[發明專利]抗蝕劑膜的形成方法及抗蝕劑膜在審
| 申請號: | 202210628366.8 | 申請日: | 2022-06-06 |
| 公開(公告)號: | CN115497839A | 公開(公告)日: | 2022-12-20 |
| 發明(設計)人: | 池田梢 | 申請(專利權)人: | 富士膠片株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 張志楠;龐東成 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 抗蝕劑膜 形成 方法 | ||
本發明涉及抗蝕劑膜的形成方法及抗蝕劑膜,所述抗蝕劑膜通過上述抗蝕劑膜的形成方法形成。上述抗蝕劑膜的形成方法使用了在常溫下高粘度且因加熱而上述粘度降低的抗蝕劑,上述抗蝕劑膜的形成方法能夠形成膜厚為300μm以上且面內膜厚變動在10%以內的抗蝕劑膜。上述抗蝕劑膜的形成方法包括:工序A,在基材上賦予23℃下的粘度為1000mPa·s~30000mPa·s的抗蝕劑,從而形成上述抗蝕劑膜;工序B,對配置在由限制上述抗蝕劑流出的限制部件包圍的區域內的上述抗蝕劑膜進行熱處理;及工序C,隔著片材對配置在通過設置將上述抗蝕劑膜調整為所期望厚度的調整部件而形成的區域內的、上述熱處理后的上述抗蝕劑膜進行熱壓。
技術領域
本發明涉及一種抗蝕劑膜的形成方法及抗蝕劑膜。
背景技術
以往,已知有一種形成厚膜的抗蝕劑膜的方法。
例如,在專利文獻1中公開了一種形成厚膜的抗蝕劑膜的方法,其包括:在基板上,通過旋涂法涂布抗蝕劑溶液而形成涂布膜;通過加熱上述涂布膜而去除溶劑,從而得到抗蝕劑膜;在上述基板的周圍配置與所需抗蝕劑膜厚相同厚度的間隔件之后,再次加熱上述抗蝕劑膜;及使用玻璃基板對因加熱而軟化的抗蝕劑膜進行沖壓。在專利文獻1中記載有通過上述方法形成了膜厚為250μm的厚膜的負性抗蝕劑。
專利文獻1:日本特開2007-207969號公報
近年來,使用在常溫下具有高粘度且因加熱而上述粘度降低的抗蝕劑形成抗蝕劑膜。在專利文獻1中也使用玻璃化轉變溫度為40℃~50℃且因稍微加熱而軟化的抗蝕劑溶液。
作為具有如上所述特性的代表性抗蝕劑,已知有Nippon Kayaku Co.,Ltd.制造的SU-8〔產品系列名稱〕。根據SU-8,能夠形成厚膜的抗蝕劑膜。然而,若使用SU-8形成抗蝕劑膜,則因預烘烤(所謂的用于去除溶劑的熱處理)時的加熱而抗蝕劑流動,因此最終得到的抗蝕劑膜的厚度比預想的薄,并且可能產生面內膜厚變動變大的問題。
發明內容
本發明的一種實施方式要解決的課題是提供一種抗蝕劑膜的形成方法,其使用在常溫下具有高粘度且因加熱而上述粘度降低的抗蝕劑,在上述抗蝕劑膜的形成方法中,能夠形成膜厚為300μm以上且面內膜厚變動在10%以內的抗蝕劑膜。
本發明的另一種實施方式要解決的課題是提供一種抗蝕劑膜,其通過上述抗蝕劑膜的形成方法而形成。
在用于解決上述課題的具體方法中包括以下實施方式。
[1]一種抗蝕劑膜的形成方法,其包括:
工序A,在基板上賦予23℃下的粘度為1000mPa·s~30000mPa·s的抗蝕劑,從而形成上述抗蝕劑膜;
工序B,對配置在由限制上述抗蝕劑流出的限制部件包圍的區域內的上述抗蝕劑膜進行熱處理;及
工序C,隔著片材對配置在通過設置將上述抗蝕劑膜調整為所期望厚度的調整部件而形成的區域內的、上述熱處理后的上述抗蝕劑膜進行熱壓。
[2]根據[1]所述的抗蝕劑膜的形成方法,其中,上述工序C中的上述片材的上述抗蝕劑膜側的表面的算術平均粗糙度Ra為10μm以下。
[3]根據[1]或[2]所述的抗蝕劑膜的形成方法,其中,上述工序C中的上述片材的楊氏模量為40MPa~5500MPa。
[4]根據[1]~[3]中任一項所述的抗蝕劑膜的形成方法,其中,上述工序C中的上述調整部件與上述熱處理后的上述抗蝕劑膜在面內方向上隔開間隔地配置。
[5]根據[1]~[4]中任一項所述的抗蝕劑膜的形成方法,其中,在上述工序B中,通過逐級地或連續地提高上述抗蝕劑膜的溫度,使上述抗蝕劑的粘度為5000mPa·s以下。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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