[發(fā)明專利]一種磁控濺射設(shè)備中遮擋件冷卻的適配器及磁控濺射設(shè)備

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• 申請日: 2022-06-21
• 公開（公告）號: CN115181947A
• 公開（公告）日: 2022-10-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐偉;劉超;宋永輝
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫尚積半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 蘇州京昀知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32570
• 代理人: 顧友

本發(fā)明公開了一種用于磁控濺射設(shè)備中遮擋件冷卻的適配器及磁控濺射設(shè)備，其中適配器，包括殼體，沿遮擋件的周向設(shè)置，所述殼體包括:延伸部和主體部，所述主體部沿周向設(shè)有安裝槽，所述延伸部與所述主體部連接，并沿著所述遮擋件的周向設(shè)置；冷卻件，所述冷卻件設(shè)置于所述安裝槽內(nèi)，用于冷卻所述遮擋件。磁控濺射設(shè)備，包括：真空腔體以及從上至下依次設(shè)置在真空腔體內(nèi)的靶材、以及本發(fā)明公開的適配器、遮擋件以及襯底。本發(fā)明實(shí)施例公開的適配器包含冷卻件，設(shè)置于遮擋件外，可在設(shè)備運(yùn)行時(shí)，降低遮擋件溫度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及磁控濺射技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種磁控濺射設(shè)備中遮擋件冷卻的 適配器及磁控濺射設(shè)備。

背景技術(shù)

PVD磁控濺射是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子沉 積在晶圓片上，濺射過程中也會(huì)濺射到腔體里，從而需要遮擋件來遮擋濺射出 的粒子形成的薄膜，避免沾污腔體。然而，在磁控濺射設(shè)備運(yùn)行中，遮擋件的 溫度會(huì)逐漸升高，遮擋件的溫度會(huì)影響到沉積速率和方塊電阻的均勻性，并隨 著工藝的時(shí)間越長，磁控濺射設(shè)備運(yùn)行功率越大，遮擋件由于高真空下的散熱 問題會(huì)越來越嚴(yán)重。

現(xiàn)有技術(shù)中，基于物理氣相沉積技術(shù)的磁控濺射設(shè)備，真空濺射腔體內(nèi)部 遮擋件都無冷卻機(jī)構(gòu)，在熱鋁，LIFT-OFF，等工藝中，遮擋件散熱成為了非常 重要的一個(gè)問題。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的至少一個(gè)技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種用于 磁控濺射設(shè)備中遮擋件冷卻的適配器及磁控濺射設(shè)備，技術(shù)方案如下：

一種用于磁控濺射設(shè)備中遮擋件冷卻的適配器，與濺射腔體和濺射源連接， 包括：

殼體，沿所述遮擋件的周向設(shè)置，所述殼體包括:延伸部和主體部，所述主 體部沿周向設(shè)有安裝槽，所述延伸部與所述主體部連接，并沿著所述遮擋件的 周向設(shè)置；

冷卻件，所述冷卻件設(shè)置于所述安裝槽內(nèi)，用于冷卻所述遮擋件。

進(jìn)一步地，所述主體部的內(nèi)側(cè)形成有：螺紋段、傾斜段，所述傾斜段自所 述延伸部的端面向外傾斜，所述螺紋段與所述傾斜段連接，所述螺紋段的內(nèi)壁 設(shè)有設(shè)有螺紋。

進(jìn)一步地，所述主體部的內(nèi)側(cè)形成有：安裝段，所述安裝段與所述遮擋件 連接，所述殼體通過所述安裝段設(shè)置于所述遮擋件外。

進(jìn)一步地，所述殼體與所述遮擋件之間形成有間隙空間，所述間隙空間的 寬度為0.2mm～0.5mm。

進(jìn)一步地，所述殼體的導(dǎo)熱系數(shù)大于所述遮擋件的導(dǎo)熱系數(shù)。

進(jìn)一步地，所述冷卻件，包括：

冷卻管，所述冷卻管內(nèi)流通冷卻介質(zhì)，通過所述冷卻介質(zhì)與所述遮擋件進(jìn) 行熱交換，降低所述遮擋件的溫度。

進(jìn)一步地，所述冷卻管的進(jìn)口端與介質(zhì)源設(shè)備的出口端連接，所述冷卻管 的出口端與介質(zhì)回收設(shè)備的進(jìn)口端連接，所述介質(zhì)源設(shè)備與所述介質(zhì)回收設(shè)備 連接。

第二方面，本發(fā)明還公開一種磁控濺射設(shè)備，包括：

真空腔體以及從上至下依次設(shè)置在所述真空腔體內(nèi)的靶材、如第一方面任 一項(xiàng)所述的適配器、遮擋件以及襯底，其中所述適配器安裝于所述遮擋件上。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果至少包括：

1、本發(fā)明實(shí)施例公開的適配器包含冷卻件，設(shè)置于遮擋件外，可在設(shè)備運(yùn) 行時(shí)，降低遮擋件溫度；

2、本發(fā)明實(shí)施例公開的適配器包括延伸部和主體部，與遮擋件具有較大的 熱輻射面積，可提高適配器對遮擋件的散熱效果；

3、本發(fā)明實(shí)施例公開的適配器的殼體與所述遮擋件之間間隙較小，可增強(qiáng) 適配器對遮擋件的散熱效果。

附圖說明