[發明專利]半導體制造方法

在審

• 申請號: 202210705247.8
• 申請日: 2022-06-21
• 公開（公告）號: CN115376901A
• 公開（公告）日: 2022-11-22
• 發明（設計）人: 張添舜;劉又嵻;劉書豪;張惠政;楊育佳
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01J37/317
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導體制造方法，用以對一晶圓進行離子植入，包括：

沿著一平移路徑相對于一離子束移動多個感測器；

獲取由所述感測器在沿該平移路徑的多個位置處所產生的多個感測器信號；

將所獲取的所述感測器信號轉換成代表該離子束的一二維輪廓的一數據集；

從該數據集產生該離子束的多個第一一維輪廓，所述第一一維輪廓中的每一者具有一第一組電流密度值；

通過將該離子束的所述第一一維輪廓中的每一者空間反轉來產生該離子束的多個第二一維輪廓，所述第二一維輪廓中的每一者具有一第二組電流密度值；

通過將所述第一一維輪廓中的每一者的第一電流密度值與所述第二一維輪廓中的對應一者的第二電流密度值迭加來產生該離子束的多個第三一維輪廓；

根據所述第三一維輪廓，決定是否繼續使用該離子束對該晶圓進行一植入制程；以及

因應決定繼續該植入制程，利用該離子束對該晶圓進行該植入制程。

2.如權利要求1所述的半導體制造方法，其中所述感測器包括在垂直于該平移路徑的一方向上以線性方式分隔開的至少十一個感測器。

3.如權利要求1所述的半導體制造方法，其中產生該離子束的所述第三一維輪廓包括相對于沿該平移路徑的一第一點將所述第一一維輪廓中的每一者的所述第一電流密度值與所述第二一維輪廓中的對應一者的所述第二電流密度值迭加，使得所述第一一維輪廓中的每一者及所述第二一維輪廓中的對應一者相對于穿過該第一點的一垂直線是彼此的鏡像。

4.如權利要求1所述的半導體制造方法，更包括：

將該離子束的所述第三一維輪廓中的每一者的多個第三電流密度值迭加以產生該離子束的所述第三一維輪廓的多個迭加電流密度值；以及

根據該離子束的所述第三一維輪廓的所述迭加電流密度值計算該離子束的一平均一維輪廓。

5.如權利要求4所述的半導體制造方法，更包括計算該離子束的該平均一維輪廓與一最佳化輪廓相比的一標準差，該最佳化輪廓被存儲在一控制器上。

6.如權利要求5所述的半導體制造方法，更包括當該標準差等于或大于一預設閾值時調整該離子束的多個參數。

7.如權利要求6所述的半導體制造方法，其中根據所述第三一維輪廓決定是否繼續使用該離子束在該晶圓上的該植入制程包括當該標準差小于該預設閾值時決定繼續該植入制程。

8.如權利要求7所述的半導體制造方法，其中該離子束的所述參數包括束強度、束高度、束寬度或前述的組合。

9.一種半導體制造方法，用于調控離子束均勻性，包括：

在一離子植入系統中產生一離子束；

獲取代表該離子束的一二維輪廓的一數據集；

從該數據集中產生該離子束的多個第一一維輪廓；

從該離子束的所述第一一維輪廓產生該離子束的多個第二一維輪廓；

將該離子束的所述第二一維輪廓的多個電流密度值迭加以產生該離子束的一組合一維輪廓；

通過將該組合一維輪廓的多個電流密度值除以該離子束的所述第二一維輪廓的數量來計算該離子束的一平均一維輪廓；以及

根據該離子束的該平均一維輪廓決定是否繼續使用該離子束進行一植入制程。

10.一種半導體制造方法，包括：

沿著相對于一離子束的一平移路徑移動一離子束輪廓儀，使得該離子束輪廓儀覆蓋該離子束的一整個截面區域；

使用該離子束輪廓儀上的多個感測器獲取代表該離子束的一二維輪廓的一數據集，所述感測器在垂直于該平移路徑的一方向上以線性方式分隔開；

從該數據集產生該離子束的一第一一維輪廓；以及

計算該離子束的該第一一維輪廓與一最佳化束輪廓相比的一標準差，其中該最佳化束輪廓包括多個第二一維輪廓的一平均值。