[發(fā)明專利]存儲裝置和其產(chǎn)生方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210720410.8 | 申請日： | 2022-06-16 |
| 公開（公告）號： | CN115566749A | 公開（公告）日： | 2023-01-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 弗蘭克·扎卡里亞斯;斯拉米沃爾·拉法爾·瑪利諾斯基;埃加斯·卡瓦略·海內(nèi)斯內(nèi)托;沙夫卡特·阿里 | 申請（專利權(quán)）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分類號： | H02J7/00 | 分類號： | H02J7/00;G06K19/077 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 馮薇;黃亮 |
| 地址： | 荷蘭埃因霍溫高科*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 存儲 裝置 產(chǎn)生 方法 | ||
根據(jù)本公開的第一方面，提供一種存儲裝置，包括：電容器，其被配置成被充電；充電電路，其被配置成對所述電容器充電；傳送裝置，其耦合在所述充電電路與所述電容器之間；控制電路，其被配置成控制所述傳送裝置；光敏二極管，其耦合在所述控制電路與所述傳送裝置之間，使得如果所述存儲裝置暴露于光，則減小由所述控制電路提供到所述傳送裝置的輸入電壓。根據(jù)本公開的第二方面，構(gòu)想一種產(chǎn)生存儲裝置的對應(yīng)方法。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及一種存儲裝置。此外，本公開涉及一種產(chǎn)生存儲裝置的對應(yīng)方法。
背景技術(shù)
基于在電容器上維持預(yù)定義電荷的原理的存儲裝置得到廣泛使用。例如，此類存儲裝置可用作應(yīng)答器中的所謂持久標(biāo)記。如今，射頻識別(RFID)應(yīng)答器被廣泛用于不同的工業(yè)和商業(yè)領(lǐng)域以及不同的用途。例如，RFID應(yīng)答器可體現(xiàn)為所謂的RFID標(biāo)簽或RFID卡。應(yīng)注意，在本公開中，近場通信(NFC)應(yīng)答器被視為特定類型的RFID應(yīng)答器。因此，本文所描述的原理還可應(yīng)用于NFC應(yīng)答器。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本公開的第一方面，提供一種存儲裝置，包括：電容器，其被配置成被充電；充電電路，其被配置成對所述電容器充電；傳送裝置，其耦合在所述充電電路與所述電容器之間；控制電路，其被配置成控制所述傳送裝置；光敏二極管，其耦合在所述控制電路與所述傳送裝置之間，使得如果所述存儲裝置暴露于光，則減小由所述控制電路提供到所述傳送裝置的輸入電壓。
在一個或多個實(shí)施例中，所述傳送裝置包括耦合到所述充電電路的漏極、耦合到所述電容器的源極以及耦合到所述控制電路的柵極，并且所述輸入電壓是所述傳送裝置的柵極電壓。
在一個或多個實(shí)施例中，減小所述輸入電壓使得在所述源極周圍產(chǎn)生一層空穴。
在一個或多個實(shí)施例中，所述光敏二極管含有實(shí)施為連接到所述柵極的n阱區(qū)的陰極端和實(shí)施為p襯底的陽極端。
在一個或多個實(shí)施例中，所述p襯底是其中包括所述存儲裝置的應(yīng)答器的p襯底。
在一個或多個實(shí)施例中，所述應(yīng)答器是射頻識別應(yīng)答器或近場通信應(yīng)答器。
在一個或多個實(shí)施例中，所述裝置另外包括耦合在所述傳送裝置與所述電容器之間的輸出電路，其中所述輸出電路被配置成輸出所述電容器上存在的電壓。
在一個或多個實(shí)施例中，電容器的充電狀態(tài)表示要保持的信息，具體地說，位。
在一個或多個實(shí)施例中，一種應(yīng)答器，具體地說，射頻識別應(yīng)答器或近場通信應(yīng)答器，包括所闡述種類的存儲裝置。
根據(jù)本公開的第二方面，構(gòu)想一種產(chǎn)生存儲裝置的方法，所述方法包括提供具有以下各項(xiàng)的存儲裝置：電容器，其被配置成被充電；充電電路，其被配置成對所述電容器充電；傳送裝置，其耦合在所述充電電路與所述電容器之間；控制電路，其被配置成控制所述傳送裝置；光敏二極管，其耦合在所述控制電路與所述傳送裝置之間，使得如果所述存儲裝置暴露于光，則減小由所述控制電路提供到所述傳送裝置的輸入電壓。
在一個或多個實(shí)施例中，所述傳送裝置包括耦合到所述充電電路的漏極、耦合到所述電容器的源極以及耦合到所述控制電路的柵極，并且所述輸入電壓是所述傳送裝置的柵極電壓。
在一個或多個實(shí)施例中，減小所述輸入電壓使得在所述源極周圍產(chǎn)生一層空穴。
在一個或多個實(shí)施例中，所述光敏二極管含有實(shí)施為連接到所述柵極的n阱區(qū)的陰極端和實(shí)施為p襯底的陽極端。
在一個或多個實(shí)施例中，所述p襯底是其中包括所述存儲裝置的應(yīng)答器的p襯底。
在一個或多個實(shí)施例中，所述應(yīng)答器是射頻識別應(yīng)答器或近場通信應(yīng)答器。
附圖說明
將參考附圖更詳細(xì)地描述實(shí)施例，在附圖中：
圖1示出存儲裝置的例子；
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