[發明專利]一種耐等離子體刻蝕絕緣介質板及其制備方法在審
| 申請號： | 202210667348.0 | 申請日： | 2022-06-13 |
| 公開（公告）號： | CN114900939A | 公開（公告）日： | 2022-08-12 |
| 發明（設計）人： | 陳旭東;馮峰;杜鵬程;田杏歡;成星;李慶 | 申請（專利權）人： | 重慶絲路智能制造研究院有限公司 |
| 主分類號： | H05H1/24 | 分類號： | H05H1/24 |
| 代理公司： | 深圳市精英專利事務所 44242 | 代理人： | 李瑩 |
| 地址： | 404100 重慶市南*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 等離子體 刻蝕 絕緣 介質 及其 制備 方法 | ||
1.一種耐等離子刻蝕絕緣介質板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、研磨絕緣介質板及制備薄膜材料；
S2、在絕緣介質板上噴涂薄膜材料；
S3、熱處理制得成品。
2.根據權利要求1所述耐等離子刻蝕的絕緣介質板的制備方法，其特征在于：所述步驟S1中，絕緣介質板雙面研磨。
3.根據權利要求1所述的耐等離子刻蝕的絕緣介質板制備方法，其特征在于：所述步驟S1中，利用磨料研磨絕緣介質板，所述磨料包括高硬度陶瓷粉、化學分散劑與去離子水。
4.根據權利要求3所述的耐等離子刻蝕絕緣介質板的制備方法，其特征在于：所述高硬度陶瓷粉、化學分散劑與去離子水的質量份數比為(0.3-0.6)：(0.1-0.2)：(0.5-0.9)，所述高硬度陶瓷粉的粒度為1-10微米。
5.根據權利要求1所述的耐等離子刻蝕絕緣介質板的制備方法，其特征在于：其特征在于：所述步驟S1中，所述薄膜材料包括基體和增強體，所述基體噴涂在絕緣介質板上，所述增強體噴涂在基體上。
6.根據權利要求5所述的耐等離子刻蝕絕緣介質板的制備方法，所述基體為納米氧化鋁溶膠，所述基體的成膜厚度為0.1-0.5㎜。
7.根據權利要求5所述的耐等離子刻蝕絕緣介質板的制備方法，其特征在于：所述增強體為Al2O3填充后的聚四氟乙烯，所述增強體的成膜厚度為0.1-0.5mm。
8.根據權利要求7所述的耐等離子刻蝕絕緣介質板的制備方法，其特征在于，所述增強體的制備方法為：
A1、硅烷偶聯劑對Al2O3進行表面改性；
A2、抽濾得到沉淀物，甲苯洗滌沉淀物后烘干，得到改性后的Al2O3；
A3、將改性后的Al2O3加入至聚四氟乙烯濃縮水分散液中，攪拌后制得增強體。
9.根據權利要求8所述的耐等離子刻蝕絕緣介質板的制備方法，其特征在于：所述改性Al2O3與聚四氟乙烯的重量比例為(60-80)：(20-40)。
10.根據權利要求1-9任意一項所述制備方法而制得的耐等離子刻蝕絕緣介質板。
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