[發(fā)明專利]發(fā)光二極管及發(fā)光裝置

在審

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• 申請日: 2022-04-18
• 公開（公告）號: CN115020567A
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝昆達(dá);林芳芳;韓濤;楊欣欣;溫兆軍;張中英
• 申請（專利權(quán)）人: 泉州三安半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44
• 代理公司: 廈門加減專利代理事務(wù)所(普通合伙) 35234
• 代理人: 楊澤奇;包愛萍

1.一種發(fā)光二極管，包括半導(dǎo)體外延疊層和設(shè)置在所述半導(dǎo)體疊層之上的金屬層，所述半導(dǎo)體外延疊層包含依次層疊設(shè)置的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；其特征在于：

所述半導(dǎo)體外延疊層與所述金屬層之間設(shè)置有界面過渡層、第一絕緣層和電流擴(kuò)展層，所述所述界面過渡層包括絕緣金屬氧化物、或者絕緣金屬氧化物的疊層，至少部分所述電流擴(kuò)展層與所述半導(dǎo)體外延疊層相接觸，至少部分所述金屬層與所述電流擴(kuò)展層相接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述界面過渡層的厚度在3nm以上且400nm以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述界面過渡層的折射率在1.5以上且3.5以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述絕緣金屬氧化物包括TiO₂、ZrO₂、HfO₂、Ta₂O₅、Al₂O₃、Nb₂O₅、Y₂O₃、MgO、La₂O₃、SrTiO₃、BaTiO₃、或CeO₂中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一絕緣層至少覆蓋部分所述電流擴(kuò)展層靠近金屬層一側(cè)的表面，所述界面過渡層具有圖案化的第一通孔結(jié)構(gòu)，所述第一絕緣層具有圖案化的第二通孔結(jié)構(gòu)；

至少部分所述金屬層依次通過所述第一通孔結(jié)構(gòu)、第二通孔結(jié)構(gòu)與所述電流擴(kuò)展層相接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一通孔結(jié)構(gòu)的直徑在3μm以上且20μm以下；所述第二通孔結(jié)構(gòu)的直徑在3μm以上且20μm以下，相鄰所述第一通孔結(jié)構(gòu)的間距在10μm以上且50μm以下；相鄰所述第二通孔結(jié)構(gòu)的間距在10μm以上且50μm以下。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述界面過渡層具有圖案化的第三通孔結(jié)構(gòu)，所述金屬層通過所述第三通孔結(jié)構(gòu)與所述電流擴(kuò)展層相接觸；

所述第一絕緣層具有圖案化的第四通孔結(jié)構(gòu)，所述電流擴(kuò)展層至少覆蓋部分所述第一絕緣層靠近金屬層一側(cè)的表面，所述電流擴(kuò)展層通過所述第四通孔結(jié)構(gòu)與所述半導(dǎo)體外延疊層相接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一絕緣層包括至少覆蓋所述半導(dǎo)體外延疊層側(cè)壁的第一部分、以及至少覆蓋部分所述電流擴(kuò)展層表面的第二部分，所述第一部分與第二部分之間具有第一間隙；

所述金屬層的邊緣在垂直所述半導(dǎo)體外延疊層方向上的投影落在所述第一間隙內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述電流擴(kuò)展層的邊緣在垂直所述半導(dǎo)體外延疊層方向上的投影落在所述第一間隙內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一間隙的間距在4μm以上且20μm以下。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二部分具有圖案化的第五通孔結(jié)構(gòu)，部分所述金屬層通過部分第五通孔結(jié)構(gòu)與所述電流擴(kuò)展層接觸。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述金屬層在垂直所述半導(dǎo)體外延疊層方向上投影的邊緣與靠近所述金屬層一側(cè)的所述第一部分在垂直所述半導(dǎo)體外延疊層方向上投影的邊緣之間具有第二間隙。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二間隙的間距在0.5μm以上且5μm以下。