[發明專利]液體處理設備

在審

• 申請號: 202210634416.3
• 申請日: 2022-06-06
• 公開（公告）號: CN115440622A
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發明（設計）人: 金芝鎬;金鐘翰;李住東;李周桓;李賢俊
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;F16K1/32;F16K1/36;F16K31/122
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 侯志源

本發明構思提供一種液體處理設備。液體處理設備包含：旋轉卡盤，配置為支承及旋轉基板；及液體供應單元，配置為向基板供應液體，且其中液體供應單元包含：噴嘴，配置為將液體排出至基板；流路管，配置為連接噴嘴及液體供應單元；閥組合件，設置在流路管處，且配置為截止及回吸流路管內的液體的流，其中，閥組合件包括：截止閥，配置為打開及關閉流路管內的處理液體的流；及回吸閥，設置成與截止閥的一端相鄰，且配置為回吸噴嘴的液體，其中，液體處理設備進一步包括：調整引入或流出截止閥的空氣的流速的第一流速控制器和調整引入或流出回吸閥的空氣的流速的第二流速控制器，且其中第二流速控制器將液體的回吸移動速度控制在10毫米/秒或更低。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2021年6月3日提交韓國專利局的、申請號為10-2021-0072353的韓國專利申請的優先權和權益，其全部內容通過引用結合在本申請中。

技術領域

本文描述的本發明構思的實施方案是關于一種用于用化學品處理基板的液體處理設備及用于處理基板的化學品的控制方法。

背景技術

通常，通過在基板上以薄膜的形式沉積各種材料且對沉積的材料進行圖案化來制造半導體裝置。為此，需要若干階段的不同工藝，諸如沉積工藝、攝影工藝、蝕刻工藝及清潔工藝。

在這些工藝中，蝕刻偵測為移除在基板上形成的膜的工藝，且清潔工藝為在制造半導體的每一單位工藝之后移除殘留在基板的表面上的污染物的工藝。蝕刻工藝及清潔工藝根據工藝進展方法分為濕法及干法，且濕法分為批處理式方法及旋轉式方法。

旋轉式方法將基板固定至能夠處理一個基板的支承單元，在旋轉基板的同時通過液體供應噴嘴向基板供應化學品(例如蝕刻液、清潔液或上升液)，從而利用離心力在基板的頂表面上散布化學品來清潔基板，且在清潔基板之后以各種方法干燥基板。

在旋轉式處理設備中，在旋轉基板的同時執行基板清潔，且歸因于在旋轉期間供應至基板的化學品及其他原因而產生靜電。此靜電影響暴露于噴嘴的一端的化學品。換言之，靜電導致形成噴嘴的一端的化學品的液滴，且導致諸如集中現象及環形形狀等特定缺陷。

發明內容

本發明構思的實施方案提供一種液體處理設備及液體控制方法，以用于提高基板處理效率。

本發明構思的實施方案提供一種液體處理設備及液體控制方法，以用于控制歸因于靜電引起的異常輻射現象的發生。

本發明構思的實施方案提供一種液體處理裝置及液體控制方法，以用于最小化歸因于在處理過程期間由管道排空而產生的煙霧或其類似者引起的管道污染。

本發明構思的實施方案提供一種液體處理設備及液體控制方法，以用于控制歸因于靜電引起的異常輻射現象的發生，靜電由低表面張力溶液產生。

本發明構思的技術目的不限于上述目的，且其他未提及的技術目的根據以下描述對于熟習此項技術者而言將為明顯的。

本發明構思提供一種液體處理設備。液體處理設備包含：旋轉卡盤，配置為支承及旋轉基板；及液體供應單元，配置為向基板供應液體，且其中液體供應單元包括：噴嘴，配置為將液體排出至基板；流路管，配置為連接噴嘴及液體供應單元；閥組合件，設置在流路管處，且配置為截止及回吸流路管內的液體的流，閥組合件包括：截止閥，配置為打開及關閉流路管內的處理液體的流；回吸閥，設置成與截止閥的一端相鄰，且配置為回吸噴嘴的液體；及第一流速控制器，配置為調整引入或流出截止閥的空氣的流速；及第二流速控制器，配置為調整引入或流出回吸閥的空氣的流速，且其中第二流速控制器將液體的回吸移動速度控制在10mm/s或更低。

在實施方案中，液體處理設備進一步包含空氣調節器，以用于將施加至回吸閥的氣壓調整至第一壓力或更低，且其中作為施加至回吸閥的氣壓的第一壓力與施加至截止閥的第二壓力不同。

在實施方案中，第一氣壓低于第二氣壓。