[發(fā)明專利]一種用于氧化制程的氣體混合裝置及處理設(shè)備

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• 申請日: 2022-06-17
• 公開（公告）號: CN115193277A
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘德烈
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市德明利光電有限公司
• 主分類號: B01F23/10
• 分類號: B01F23/10;B01F35/21;B01F35/83;H01L21/02
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 崔熠

一種用于氧化制程的氣體混合裝置及處理設(shè)備，涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，包括氣體混合器、設(shè)置有第一MFC和第二MFC的第一管道、設(shè)置有第三MFC的第二管道和設(shè)置有壓力控制器的第三管道，氣體混合器通過第一管道與處理腔室連接，第二管道與第一管道的連接處位于第一MFC和第二MFC之間，第三管道與第一管道的連接處位于第二MFC與處理腔室之間；第一預(yù)設(shè)比例的混合氣體在第一MFC控制下與第一組成氣體在第三MFC控制下混合形成第二預(yù)設(shè)比例的處理氣體，一部分處理氣體在壓力控制器分流下經(jīng)第三管道排出、另一部分處理氣體在第二MFC控制下流向處理腔室。氣體混合裝置能夠在混合氣體通入處理腔室前對混合比例和流動速率進(jìn)行調(diào)控。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種用于氧化制程的氣體混合裝置及處理設(shè)備。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體制造過程可以分為晶圓加工、氧化、光刻、刻蝕、薄膜沉積、互連、測試和封裝等步驟，其中，氧化制程的作用是在晶圓表面形成氧化膜，以保護(hù)晶圓不受化學(xué)雜質(zhì)影響、避免漏電流進(jìn)入電路、預(yù)防離子植入過程中的擴(kuò)散以及防止晶圓在刻蝕時滑脫。氧化制程中處理氣體的混合比例、流動速率極為重要，會對形成的氧化膜的厚度造成影響。

現(xiàn)有技術(shù)中，不同組分的各種組成氣體會先在氣體混合器內(nèi)根據(jù)預(yù)設(shè)比例進(jìn)行混合，混合形成的混合氣體再通入處理腔室內(nèi)以對晶圓進(jìn)行氧化處理。然而，上述裝置具有以下缺點(diǎn)：一方面，混合形成的混合氣體在通入處理腔室前，只能以氣體混合器內(nèi)進(jìn)行混合時的預(yù)設(shè)比例進(jìn)行氧化處理，存在無法再進(jìn)行混合比例的調(diào)整的問題，另一方面，經(jīng)氣體混合器流入處理腔室內(nèi)的混合氣體的流動速率，也無法進(jìn)行控制調(diào)節(jié)，容易對氧化制程造成影響。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種用于氧化制程的氣體混合裝置及處理設(shè)備，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中混合氣體在通入處理腔室前混合比例無法調(diào)整以及流動速率無法控制的問題。

本發(fā)明的實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的：

本發(fā)明實(shí)施例的一方面，提供一種用于氧化制程的氣體混合裝置，包括氣體混合器、第一管道、第二管道和第三管道，所述氣體混合器通過所述第一管道與氧化制程的處理腔室連接，所述第一管道上依次設(shè)置有第一MFC和第二MFC，所述第二管道與所述第一管道的連接處位于所述第一MFC和所述第二MFC之間，所述第二管道上設(shè)置有第三MFC，所述第三管道與所述第一管道的連接處位于所述第二MFC與所述處理腔室之間，所述第三管道上設(shè)置有壓力控制器；經(jīng)所述氣體混合器排出的第一預(yù)設(shè)比例的混合氣體在所述第一MFC的控制下與經(jīng)所述第二管道通入的第一組成氣體在所述第三MFC的控制下混合形成第二預(yù)設(shè)比例的處理氣體，所述壓力控制器分流一部分所述第二預(yù)設(shè)比例的處理氣體經(jīng)所述第三管道排出，另一部分所述第二預(yù)設(shè)比例的處理氣體在所述第二MFC的控制下流向所述處理腔室。該用于氧化制程的氣體混合裝置能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中混合氣體在通入處理腔室前混合比例無法調(diào)整以及流動速率無法控制的問題。

作為一種可實(shí)施的方式，還包括第四管道和第五管道，所述第四管道和所述第五管道上分別設(shè)置有第四MFC和第五MFC，所述第四管道和所述第五管道分別通過所述第四MFC和所述第五MFC與所述氣體混合器對應(yīng)連接；經(jīng)所述第四管道通入的第二組成氣體在所述第四MFC的控制下與經(jīng)所述第五管道通入的第三組成氣體在所述第五MFC的控制下分別流入所述氣體混合器內(nèi)混合形成所述第一預(yù)設(shè)比例的混合氣體。

作為一種可實(shí)施的方式，還包括儲液器和第六管道，所述儲液器用于存儲水，所述第六管道伸入至所述儲液器的液面以下，所述第四管道露出于所述儲液器的液面之上，經(jīng)所述第六管道通入的第四組成氣體在所述儲液器內(nèi)的水的作用下加濕形成所述第二組成氣體。

作為一種可實(shí)施的方式，所述儲液器內(nèi)設(shè)置有第一水位監(jiān)測器，所述第一水位監(jiān)測器用于檢測所述儲液器的液面高度。

作為一種可實(shí)施的方式，所述儲液器內(nèi)還設(shè)置有第二水位監(jiān)測器，所述第二水位監(jiān)測器用于檢測所述儲液器的液面高度，沿液面高度方向，所述第二水位監(jiān)測器間隔設(shè)置于所述第一水位監(jiān)測器的下方。