[發明專利]LIGBT器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202210670829.7
• 申請日: 2022-06-14
• 公開（公告）號: CN115000156A
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發明（設計）人: 呂偉杰;陳天;肖莉;王黎;陳華倫
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/08;H01L29/739;H01L21/331
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 焦健

1.一種LIGBT器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一具有阱區及漂移區的SOI襯底，所述SOI襯底由底部襯底層、中間埋氧層及頂部半導體層疊加而成，所述漂移區形成于所述頂部半導體層內，所述阱區形成于所述漂移區的表層中；

于所述漂移區內形成集電區，所述集電區形成于所述阱區的一側，包括緩沖區，形成于所述緩沖區表層中的集電極引出區及形成于所述緩沖區遠離所述阱區一側的集電極注入區；

于所述阱區的表層中形成至少一個發射極接觸區。

2.根據權利要求1所述的LIGBT器件的制備方法，其特征在于，于所述漂移區內形成所述集電區的方法包括：

通過離子注入工藝形成所述緩沖區、所述集電極引出區及所述集電極注入區。

3.根據權利要求2所述的LIGBT器件的制備方法，其特征在于，所述集電極引出區的離子摻雜類型與所述集電極注入區的離子摻雜類型相反。

4.根據權利要求1～3任一項所述的LIGBT器件的制備方法，其特征在于，所述緩沖區包括第一緩沖區及第二緩沖區，所述第一緩沖區通過離子注入工藝形成于所述漂移區內，所述第二緩沖區通過離子注入工藝形成于所述第一緩沖區內且與具有與所述第一緩沖區相反類型的離子摻雜。

5.根據權利要求1所述的LIGBT器件的制備方法，其特征在于，通過離子注入工藝形成所述發射極接觸區，且所述發射極接觸區的離子摻雜類型與所述集電極注入區的離子摻雜類型相同。

6.根據權利要求1所述的LIGBT器件的制備方法，其特征在于，在形成所述集電區之前，所述方法還包括于所述漂移區內形成第一溝槽柵極及第二溝槽柵極的步驟，其中，所述第一溝槽柵極形成于所述集電區與所述阱區之間并與所述阱區相貼設置，所述第二溝槽柵極形成于所述阱區遠離所述集電區的一側并與所述阱區相貼設置。

7.根據權利要求1所述的LIGBT器件的制備方法，其特征在于，所述方法還包括通過離子注入工藝于所述阱區的表層中形成體區引出區的步驟，此時，若所述發射極接觸區的數目至少為2，所述體區引出區形成于所述發射極接觸區之間，且所述體區引出區的離子摻雜類型與所述發射極接觸區的離子摻雜類型相反。

8.根據權利要求1所述的LIGBT器件的制備方法，其特征在于，所述方法還包括通過離子注入工藝于所述阱區的下方形成載流子存儲層的步驟，其中，所述載流子存儲層的離子摻雜類型與所述發射極接觸區的離子摻雜類型相同。

9.一種LIGBT器件，其特征在于，所述器件包括：

SOI襯底，所述SOI襯底由底部襯底層、中間埋氧層以及頂部半導體層疊加而成；

漂移區及阱區，所述漂移區形成于所述頂部半導體層內，所述阱區形成于所述漂移區的表層中；

集電區，形成于所述阱區的一側，包括緩沖區、集電極引出區及集電極注入區；

至少一個發射極接觸區，形成于所述阱區的表層中。

10.根據權利要求9所述的LIGBT器件，其特征在于，所述緩沖區包括第一緩沖區及第二緩沖區，所述第一緩沖區形成于所述漂移區內，所述第二緩沖區形成于所述第一緩沖區內。

11.根據權利要求9所述的LIGBT器件，其特征在于，所述器件包括：第一溝槽柵極和第二溝槽柵極，所述第一溝槽柵極形成于所述集電區與所述阱區之間，所述第二溝槽柵極形成于所述阱區遠離所述集電區的一側。

12.根據權利要求9所述的LIGBT器件，其特征在于，所述器件包括：載流子存儲層，形成于所述阱區的下方。

13.根據權利要求9所述的LIGBT器件，其特征在于，所述器件還包括體區引出區，形成于所述阱區的表層中，且與所述發射極接觸區相貼設置，若所述發射極接觸區的數目大于等于2，所述體區引出區設于所述發射極接觸區之間。