[發明專利]發光二極管及發光裝置

在審

• 申請號: 202210683945.2
• 申請日: 2022-04-18
• 公開（公告）號: CN115020567A
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發明（設計）人: 謝昆達;林芳芳;韓濤;楊欣欣;溫兆軍;張中英
• 申請（專利權）人: 泉州三安半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44
• 代理公司: 廈門加減專利代理事務所(普通合伙) 35234
• 代理人: 楊澤奇;包愛萍

本發明涉及半導體光電器件技術領域，特別涉及一種發光二極管、發光裝置。所述發光二極管包括：半導體外延疊層，其包含依次層疊設置的第一導電類型半導體層、發光層以及第二導電類型半導體層；界面過渡層，位于所述半導體外延疊層之上；所述界面過渡層與所述半導體外延疊層之間設有第一絕緣層；金屬層，覆蓋部分所述界面過渡層表面，并與所述半導體外延疊層電性連接。本發明提供的發光二極管具有高可靠性。

技術領域

本發明涉及半導體光電器件技術領域，特別涉及一種發光二極管及發光裝置。

背景技術

發光二極管(英文Light Emitting Diode，簡稱LED)包含有不同的發光材料及發光部件，是一種固態半導體發光元件。它因成本低、功耗低、光效高、體積小、節能環保、具有良好的光電特性等優點而被廣泛應用于照明、可見光通信及發光顯示等各種場景。現有發光二極管的金屬層在絕緣層上的附著力不足。

發明內容

為解決現有發光二極管的金屬層在絕緣層上的附著力不足，本發明提供一種具有高可靠性的發光二極管。

本發明實施例所采用的技術方案如下：

具體來說，本發明一實施例提供一種發光二極管，包括：

半導體外延疊層，其包含依次層疊設置的第一導電類型半導體層、發光層以及第二導電類型半導體層；

界面過渡層，位于所述半導體外延疊層之上；

所述界面過渡層與所述半導體外延疊層之間設有第一絕緣層；

金屬層，覆蓋部分所述界面過渡層表面，并與所述半導體外延疊層電性連接。

本發明通過設置包括絕緣金屬氧化物或絕緣金屬氧化物的疊層的界面過渡層以提高金屬層與絕緣層之間的附著力，從而提高發光二極管的可靠性。

本發明的其它特征和有益效果將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發明而了解。本發明的目的和其他有益效果可通過在說明書、權利要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖；在下面描述中附圖所述的位置關系，若無特別指明，皆是圖示中組件繪示的方向為基準。

圖1為本發明一實施例的發光二極管的俯視示意圖；

圖2為本發明實施例一的發光二極管的側視剖面示意圖；

圖2A所示出的是圖2虛線框中結構的放大示意圖；

圖2B所示出的是本發明實施例二在圖2虛線框中結構的放大示意圖；

圖2C所示出的是本發明實施例一的變形例在圖2虛線框中結構的放大示意圖；

圖2D所示出的是本發明實施例一的另一變形例在圖2虛線框中結構的放大示意圖；

圖3為本發明實施例三的發光二極管的側視剖面示意圖；

圖3A所示出的是圖3虛線框中結構的放大示意圖；

圖4為本發明實施例四的發光二極管剖面示意圖；

圖5為圖4所示實施例四的發光二極管變形例的剖面示意圖；

圖6為本發明實施例五的發光二極管剖面示意圖；

圖7為圖6所示實施例五的發光二極管變形例的剖面示意圖；