[發明專利]一種顯示面板、顯示面板的制作方法及顯示裝置在審
| 申請號: | 202210657407.6 | 申請日: | 2022-06-10 |
| 公開(公告)號: | CN115036331A | 公開(公告)日: | 2022-09-09 |
| 發明(設計)人: | 李佳翰;孫世成;卓永;劉菲;蔣文婭;王萍銀;于洋;劉余 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1368;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 馬敬;項京 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 制作方法 顯示裝置 | ||
本申請實施例提供了一種顯示面板,包括襯底基板和驅動電路層;驅動電路層位于襯底基板的一側,驅動電路層包括陣列分布的多個驅動電路,驅動電路包括有源層、第一絕緣層、柵極金屬層及源漏金屬層,源漏金屬層包括源極和漏極,源極通過第一過孔與有源層連接,漏極通過第二過孔與有源層連接;驅動電路還包括空穴復合層,空穴復合層位于有源層遠離襯底基板的一側且與有源層接觸連接,空穴復合層在襯底基板上的正投影位于第一過孔與第二過孔在襯底基板上的正投影之間,空穴復合層用于產生光生電子。本申請實施例提供的顯示面板、顯示面板的制作方法及顯示裝置,可以提顯示面板中驅動電路的電壓穩定性及光學穩定性,提高顯示面板的顯示效果。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,特別是涉及一種顯示面板、顯示面板的制作方法及顯示裝置。
背景技術
TFT(Thin Film Transistor,薄膜場效應晶體管)液晶顯示面板具有高亮度、高對比度、層次感強和顏色鮮艷等優點,在生活中具有廣泛應用。其中,MO-TFT(Metal OxideTFT,金屬氧化物薄膜晶體管)具有遷移率高、電學均勻性好、對可見光透明、制備溫度低和成本低等優點,被認為是適合驅動有機發光二極管(OLED)和高分辨率液晶顯示(LCD)的理想有源器件,并且是當前學界和業界的研究熱點。
相關技術中,MO-TFT顯示面板工作過程中,MO-TFT顯示面板中的驅動電路受到長時間負偏壓及光照作用下,可能會導致驅動電路存在閾值電壓漂移等現象,影響驅動電路的電壓穩定性及光學穩定性,影響顯示面板的顯示效果。
發明內容
本申請實施例的目的在于提供一種顯示面板、顯示面板的制作方法及顯示裝置,以提高顯示面板中驅動電路的電壓穩定性及光學穩定性,提高顯示面板的顯示效果。具體技術方案如下:
本申請第一方面的實施例提供了一種顯示面板,包括襯底基板和驅動電路層;所述驅動電路層位于所述襯底基板的一側,所述驅動電路層包括陣列分布的多個驅動電路,驅動電路包括有源層、第一絕緣層、柵極金屬層及源漏金屬層,所述源漏金屬層包括源極和漏極,所述源極通過第一過孔與所述有源層連接,所述漏極通過第二過孔與所述有源層連接;所述驅動電路還包括空穴復合層,所述空穴復合層位于所述有源層遠離所述襯底基板的一側且與所述有源層接觸連接,所述空穴復合層在所述襯底基板上的正投影位于所述第一過孔與所述第二過孔在所述襯底基板上的正投影之間,所述空穴復合層用于產生光生電子。
一些實施例中,所述柵極金屬層包括柵極,所述柵極在所述襯底基板上的正投影與所述空穴復合層在所述襯底基板上的正投影重疊。
一些實施例中,所述有源層的材料包括金屬氧化物。
一些實施例中,所述空穴復合層的材料包括苝酰亞胺。
一些實施例中,所述驅動電路還包括第二絕緣層、層間電介質層和鈍化層;所述第二絕緣層設置于所述柵極金屬層遠離所述襯底基板的一側;所述層間電介質層設置于所述第二絕緣層遠離所述襯底基板的一側;所述鈍化層設置于所述源漏金屬層遠離所述襯底基板的一側。
一些實施例中,所述顯示面板還包括發光層,所述發光層位于所述驅動電路層遠離所述襯底基板的一側,所述發光層包括與所述多個驅動電路對應設置的多個發光單元,發光單元包括沿遠離所述襯底基板的一側依次設置的陽極層、有機發光層和陰極層,所述陽極層與所述源極或所述漏極過孔連接。
一些實施例中,所述顯示面板還包括設置于所述驅動電路層遠離所述襯底基板一側的液晶層,所述液晶層包括多個液晶單元,所述多個液晶單元與所述多個驅動電路對應設置。
本申請第二方面的實施例提供了一種顯示面板的制作方法,包括:
提供一襯底基板;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





