[發明專利]一種膜層生長設備及方法有效
| 申請號： | 202210630743.1 | 申請日： | 2022-06-06 |
| 公開（公告）號： | CN114703464B | 公開（公告）日： | 2022-08-23 |
| 發明（設計）人： | 宋宇;姜崴;柳雪 | 申請（專利權）人： | 拓荊科技(北京)有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/458 | 分類號： | C23C16/458;C23C16/46 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 馬天琪 |
| 地址： | 100176 北京市大興區經*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 生長 設備 方法 | ||
1.一種膜層生長設備，其特征在于，包括：反應腔室，所述反應腔室內具有基臺；
所述基臺用于對放置于所述基臺上的待處理襯底進行加熱；
所述反應腔室的側壁上設置有保溫部件和第一導熱部件，所述保溫部件位于所述第一導熱部件遠離所述反應腔室的底部一側；所述保溫部件為保溫材料，所述第一導熱部件為導熱材料；
在垂直于所述反應腔室的底部的方向上，所述保溫部件遠離所述反應腔室的底部的一側至少高于所述基臺遠離所述反應腔室的底部的一側，所述保溫部件靠近所述反應腔室的底部的一側至少低于所述基臺靠近所述反應腔室的底部的一側。
2.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，所述保溫部件遠離所述反應腔室的底部的一側位于所述反應腔室的頂部，所述保溫部件靠近所述反應腔室的底部的一側低于所述基臺靠近所述反應腔室的底部的一側的距離范圍為15-30毫米。
3.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，所述保溫部件和所述第一導熱部件連接。
4.根據權利要求3所述的設備，其特征在于，所述第一導熱部件靠近所述反應腔室的底部的一側位于所述反應腔室的底部。
5.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，還包括：
位于所述反應腔室的底部的第二導熱部件，所述第二導熱部件為導熱材料。
6.根據權利要求5所述的設備，其特征在于，所述第一導熱部件和第二導熱部件連接。
7.根據權利要求1-6任意一項所述的設備，其特征在于，所述保溫材料為氮化鋁和三氧化二鋁中的至少一種，所述導熱材料為鋁。
8.根據權利要求1-6任意一項所述的設備，其特征在于，還包括：
位于所述反應腔室的頂部的噴淋上板，所述噴淋上板用于將反應氣體通入所述反應腔室；
所述噴淋上板位于所述基臺上方并與所述基臺上表面相對。
9.一種膜層生長方法，其特征在于，應用于權利要求1-8任意一項所述的膜層生長設備，包括：
向反應腔室內通入反應氣體；
在基臺上放置待處理襯底進行加熱，并在所述待處理襯底上生長膜層。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
