[發明專利]一種耐等離子體刻蝕絕緣介質板及其制備方法

在審

• 申請號: 202210667348.0
• 申請日: 2022-06-13
• 公開（公告）號: CN114900939A
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發明（設計）人: 陳旭東;馮峰;杜鵬程;田杏歡;成星;李慶
• 申請（專利權）人: 重慶絲路智能制造研究院有限公司
• 主分類號: H05H1/24
• 分類號: H05H1/24
• 代理公司: 深圳市精英專利事務所 44242
• 代理人: 李瑩

本發明涉及高壓放電絕緣介質板技術領域，尤其涉及一種耐等離子體刻蝕的絕緣介質板及其制備方法，包括以下步驟：S1、研磨絕緣介質板及制備薄膜材料；S2、在絕緣介質板上噴涂薄膜材料；S3、熱處理制得成品。本發明中的絕緣介質板表面粗糙化處理后噴涂薄膜，能有效保護絕緣介質板材料不被等離子刻蝕和不被高壓擊穿。

技術領域

本發明涉及絕緣介質板的技術領域，尤其涉及一種耐等離子體刻蝕絕緣介質板及其制備方法。

背景技術

低溫等離子體技術是一個集物理學、化學、生物學和環境科學于一體的交叉綜合性技術，在空氣凈化、殺局消毒、除臭等方面得到了廣泛的應用。該技術顯著特點是對污染物兼具物理效應、化學效應和生物效應，且有能耗低、效率高、無二次污染等明顯優點。其凈化作用機理包含兩個方面：一是在產生等離子體的過程中，高頻放電所產生的瞬間高能破壞一些有害氣體分子內的化學鍵，使之分解為單質原子或無害分子；二是等離子體中包含大量的高能電子、正負離子、激發態粒子和具有強氧化性的自由基，這些活性粒子和部分臭氣分子碰撞結合，在電場作用下，使臭氣分子處于激發態。當臭氣分子獲得的能量大于其分子鍵能的結合能時，臭氣分子的化學鍵斷裂，直接分解成單質原子或由單一原子構成得無害氣體分子。同時產生的大量·OH、·HO2、·O等活性自由基和氧化性極強的O3，與有害氣體分子發生化學反應，最終生成無害產物。

在低溫等離子體中，引用最廣泛的是介質阻擋放電等離子體技術。從放電結構上講，介質阻擋放電裝置主要包含一個絕緣介質板和兩個放電電極，其產生等離子體的必要條件是需要耐高壓且介電常數穩定的絕緣介質材料，如陶瓷材料、無機復合材料和有機高分子等絕緣材料。陶瓷材料具有優良的耐壓性能及穩定性，但也有脆性大、異性件加工難度低的固有特性，對低溫等離子技術的發展阻力很大。無機復合材料和有機高分子等絕緣材料雖有好的耐壓性能和易加工性，但是在高能等離子體的作用下，其結構會被破壞，材料表面的穩定性隨著使用時間的增加逐漸變差，表面產生極強的親水性，對等離子體放電的穩定性產生很大的影響，絕緣介質的壽命隨之降低，等離子體設備的使用成本也隨之增大。

因此，亟需改善無機復合材料和有機高分子絕緣材料的性能，發展抗等離子刻蝕的絕緣介質板刻不容緩。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種耐等離子刻蝕絕緣介質板的制備方法。

為解決上述技術問題，本發明的目的是通過以下技術方案實現的：提供一種耐等離子刻蝕絕緣介質板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、研磨絕緣介質板及制備薄膜材料；

S2、在絕緣介質板上噴涂薄膜材料；

S3、熱處理制得成品。

優選地，所述步驟S1中，絕緣介質板雙面研磨。

優選地，所述步驟S1中，利用磨料研磨絕緣介質板，所述磨料包括高硬度陶瓷粉、化學分散劑與去離子水。

優選地，所述高硬度陶瓷粉、化學分散劑與去離子水的比例為(0.3-0.6)：(0.1-0.2)：(0.5-0.9)，所述高硬度陶瓷粉的粒度為1-10微米。

優選地，所述步驟S1中，所述薄膜材料包括基體和增強體，所述基體噴涂在絕緣介質板上，所述增強體噴涂在基體上。

優選地，所述基體為納米氧化鋁溶膠，所述基體的成膜厚度為0.1-0.5㎜。

優選地，所述增強體為Al₂O₃填充后的聚四氟乙烯，所述增強體的成膜厚度為0.1-0.5mm。

優選地，所述增強體的制備方法為：

A1、硅烷偶聯劑對A l₂O₃進行表面改性；