[發明專利]半導體封裝件在審
| 申請號: | 202210628354.5 | 申請日: | 2022-06-06 |
| 公開(公告)號: | CN115497897A | 公開(公告)日: | 2022-12-20 |
| 發明(設計)人: | 洪鐘波;陳華日;樸商植 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/48 | 分類號: | H01L23/48;H01L23/482;H01L25/16;H01L25/18;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;劉燦強 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 | ||
公開了半導體封裝件。半導體封裝件包括位于第一裸片與第二裸片之間的連接端子。第一裸片具有信號區域和外圍區域,并且在外圍區域上包括第一過孔。第二裸片位于第一裸片上并且在與第一過孔對應的位置上具有第二過孔。連接端子將第二過孔連接到第一過孔。外圍區域包括與第一裸片的拐角相鄰的第一區域和與第一裸片的側表面相鄰的第二區域。連接端子包括位于第一區域上的第一連接端子和位于第二區域上的第二連接端子。在第一區域上的每單位面積的第一連接端子的面積的總和大于在多個第二區域上的每單位面積的第二連接端子的面積的總和。
本申請要求于2021年6月17日在韓國知識產權局提交的第10-2021-0078746號韓國專利申請的優先權,該韓國專利申請的公開內容通過引用全部包含于此。
技術領域
發明構思涉及一種半導體封裝件以及一種制造半導體封裝件的方法,更具體地,涉及一種堆疊半導體封裝件以及一種制造堆疊半導體封裝件的方法。
背景技術
當今電子工業的趨勢是以合理的價格制造輕質、緊湊、高速、多功能和高性能的產品??梢允褂枚嘈酒询B封裝技術或系統級封裝技術來符合這些趨勢。關于多芯片堆疊封裝件或系統級封裝件,一個半導體封裝件可以執行多個單元半導體器件的功能。盡管多芯片堆疊封裝件或系統級封裝件會比典型的單芯片封裝件稍厚,但是它們具有類似于單芯片封裝的平面尺寸的平面尺寸,因此主要用于高端、緊湊和便攜式產品(諸如移動電話、膝上型計算機、存儲器卡或便攜式攝像機)。會需要各種研究來增強半導體封裝件的性能。具體地,為了在使用引線接合技術的半導體封裝件中的高性能,已經提出使用貫穿硅過孔(TSV,又稱為硅通孔)技術。
堆疊型多芯片半導體封裝件使用電路層、貫穿電極、焊料凸塊和/或間隙填充來將芯片彼此堆疊。芯片集成度的提高會引起設置在芯片之間的焊料凸塊的量的增多,并且這種趨勢會導致許多問題。
發明內容
發明構思的一些示例實施例可以提供一種具有增加的結構穩定性的半導體封裝件以及一種制造半導體封裝件的方法。
發明構思的一些示例實施例可以提供一種具有減少的缺陷的半導體封裝件和一種制造半導體封裝件的方法。
根據發明構思的一些示例實施例,一種半導體封裝件可以包括:第一裸片,具有信號區域和圍繞信號區域的外圍區域,第一裸片在外圍區域上包括多個第一過孔;第二裸片,位于第一裸片上并且在外圍區域上具有多個第二過孔,所述多個第二過孔位于與所述多個第一過孔的位置對應的位置上;以及多個連接端子,位于第一裸片與第二裸片之間。連接端子可以將所述多個第二過孔連接到所述多個第一過孔。外圍區域可以包括當在平面圖中觀看時與第一裸片的拐角相鄰的多個第一區域和當在平面圖中觀看時與第一裸片的側表面相鄰的多個第二區域。所述多個連接端子可以包括位于所述多個第一區域上的多個第一連接端子和位于所述多個第二區域上的多個第二連接端子。在所述多個第一區域上的每單位面積的所述多個第一連接端子的面積的總和可以大于在所述多個第二區域上的每單位面積的所述多個第二連接端子的面積的總和。
根據發明構思的一些示例實施例,一種半導體封裝件可以包括:基底;多個裸片,豎直堆疊在基底上;底部填料,填充所述多個裸片之間的空間;模制層,位于基底上并且覆蓋所述多個裸片;以及多個外部端子,位于基底的底表面上。所述多個裸片中的每個可以包括:多個過孔,豎直穿透所述多個裸片;多個信號端子,位于所述多個裸片的信號區域上且結合到所述多個過孔;以及多個電力/地端子,位于圍繞信號區域的外圍區域上。所述多個電力/地端子可以結合到所述多個過孔。外圍區域上的每單位面積的所述多個電力/地端子的數量隨著沿著所述多個裸片的側表面距所述多個裸片的拐角的距離增大而減小。
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