[發(fā)明專(zhuān)利]可調(diào)式隔離環(huán)及可調(diào)式隔離環(huán)的版圖生成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210713661.3
• 申請(qǐng)日: 2022-06-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115000158A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱德崇;瞿濤
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市中科藍(lán)訊科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/06;H01L27/02;G06F30/392
• 代理公司: 深圳市程炎知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44676
• 代理人: 蔡樂(lè)慶

1.一種可調(diào)式隔離環(huán)，其特征在于，包括首尾相連的多個(gè)隔離單元，其中，相鄰兩個(gè)所述隔離單元的重疊區(qū)域共用接觸孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離環(huán)，其特征在于，每個(gè)所述隔離單元包括阱單元，所述阱單元設(shè)有注入層，所述注入層內(nèi)設(shè)有有源區(qū)，所述有源區(qū)均勻設(shè)有接觸孔，所述有源區(qū)的上表面層疊設(shè)有金屬層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的隔離環(huán)，其特征在于，

所述阱單元為P阱，所述P阱的有源區(qū)的寬度為：

W_p1＝nA_p1+S_p1(n-1)+2B_p1；

所述P阱的注入層的寬度為：

W_p2＝W_p1+2C_p1；

其中，W_p1為所述有源區(qū)的寬度，n為所述有源區(qū)的同側(cè)外邊到同側(cè)內(nèi)邊所經(jīng)過(guò)接觸孔的排數(shù)，A_p1為所述接觸孔的寬度，S_p1為相鄰兩個(gè)所述接觸孔之間的距離，B_p1為所述接觸孔到所述有源區(qū)的最小距離，W_p2為所述注入層的寬度，C_p1為所述注入層的同側(cè)內(nèi)邊到所述有源區(qū)的同側(cè)外邊的最小距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的隔離環(huán)，其特征在于，

所述阱單元為N阱，所述N阱的有源區(qū)的寬度為：

W_N1＝mA_N1+S_N1(m-1)+2B_N1；

所述N阱的注入層的寬度為：

W_N2＝W_N1+2C_N1；

所述N阱的寬度為：

W_N3＝W_N2+2D_N1；

其中，W_N1為所述有源區(qū)的寬度，M為所述有源區(qū)的同側(cè)外邊到同側(cè)內(nèi)邊所經(jīng)過(guò)接觸孔的排數(shù)，A_N1為所述接觸孔的寬度，S_N1為相鄰兩個(gè)所述接觸孔之間的距離，B_N1為所述接觸孔到所述有源區(qū)的最小距離，W_N2為所述注入層的寬度，C_N為所述注入層的同側(cè)內(nèi)邊到所述有源區(qū)的同側(cè)外邊的最小距離，W_N3為所述N阱的寬度，D_N1為所述N阱外邊到所述注入層的最小距離。

5.根據(jù)權(quán)利要求2至4任一項(xiàng)所述的隔離環(huán)，其特征在于，各個(gè)所述阱單元的金屬層之間是不連續(xù)的。

6.一種可調(diào)式隔離環(huán)的版圖生成方法，其特征在于，包括：

從預(yù)設(shè)文本路徑將腳本文件導(dǎo)入版圖繪制應(yīng)用程序，其中，所述版圖繪制應(yīng)用程序提供有版圖繪制界面；

在所述版圖繪制界面上選擇原點(diǎn)，并以所述原點(diǎn)作為固定點(diǎn)，繪制目標(biāo)尺寸的矩形框；

響應(yīng)用戶(hù)輸入的排數(shù)，執(zhí)行所述腳本文件以生成首尾相連的多個(gè)隔離單元以獲得隔離環(huán)，相鄰兩個(gè)所述隔離單元的重疊區(qū)域共用接觸孔。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的版圖生成方法，其特征在于，每個(gè)所述隔離單元包括阱單元，所述阱單元設(shè)有注入層，所述注入層內(nèi)設(shè)有有源區(qū)，所述有源區(qū)均勻設(shè)有接觸孔，所述有源區(qū)的上表面層疊設(shè)有金屬層。