[發明專利]一種半導體工藝腔室及半導體處理設備

在審

• 申請號: 202210677055.0
• 申請日: 2022-06-14
• 公開（公告）號: CN115036240A
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發明（設計）人: 王錚
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 深圳市嘉勤知識產權代理有限公司 44651
• 代理人: 帥進軍

本申請公開了一種半導體工藝腔室及半導體處理設備，半導體工藝腔室包括腔室本體和設置于腔室本體頂部的介質窗；還包括加熱組件，設置在介質窗的頂面；加熱組件包括內熱風環、外熱風環和至少一個向內熱風環和外熱風環同時送風的進風管；內熱風環位于外熱風環的內圈內；內熱風環上設有第一排氣孔，外熱風環上設有第二排氣孔。本實施例通過內熱風環對介質窗靠近中心的區域進行加熱，外熱風環對介質窗靠近邊緣的區域進行加熱，內熱風環和外熱風環統一由進風管送風，為相同的熱源，由于去掉了原方案中介質窗外圈的環形加熱帶，減少了介質窗的熱源數量，在進行控制溫度時，只需要控制送風的溫度和送風流量，從而使介質窗的溫度控制過程更為簡單。

技術領域

本申請涉及半導體制造設備技術領域，具體涉及一種半導體工藝腔室及半導體處理設備。

背景技術

隨著工作時數的增加，半導體工藝腔室中刻蝕副產物會逐漸堆積在介質窗上，目前主要是通過提高介質窗的溫度來降低刻蝕副產物在介質窗上堆積的可能性。由于介質窗的溫度均勻性會影響刻蝕效果，因此，需要提高介質窗的溫度控制精度。

現有的一種半導體工藝腔室，介質窗的頂面設有熱風環，用于對介質窗靠近中心的區域進行加熱。介質窗的周向端面設有環形加熱帶，用于對介質窗靠近邊緣的區域進行加熱，并通過介質窗外圈的熱電偶測量介質窗的溫度來實現對介質窗的溫度控制。環形加熱帶的工作原理是電流通過電阻絲產生熱量，因此需對環形加熱帶進行接地處理，具體方法是在環形加熱帶與介質窗之間設置導電環，通過導電環接地，環形加熱帶以類似管箍的形式進行鎖緊，連帶導電環一起固定在介質窗的周向端面。

由于環形加熱帶和導電環存在加工和安裝誤差，環形加熱帶與介質窗之間可能存在間隙，會導致環形加熱帶各區域的加熱功率不一致，環形加熱帶與介質窗貼合良好的區域加熱功率低，與介質窗存在間隙的區域加熱功率高，并且環形加熱帶與熱風環屬于不同的熱源，也需要進行協調控制。因此，該半導體工藝腔室的溫度控制系統較為復雜。

發明內容

針對上述技術問題，本申請提供一種半導體工藝腔室及半導體處理設備，可以改善現有的半導體工藝腔室介質窗溫度控制較為復雜的問題。

為解決上述技術問題，第一方面，本申請實施例提供一種半導體工藝腔室，包括腔室本體和設置于所述腔室本體頂部的介質窗，所述半導體工藝腔室還包括：

加熱組件，設置在所述介質窗的頂面；所述加熱組件包括內熱風環、外熱風環和向所述內熱風環和所述外熱風環同時送風的進風管；所述外熱風環環繞設置于所述介質窗的邊緣，所述內熱風環位于所述外熱風環的內圈內；所述內熱風環上設有第一排氣孔，所述外熱風環上設有第二排氣孔。

可選的，所述進風管包括：

管道本體，一端設有進風口；

分隔部，設置于所述管道本體的通道內，將所述通道分隔為第一通道和第二通道，并且所述第一通道和所述第二通道均與所述進風口連通；

第一出風口，與所述第一通道連通，并與所述內熱風環連通；

第二出風口，與所述第二通道連通，并與所述外熱風環連通。

可選的，所述進風口、所述第一通道和所述第一出風口構成第一氣流通道，所述進風口、所述第二通道和所述第二出風口構成第二氣流通道；

所述第一氣流通道設置有第一閥門；

所述第二氣流通道設置有第二閥門。

可選的，所述內熱風環內設置有兩個第一隔板，將所述內熱風環分隔為兩個第一半熱風環，并且每個第一半熱風環上均設置有第一排氣孔；

所述外熱風環內設置有兩個第二隔板，將所述外熱風環分隔為兩個第二半熱風環，并且每個第二半熱風環上均設置有第二排氣孔；