[發明專利]一種電壓控制振蕩器電路及其操作方法

在審

• 申請號: 202210627598.1
• 申請日: 2022-06-01
• 公開（公告）號: CN115051649A
• 公開（公告）日: 2022-09-13
• 發明（設計）人: 蔡榮洪;蔡欽洪;汪平
• 申請（專利權）人: 深圳揚興科技有限公司
• 主分類號: H03B5/12
• 分類號: H03B5/12;H03B5/04
• 代理公司: 深圳星啟航知識產權代理有限公司 44821
• 代理人: 楊芳

本發明公開了一種電壓控制振蕩器電路及其操作方法，涉及電壓控制振蕩器技術領域，具體為一種電壓控制振蕩器電路及其操作方法，包括：振蕩器電路；對振蕩調節電路施加的電壓調節電路；一種用于控制所述振蕩器電路的振蕩的調諧電路，其中所述調諧電路包括耦合到調諧電壓源的電壓控制電容器；其中所述調諧電壓源適于控制所述電容的電容和所述振蕩器電路的振蕩頻率：其中所述電壓控制電容器包括低vtFET器件；其中所述振蕩器電路包括交叉耦合晶體管和LC的諧振電路；其中所述交叉耦合的晶體管包括FET器件。本發明使用低或零VfNFETs來形成電容器調諧元件，有助于為振蕩器使用較低的電源電壓。

技術領域

本發明涉及電壓控制振蕩器技術領域，具體為一種電壓控制振蕩器電路及其操作方法。

背景技術

高頻壓控振蕩器常用于射頻電路設計。通常有一種電壓控制的CMOS振蕩器，其中兩個連接在兩個MOS管子的漏極之間的并聯LC電路的交叉耦合CMOS逆變器的振蕩頻率可以通過改變LC電路的電容的控制電壓來改變；然而，由于振蕩器的供應用于調諧振蕩器，后續級與振蕩器的連接受到阻礙，振蕩器的調諧受到提供中噪聲的影響，振蕩器提供不容易與芯片供應去耦。

另有一種基于差動LC壓控CMOS振蕩器，具有電荷泵和回路濾波器結構。然而，這個振蕩器很容易受到電源中的噪聲的影響。此外，下一級與振蕩器的連接會影響振蕩器的工作點。

通常有一種使用MOS電容的電容補償技術，此外，已知的電壓控制CMOS振蕩器存在以下一種或多種缺點：

1、在低電源電壓(如1.8V)下實施較難；

2、耦合振蕩器輸出在降低電源電壓時達到所需的調諧范圍困難。

針對上述問題，我們提供了。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明提供了一種電壓控制振蕩器電路及其操作方法，解決了上述背景技術中提出現有的的問題。

為實現以上目的，本發明通過以下技術方案予以實現：一種電壓控制振蕩器電路，包括：

振蕩器電路；對振蕩調節電路施加的電壓調節電路；

一種用于控制所述振蕩器電路的振蕩的調諧電路，其中所述調諧電路包括耦合到調諧電壓源的電壓控制電容器；

其中所述調諧電壓源適于控制所述電容的電容和所述振蕩器電路的振蕩頻率：

其中所述電壓控制電容器包括低vtFET器件；

其中所述振蕩器電路包括交叉耦合晶體管和LC的諧振電路；

其中所述交叉耦合的晶體管包括FET器件；

其中所述電壓調節器電路包括一個串聯電壓調節器，其中包括：

耦合在電源電壓和所述振蕩器電路之間的串聯調節器晶體管；

差分放大器，其包括：一個耦合到參考電壓的第一輸入端，耦合到電壓調節器電路的輸出的第二輸入，以及一種耦合到串聯調節器晶體管的控制輸入端的輸出端；

其中所述串聯調節器晶體管包括一個FET器件；

其中所述交叉耦合的晶體管包括FET器件；

其中所述低vtFET器件包括零vtFET器件。

一種電壓控制振蕩器電路，還包括一個耦合到該振蕩器電路的輸出端的緩沖電路；

所述緩沖電路包括一個耦合到該振蕩器電路的輸出的差分放大器。

可選的，所述振蕩器電路被設置為在適于CMOS設備操作的電源電壓下工作；

所述振蕩器電路被安排在基本上1.2V的電壓下工作；