[發明專利]一種電壓控制振蕩器電路及其操作方法在審
| 申請號: | 202210627598.1 | 申請日: | 2022-06-01 |
| 公開(公告)號: | CN115051649A | 公開(公告)日: | 2022-09-13 |
| 發明(設計)人: | 蔡榮洪;蔡欽洪;汪平 | 申請(專利權)人: | 深圳揚興科技有限公司 |
| 主分類號: | H03B5/12 | 分類號: | H03B5/12;H03B5/04 |
| 代理公司: | 深圳星啟航知識產權代理有限公司 44821 | 代理人: | 楊芳 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍華區民治街道北站社區匯德大廈1號樓1901、1904(在深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電壓 控制 振蕩器 電路 及其 操作方法 | ||
1.一種電壓控制振蕩器電路,其特征在于,包括:
振蕩器電路;對振蕩調節電路施加的電壓調節電路;
一種用于控制所述振蕩器電路的振蕩的調諧電路,其中所述調諧電路包括耦合到調諧電壓源的電壓控制電容器;
其中所述調諧電壓源適于控制所述電容的電容和所述振蕩器電路的振蕩頻率:
其中所述電壓控制電容器包括低vtFET器件;
其中所述振蕩器電路包括交叉耦合晶體管和LC的諧振電路;
其中所述交叉耦合的晶體管包括FET器件;
其中所述電壓調節器電路包括一個串聯電壓調節器,其中包括:
耦合在電源電壓和所述振蕩器電路之間的串聯調節器晶體管;
差分放大器,其包括:一個耦合到參考電壓的第一輸入端,耦合到電壓調節器電路的輸出的第二輸入,以及一種耦合到串聯調節器晶體管的控制輸入端的輸出端;
其中所述串聯調節器晶體管包括一個FET器件;
其中所述交叉耦合的晶體管包括FET器件;
其中所述低vtFET器件包括零vtFET器件。
2.根據權利要求1所述的一種電壓控制振蕩器電路,其特征在于,還包括一個耦合到該振蕩器電路的輸出端的緩沖電路;
所述緩沖電路包括一個耦合到該振蕩器電路的輸出的差分放大器。
3.根據權利要求1所述的一種電壓控制振蕩器電路,其特征在于:所述振蕩器電路被設置為在適于CMOS設備操作的電源電壓下工作;
所述振蕩器電路被安排在基本上1.2V的電壓下工作;
所述振蕩器電路被安排成以基本上為5GHz的振蕩頻率工作。
4.一種集成電路,包括如權利要求1所述的振蕩器電路。
5.一種操作電壓控制振蕩器的方法,包括:
提供適于執行振蕩的振蕩器電路;
通過電壓調節器電路調節施加于振蕩器電路的電壓;以及
具有電壓控制調諧電路的振蕩器電路的調諧振蕩,其中電壓控制調諧電路包括電容器,其中電容器包括低vtMOS晶體管器件,其中調諧包括控制電容接收的電壓,從而控制振蕩器電路的振蕩頻率;
所述振蕩器電路包括由交叉耦合晶體管和LC電路組成的諧振器電路;
所述交叉耦合晶體管包括FET器件。
6.根據權利要求5所述的一種操作電壓控制振蕩器的方法,其特征在于,所述電壓調節器電路包括:
將電源電壓導向耦合在電源電壓和振蕩器電路之間的串聯調節器晶體管;
對差分放大器的第一輸入端施加參考電壓,所述差分放大器具有耦合到電壓調節器電路的輸出的第二輸入,以及耦合到串聯調節器晶體管的控制輸入的輸出;
其中,將所述串聯調節器晶體管操作為電壓跟隨電路中的串聯元件,允許與所述振蕩器電路的公共連接偏置,從而在所述基準電壓下調節所述公共連接處的電壓;
其中所述串聯調節器晶體管包括一個FET器件;
其中所述交叉耦合晶體管包括CMOSFET器件;
其中所述低vtFET器件包括零vtFET器件。
7.根據權利要求5所述的一種操作電壓控制振蕩器的方法,其特征在于,還包括提供一個耦合到振蕩器電路輸出的緩沖電路;
其中所述緩沖電路包括一個耦合到該振蕩器電路的輸出的差分放大器;
其中所述振蕩器電路在適合于CMOS電路操作的電源電壓下工作;
其中所述振蕩器電路在基本上為1.2V的電壓下工作;
其中所述振蕩器電路工作在基本上為5GHz的振蕩頻率下。
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