[發明專利]抗蝕劑膜的形成方法在審
| 申請號: | 202210627987.4 | 申請日: | 2022-06-06 |
| 公開(公告)號: | CN115497838A | 公開(公告)日: | 2022-12-20 |
| 發明(設計)人: | 池田梢 | 申請(專利權)人: | 富士膠片株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 張志楠;龐東成 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 抗蝕劑膜 形成 方法 | ||
本發明提供一種抗蝕劑膜的形成方法,其使用了在常溫下具有高粘度且因加熱而上述粘度降低的抗蝕劑,在所述抗蝕劑膜的形成方法中,能夠形成氣泡減少的抗蝕劑膜。所述抗蝕劑膜的形成方法包括:工序A,在基板上賦予23℃下的粘度為1000mPa·s~30000mPa·s的抗蝕劑,從而形成上述抗蝕劑膜;及工序B,對上述抗蝕劑膜進行熱處理,上述工序B包括:工序B?1,通過逐級地或連續地提高上述抗蝕劑膜的溫度而降低上述抗蝕劑的粘度;及工序B?2,在真空環境下加熱粘度為5000mPa·s以下的上述抗蝕劑膜。
技術領域
本發明涉及一種抗蝕劑膜的形成方法。
背景技術
以往,使用在常溫下具有高粘度且因加熱而粘度降低的抗蝕劑形成抗蝕劑膜。
例如,在專利文獻1中公開了一種抗蝕劑膜的形成方法,其包括:在基板上,通過旋涂法涂布玻璃化轉變溫度為40℃~50℃且因稍微加熱而軟化的抗蝕劑溶液,從而形成涂布膜;通過加熱上述涂布膜而去除溶劑,從而得到抗蝕劑膜;在上述基板的周圍配置與所需抗蝕劑膜厚相同厚度的間隔件之后,再次加熱上述抗蝕劑膜;及使用玻璃基板對因加熱而軟化的抗蝕劑膜進行沖壓。
專利文獻1:日本特開2007-207969號公報
在高粘度抗蝕劑中,一旦氣泡混入到抗蝕劑中,氣泡就不易逸出。并且,若使因加熱而粘度降低的高粘度抗蝕劑的溫度從高粘度狀態急劇上升,則容易產生氣泡。根據這種情況,在使用在常溫下具有高粘度且因加熱而上述粘度降低的抗蝕劑形成的抗蝕劑膜中,有確認到較多的氣泡的傾向。若在抗蝕劑膜中存在氣泡,則例如在抗蝕劑是光致抗蝕劑的情況下,可能產生當曝光抗蝕劑膜時光散射的問題。
關于上述問題,在專利文獻1中,當形成抗蝕劑膜時,使用在常溫下具有高粘度且因加熱而粘度降低的抗蝕劑,卻未關注到氣泡問題。
發明內容
本發明的一種實施方式要解決的課題是提供一種抗蝕劑膜的形成方法,其使用了在常溫下具有高粘度且因加熱而上述粘度降低的抗蝕劑,在所述抗蝕劑膜的形成方法中,能夠形成氣泡減少的抗蝕劑膜。
在用于解決上述課題的具體方法中包括以下實施方式。
[1]一種抗蝕劑膜的形成方法,其包括:
工序A,在基板上賦予23℃下的粘度為1000mPa·s~30000mPa·s的抗蝕劑,從而形成上述抗蝕劑膜;
工序B,對上述抗蝕劑膜進行熱處理,
上述工序B包括:工序B-1,通過逐級地或連續地提高上述抗蝕劑膜的溫度而降低上述抗蝕劑的粘度;及工序B-2,在真空環境下加熱粘度為5000mPa·s以下的上述抗蝕劑膜。
[2]根據[1]所述的抗蝕劑膜的形成方法,其中,上述工序B包括將經過工序B-2的上述抗蝕劑膜在大氣壓下進一步加熱的工序B-3。
[3]根據[1]或[2]所述的抗蝕劑膜的形成方法,其包括逐級地或連續地降低經過上述工序B的上述抗蝕劑膜的溫度的工序C。
[4]根據[3]所述的抗蝕劑膜的形成方法,其中,在上述工序C中,使經過上述工序B的上述抗蝕劑膜的溫度以5℃/分鐘的降溫速度降溫。
發明效果
根據本發明的一種實施方式,提供一種抗蝕劑膜的形成方法,其使用了在常溫下具有高粘度且因加熱而上述粘度降低的抗蝕劑,在上述抗蝕劑膜的形成方法中,能夠形成氣泡減少的抗蝕劑膜。
附圖說明
圖1A是表示通過實施例1的方法形成的抗蝕劑膜的照片。
圖1B是表示通過比較例1的方法形成的抗蝕劑膜的照片。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





