[發明專利]抗蝕劑膜的形成方法在審
| 申請號： | 202210627987.4 | 申請日： | 2022-06-06 |
| 公開（公告）號： | CN115497838A | 公開（公告）日： | 2022-12-20 |
| 發明（設計）人： | 池田梢 | 申請（專利權）人： | 富士膠片株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/56 | 分類號： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 張志楠;龐東成 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 抗蝕劑膜 形成 方法 | ||
1.一種抗蝕劑膜的形成方法，其包括：
工序A，在基板上賦予23℃下的粘度為1000mPa·s～30000mPa·s的抗蝕劑，從而形成所述抗蝕劑的膜；
工序B，對所述抗蝕劑的膜進行熱處理，
所述工序B包括：工序B-1，通過逐級地或連續地提高所述抗蝕劑的膜的溫度而降低所述抗蝕劑的粘度；及工序B-2，在真空環境下加熱粘度為5000mPa·s以下的所述抗蝕劑的膜。
2.根據權利要求1所述的抗蝕劑膜的形成方法，其中，
所述抗蝕劑的23℃下的粘度為5000mPa·s～30000mPa·s。
3.根據權利要求1所述的抗蝕劑膜的形成方法，其中，
所述工序B-1中，逐級地提高所述抗蝕劑的膜的溫度。
4.根據權利要求1所述的抗蝕劑膜的形成方法，其中，
所述工序B-1中，將所述抗蝕劑的膜的溫度提高到50℃～70℃之后提高到90℃～130℃。
5.根據權利要求1所述的抗蝕劑膜的形成方法，其中，
所述工序B-1中，以70℃/分鐘以下的升溫速度連續地提高所述抗蝕劑的膜的溫度。
6.根據權利要求1所述的抗蝕劑膜的形成方法，其中，
所述工序B-2中的加熱溫度為70℃～130℃。
7.根據權利要求1所述的抗蝕劑膜的形成方法，其中，
所述工序B包括：工序B-3，將經過工序B-2的所述抗蝕劑的膜在大氣壓下進一步加熱。
8.根據權利要求7所述的抗蝕劑膜的形成方法，其中，
所述工序B-3中的加熱溫度為70℃～130℃。
9.根據權利要求7所述的抗蝕劑膜的形成方法，其中，
所述工序B-3中的加熱溫度大于或等于所述工序B-2中的加熱溫度。
10.根據權利要求1至9任一項所述的抗蝕劑膜的形成方法，其中，
所述形成方法包括：工序C，逐級地或連續地降低經過所述工序B的所述抗蝕劑的膜的溫度。
11.根據權利要求10所述的抗蝕劑膜的形成方法，其中，
在所述工序C中，使經過所述工序B的所述抗蝕劑的膜的溫度以5℃/分鐘以下的降溫速度降溫。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
