[發明專利]一種膜層生長設備及方法

有效

• 申請號: 202210630743.1
• 申請日: 2022-06-06
• 公開（公告）號: CN114703464B
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發明（設計）人: 宋宇;姜崴;柳雪
• 申請（專利權）人: 拓荊科技(北京)有限公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;C23C16/46
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 馬天琪

本申請提供一種膜層生長設備及方法，包括：反應腔室，反應腔室內具有基臺，基臺用于對放置于基臺上的待處理襯底進行加熱，反應腔室的側壁上設置有保溫部件和第一導熱部件，保溫部件為保溫材料，第一導熱部件為導熱材料，保溫部件位于第一導熱部件遠離反應腔室的底部一側，保溫部件位于反應腔室的側壁的上部，對應于形成膜層的上部區域，第一導熱部件位于反應腔室的側壁的下部，對應于不形成膜層的下部區域，即污染物顆粒從上部區域運動到下部區域，并附著在溫度較低的第一導熱部件表面，降低在形成膜層的上部區域的污染物顆粒的數量，最終降低形成膜層中的污染物顆粒的數量，提高膜層生長設備的成膜質量。

技術領域

本發明涉及半導體器件制造領域，特別涉及一種膜層生長設備及方法。

背景技術

在制備半導體器件的過程中，可以利用膜層生長設備形成半導體器件的某一層薄膜。膜層生長設備具有反應腔室，反應腔室內具有基臺，基臺上可以放置待處理襯底。在進行膜層生長時，首先向反應腔室內通入反應氣體，設定反應腔室內的反應條件，例如反應氣體通入速率、基臺溫度等，待腔室內的反應條件都趨于穩定之后，即向反應腔內開始通入反應氣體經過一段時間之后，在基臺上放置待處理襯底，以便利用反應氣體在待處理襯底上進行生長成膜。

但是膜層生長設備在使用過程中，由于其中的部件會受到工藝條件的影響，在最終形成的薄膜中會具有較多該部件受腐蝕之后的污染物顆粒，影響最終的薄膜質量。

發明內容

有鑒于此，本申請提供了一種膜層生長設備及方法，能夠降低薄膜中的污染物顆粒的數量，提高膜層生長設備的成膜質量。

本申請實施例提供一種膜層生長設備，包括：反應腔室，所述反應腔室內具有基臺；

所述基臺用于對放置于所述基臺上的待處理襯底進行加熱；

所述反應腔室的側壁上設置有保溫部件和第一導熱部件，所述保溫部件位于所述第一導熱部件遠離所述反應腔室的底部一側；所述保溫部件為保溫材料，所述第一導熱部件為導熱材料。

可選地，在垂直于所述反應腔室的底部的方向上，所述保溫部件遠離所述反應腔室的底部的一側至少高于所述基臺遠離所述反應腔室的底部的一側，所述保溫部件靠近所述反應腔室的底部的一側至少低于所述基臺靠近所述反應腔室的底部的一側。

可選地，所述保溫部件遠離所述反應腔室的底部的一側位于所述反應腔室的頂部，所述保溫部件靠近所述反應腔室的底部的一側低于所述基臺靠近所述反應腔室的底部的一側的距離范圍為15-30毫米。

可選地，所述保溫部件和所述第一導熱部件連接。

可選地，所述第一導熱部件靠近所述反應腔室的底部的一側位于所述反應腔室的底部。

可選地，還包括：

位于所述反應腔室的底部的第二導熱部件，所述第二導熱部件為導熱材料。

可選地，所述第一導熱部件和第二導熱部件連接。

可選地，所述保溫材料為氮化鋁和三氧化二鋁中的至少一種，所述導熱材料為鋁。

可選地，還包括：

位于所述反應腔室的頂部的噴淋上板，所述噴淋上板用于將反應氣體通入所述反應腔室；

所述噴淋上板位于所述基臺上方并與所述基臺上表面相對。

本申請實施例還提供一種膜層生長方法，應用于上述實施例所述的膜層生長設備，包括：

向反應腔室內通入反應氣體；

在基臺上放置待處理襯底進行加熱，并在所述待處理襯底上生長膜層。