[發明專利]存儲裝置和其產生方法在審
| 申請號： | 202210720410.8 | 申請日： | 2022-06-16 |
| 公開（公告）號： | CN115566749A | 公開（公告）日： | 2023-01-03 |
| 發明（設計）人： | 弗蘭克·扎卡里亞斯;斯拉米沃爾·拉法爾·瑪利諾斯基;埃加斯·卡瓦略·海內斯內托;沙夫卡特·阿里 | 申請（專利權）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分類號： | H02J7/00 | 分類號： | H02J7/00;G06K19/077 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 馮薇;黃亮 |
| 地址： | 荷蘭埃因霍溫高科*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲 裝置 產生 方法 | ||
1.一種存儲裝置，其特征在于，包括：
電容器，其被配置成被充電；
充電電路，其被配置成對所述電容器充電；
傳送裝置，其耦合在所述充電電路與所述電容器之間；
控制電路，其被配置成控制所述傳送裝置；
光敏二極管，其耦合在所述控制電路與所述傳送裝置之間，使得如果所述存儲裝置暴露于光，則減小由所述控制電路提供到所述傳送裝置的輸入電壓。
2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述傳送裝置包括耦合到所述充電電路的漏極、耦合到所述電容器的源極以及耦合到所述控制電路的柵極，并且其中所述輸入電壓是所述傳送裝置的柵極電壓。
3.根據權利要求2所述的裝置，其特征在于，減小所述輸入電壓使得在所述源極周圍產生一層空穴。
4.根據權利要求2或3所述的裝置，其特征在于，所述光敏二極管含有實施為連接到所述柵極的n阱區的陰極端和實施為p襯底的陽極端。
5.根據權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述p襯底是其中包括所述存儲裝置的應答器的p襯底。
6.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述應答器是射頻識別應答器或近場通信應答器。
7.根據在前的任一項權利要求所述的裝置，其特征在于，另外包括耦合在所述傳送裝置與所述電容器之間的輸出電路，其中所述輸出電路被配置成輸出所述電容器上存在的電壓。
8.根據在前的任一項權利要求所述的裝置，其特征在于，所述電容器的充電狀態表示要保持的信息，具體地說，位。
9.一種應答器，具體地說，射頻識別應答器或近場通信應答器，其特征在于，包括根據在前的任一項權利要求所述的存儲裝置。
10.一種產生存儲裝置的方法，其特征在于，所述方法包括提供具有以下各項的所述存儲裝置：
電容器，其被配置成被充電；
充電電路，其被配置成對所述電容器充電；
傳送裝置，其耦合在所述充電電路與所述電容器之間；
控制電路，其被配置成控制所述傳送裝置；
光敏二極管，其耦合在所述控制電路與所述傳送裝置之間，使得如果所述存儲裝置暴露于光，則減小由所述控制電路提供到所述傳送裝置的輸入電壓。
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