[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體工藝腔室及半導(dǎo)體處理設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210677055.0 | 申請(qǐng)日: | 2022-06-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN115036240A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-09-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王錚 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 深圳市嘉勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44651 | 代理人: | 帥進(jìn)軍 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 半導(dǎo)體 工藝 處理 設(shè)備 | ||
1.一種半導(dǎo)體工藝腔室,包括腔室本體和設(shè)置于所述腔室本體頂部的介質(zhì)窗,其特征在于,所述半導(dǎo)體工藝腔室還包括:
加熱組件,設(shè)置在所述介質(zhì)窗的頂面;所述加熱組件包括內(nèi)熱風(fēng)環(huán)、外熱風(fēng)環(huán)和向所述內(nèi)熱風(fēng)環(huán)和所述外熱風(fēng)環(huán)同時(shí)送風(fēng)的進(jìn)風(fēng)管;所述外熱風(fēng)環(huán)環(huán)繞設(shè)置于所述介質(zhì)窗的邊緣,所述內(nèi)熱風(fēng)環(huán)位于所述外熱風(fēng)環(huán)的內(nèi)圈內(nèi);所述內(nèi)熱風(fēng)環(huán)上設(shè)有第一排氣孔,所述外熱風(fēng)環(huán)上設(shè)有第二排氣孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝腔室,其特征在于,所述進(jìn)風(fēng)管包括:
管道本體,一端設(shè)有進(jìn)風(fēng)口;
分隔部,設(shè)置于所述管道本體的通道內(nèi),將所述通道分隔為第一通道和第二通道,并且所述第一通道和所述第二通道均與所述進(jìn)風(fēng)口連通;
第一出風(fēng)口,與所述第一通道連通,并與所述內(nèi)熱風(fēng)環(huán)連通;
第二出風(fēng)口,與所述第二通道連通,并與所述外熱風(fēng)環(huán)連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體工藝腔室,其特征在于,所述進(jìn)風(fēng)口、所述第一通道和所述第一出風(fēng)口構(gòu)成第一氣流通道,所述進(jìn)風(fēng)口、所述第二通道和所述第二出風(fēng)口構(gòu)成第二氣流通道;
所述第一氣流通道設(shè)置有第一閥門;
所述第二氣流通道設(shè)置有第二閥門。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝腔室,其特征在于,所述內(nèi)熱風(fēng)環(huán)內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)第一隔板,將所述內(nèi)熱風(fēng)環(huán)分隔為兩個(gè)第一半熱風(fēng)環(huán),并且每個(gè)第一半熱風(fēng)環(huán)上均設(shè)置有第一排氣孔;
所述外熱風(fēng)環(huán)內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)第二隔板,將所述外熱風(fēng)環(huán)分隔為兩個(gè)第二半熱風(fēng)環(huán),并且每個(gè)第二半熱風(fēng)環(huán)上均設(shè)置有第二排氣孔;
所述進(jìn)風(fēng)管設(shè)置有兩個(gè),一個(gè)進(jìn)風(fēng)管同時(shí)向一個(gè)第一半熱風(fēng)環(huán)和一個(gè)第二半熱風(fēng)環(huán)送風(fēng),另一個(gè)進(jìn)風(fēng)管同時(shí)向另一個(gè)第一半熱風(fēng)環(huán)和另一個(gè)第二半熱風(fēng)環(huán)送風(fēng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝腔室,其特征在于,還包括:
調(diào)整支架,連接于所述腔室本體上方,所述介質(zhì)窗設(shè)置于所述調(diào)整支架上,并將所述腔室本體封蓋;
環(huán)形加熱帶,設(shè)置在所述調(diào)整支架的外側(cè)壁上,用于給所述調(diào)整支架加熱。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體工藝腔室,其特征在于,還包括線圈支架,所述線圈支架與所述調(diào)整支架連接,并壓蓋在所述內(nèi)熱風(fēng)環(huán)和所述外熱風(fēng)環(huán)上,以對(duì)所述內(nèi)熱風(fēng)環(huán)和所述外熱風(fēng)環(huán)進(jìn)行軸向位移的限位。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體工藝腔室,其特征在于,所述線圈支架與所述內(nèi)熱風(fēng)環(huán)、所述外熱風(fēng)環(huán)分別通過(guò)銷孔結(jié)構(gòu)配合,以對(duì)所述內(nèi)熱風(fēng)環(huán)和所述外熱風(fēng)環(huán)進(jìn)行周向轉(zhuǎn)動(dòng)的限位。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體工藝腔室,其特征在于,所述線圈支架朝向所述介質(zhì)窗的一側(cè)設(shè)有內(nèi)線圈和外線圈;
所述內(nèi)線圈位于所述內(nèi)熱風(fēng)環(huán)的環(huán)繞區(qū)域內(nèi),所述外線圈位于所述內(nèi)熱風(fēng)環(huán)和所述外熱風(fēng)環(huán)之間的環(huán)繞區(qū)域內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體工藝腔室,其特征在于,所述線圈支架與所述內(nèi)熱風(fēng)環(huán)通過(guò)O形密封圈彈性接觸;和/或,
所述線圈支架與所述外熱風(fēng)環(huán)通過(guò)O形密封圈彈性接觸。
10.一種半導(dǎo)體處理設(shè)備,其特征在于,包括權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體工藝腔室。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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