免刮錫機構以及連接刮錫機構移動部部分過重造成植錫球的部穩定平整。
優選的,刮錫機構的底部設有刮板,刮板上的兩側安裝有錫球導料管,其中錫球導料管的出口端采用條狀出口,錫球導料管的入口端與刮錫機構頂部的錫球儲存盒連通,且刮板左右兩側的錫球導料管與錫球儲存盒連接處分別設有左閥門和右閥門。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





