[發(fā)明專利]半導(dǎo)體制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210705247.8
• 申請日: 2022-06-21
• 公開（公告）號: CN115376901A
• 公開（公告）日: 2022-11-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張?zhí)硭?/a>;劉又嵻;劉書豪;張惠政;楊育佳
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01J37/317
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

一種半導(dǎo)體制造方法，包括：沿著平移路徑相對于離子束移動多個(gè)感測器；獲取由感測器所產(chǎn)生的感測器信號；將所獲取的感測器信號轉(zhuǎn)換成代表離子束的二維輪廓的數(shù)據(jù)集；從數(shù)據(jù)集產(chǎn)生離子束的多個(gè)第一一維輪廓；通過將離子束的第一一維輪廓中的每一者空間反轉(zhuǎn)來產(chǎn)生離子束的多個(gè)第二一維輪廓；通過將第一一維輪廓中的每一者的第一電流密度值與第二一維輪廓中的對應(yīng)一者的第二電流密度值迭加來產(chǎn)生離子束的多個(gè)第三一維輪廓；以及根據(jù)第三一維輪廓，決定是否繼續(xù)使用離子束對晶圓進(jìn)行植入制程。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開實(shí)施例是關(guān)于一種半導(dǎo)體制造方法，特別是關(guān)于一種感測離子束的一維輪廓來決定是否進(jìn)行離子植入制程的半導(dǎo)體制造方法。

背景技術(shù)

由于各種電子元件(例如晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度不斷提高，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了快速成長。在大多數(shù)情況下，集成密度這種進(jìn)步源自于不斷地縮小最小特征尺寸，這使得更多的元件可以整合到給定的區(qū)域中。隨著最近對小型化、更高速度、更大頻寬以及更低功耗和延遲的需求不斷增加，對更小、更具創(chuàng)造性的半導(dǎo)體晶粒封裝技術(shù)的需求也在成長。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體制造制程變得更加復(fù)雜，因此需要復(fù)雜的設(shè)備和固定裝置。在半導(dǎo)體制程中，集成電路是在半導(dǎo)體晶圓上制造的。在通過切割半導(dǎo)體晶圓來分隔開多個(gè)集成電路之前，半導(dǎo)體晶圓要經(jīng)過許多制程步驟。制程步驟可包括微影、蝕刻、摻雜和沉積不同材料。

離子植入是一種用于將不同原子或分子摻雜到晶圓中的制程技術(shù)。通過采用離子植入，可以改變多數(shù)電荷載流子以便在晶圓中產(chǎn)生具有不同類型和程度的導(dǎo)電性的區(qū)域。在離子植入機(jī)中，離子產(chǎn)生器可產(chǎn)生離子束且將離子束導(dǎo)向目標(biāo)晶圓。

在進(jìn)行離子植入制程之前，可以采用多種離子植入監(jiān)測系統(tǒng)來表示離子束的特征。

發(fā)明內(nèi)容

本公開實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體制造方法，用以對晶圓進(jìn)行離子植入，包括：沿著平移路徑相對于離子束移動感測器；獲取由感測器在沿平移路徑的多個(gè)位置處所產(chǎn)生的感測器信號；將所獲取的感測器信號轉(zhuǎn)換成代表離子束的二維輪廓的數(shù)據(jù)集；從數(shù)據(jù)集產(chǎn)生離子束的多個(gè)第一一維輪廓，第一一維輪廓中的每一者具有第一組電流密度值；通過將離子束的第一一維輪廓中的每一者空間反轉(zhuǎn)來產(chǎn)生離子束的多個(gè)第二一維輪廓，第二一維輪廓中的每一者具有第二組電流密度值；通過將第一一維輪廓中的每一者的第一電流密度值與第二一維輪廓中的對應(yīng)一者的第二電流密度值迭加來產(chǎn)生離子束的多個(gè)第三一維輪廓；根據(jù)第三一維輪廓，決定是否繼續(xù)使用離子束對晶圓進(jìn)行植入制程；以及因應(yīng)決定繼續(xù)植入制程，利用離子束對晶圓進(jìn)行植入制程。

本公開實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體制造方法，用于離子束均勻性調(diào)控，包括：包括在離子植入系統(tǒng)中產(chǎn)生離子束；獲取代表離子束二維(2D)輪廓的數(shù)據(jù)集；從數(shù)據(jù)集中產(chǎn)生離子束的多個(gè)第一一維(1D)輪廓；從離子束的第一一維輪廓產(chǎn)生離子束的多個(gè)第二一維輪廓；將離子束的第二一維輪廓的電流密度值迭加以產(chǎn)生離子束的組合一維輪廓；通過將組合一維輪廓的電流密度值除以離子束的第二一維輪廓的數(shù)量來計(jì)算離子束的平均一維輪廓；根據(jù)離子束的平均一維輪廓，決定是否繼續(xù)以離子束進(jìn)行植入制程。

本公開實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體制造方法，包括：沿著相對于離子束的平移路徑移動離子束輪廓儀，使得離子束輪廓儀覆蓋離子束的整個(gè)截面區(qū)域；使用離子束輪廓儀上的多個(gè)感測器獲取代表離子束二維(2D)輪廓的數(shù)據(jù)集，多個(gè)感測器在垂直于平移路徑的方向上以線性方式分隔開；從數(shù)據(jù)集產(chǎn)生離子束的第一一維(1D)輪廓；計(jì)算離子束的第一一維輪廓與最佳化束輪廓相比的標(biāo)準(zhǔn)差，其中最佳化束輪廓包括多個(gè)第二一維輪廓的平均值。

附圖說明

根據(jù)以下的詳細(xì)說明并配合所附圖式以更好地了解本公開實(shí)施例的概念。應(yīng)注意的是，根據(jù)本產(chǎn)業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)慣例，圖式中的各種特征未必按照比例繪制。事實(shí)上，可能任意地放大或縮小各種特征的尺寸，以做清楚的說明。在通篇說明書及圖式中以相似的標(biāo)號標(biāo)示相似的特征。

圖1繪示根據(jù)本公開實(shí)施例的離子植入系統(tǒng)的示意圖。