[發明專利]一種鈮酸鋰單面拋光片背面不良的返工方法

有效

• 申請號: 202210620244.4
• 申請日: 2022-06-02
• 公開（公告）號: CN114695643B
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發明（設計）人: 徐秋峰;濮思麒;沈浩;張忠偉;錢煜;張偉明;汪萬盾;曹煥
• 申請（專利權）人: 天通控股股份有限公司
• 主分類號: H01L41/337
• 分類號: H01L41/337;H01L21/683
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種鈮酸鋰單面拋光片背面不良的返工方法，包括如下步驟：將鈮酸鋰單面拋光片進行檢驗，將檢驗出背面不良的晶片進行標記；將標記的晶片放入堿性清洗液中超聲清洗；將清洗后的晶片拋光面進行貼膜；將兩片貼膜后晶片的貼膜面粘合，獲得粘合工件；將粘合工件進行雙面研磨；將研磨后的粘合工件清洗并脫膜。本發明通過工藝改進，提高產品良品率，返工后的單面拋光片具有背面粗糙度一致性好、平坦度指標高、加工效率高、生產成本低、工藝易實現和易監控等特點，能夠滿足產業化大規模批生產的要求。

技術領域

本發明涉及鈮酸鋰晶體材料，特別是一種鈮酸鋰單面拋光片背面不良的返工方法，提高了鈮酸鋰單面拋光片背面不良的返工質量和加工效率，有利于節約生產成本，適合產業化推廣。

背景技術

鈮酸鋰（LiNbO₃，以下簡稱LN）是一種化學物質，屬三方晶系，鈦鐵礦型(畸變鈣鈦礦型)結構，相對密度4.30g/cm³，莫氏硬度5，居里點1140℃，是集壓電、鐵電、熱釋電、非線性、光電、光彈、光折變等功能于一體的多功能材料。LN因其卓越的物理特性，得到了越來越多的關注，在航空、航天、民用光電產品等領域得到廣泛應用。其中，作為壓電晶體材料,經過退火、極化、定向、切割、滾圓、做基準面、多線切割、研磨、減薄、拋光等工序制作的鈮酸鋰晶片具有優良的壓電性能，可作為襯底片制作聲表面波（SAW）和體波（BAW）器件。然而，與硅晶體和藍寶石晶體相比，鈮酸鋰的斷裂韌性和硬度更低，例如其斷裂韌性是硅的三分之一、藍寶石的十分之一，因此鈮酸鋰晶體在加工過程中比硅晶體和藍寶石晶體更易受損。

鈮酸鋰在單面拋光過程中產生的背面不良如背面劃傷、花斑、臟污、厚度薄等背面不良，可以通過返工處理重新獲得合格的單面拋光片，從而減少材料浪費，降低成本。傳統的鈮酸鋰背面不良解決方法通常以雙面研磨將拋光面返工成研磨面，再將研磨面重新減薄拋光，返工流程長，返工去除量多，導致晶片厚度不達標，碎片率高、平坦度差等不良。因此，十分有必要提出一種鈮酸鋰單面拋光片背面不良的返工方法，不僅可以實現去除量少、碎片率低、平坦度高的返工要求，還可避免了其他不良的產生，提升返工效率，降低晶片廢品率，大幅度降低企業的返工成本。

公開號為CN107088793A發明專利公開了一種聲表面波器件單面拋光襯底片制備方法，主要采用水溶性粘接劑將兩片晶片的非加工面黏貼起來。在黏合過程中要求單個黏貼工件平坦度高，加工批次工件厚度一致，且在粘合工件過程中不能造成非加工面的不良。但在實際操作中，水溶性黏貼劑配制復雜，粘合厚度不一，加工平坦度差，分片時間長且易造成晶片臟污、劃傷、碎片等不良。

公開號為CN109352502A發明專利公開了一種藍寶石單面拋光厚度不良返工流程與方法，主要采用真空吸附、貼蠟吸附、浸水吸附的方法將晶片吸附到載盤上進行單面拋光加工，但在實際操作中，無法保證晶片載盤絕對潔凈，導致在拋光過程中晶片產生凹坑、碎裂等不良。

公開號為CN106992112A發明專利公開了超薄晶片的拋光方法，主要采用10nm~1500μm的膠體黏貼在晶片非加工面進行拋光。但在實際操作中，鈮酸鋰晶片非加工面貼上厚的膠體進行拋光，很容易造成晶片平坦度差。

因此現有技術中缺乏一種獲得高質量的鈮酸鋰單拋片背面不良的返工方法。

發明內容

針對以上技術問題，本發明所要提供的是一種鈮酸鋰單面拋光片背面不良的返工方法，單面拋光片指單面拋光后的晶片，該返工方法加工過程穩定，返工去除量少，所獲得的晶片表面平坦度好，加工良率高。

本發明解決鈮酸鋰單面拋光片的背面劃傷、花斑、臟污、厚度薄等背面不良問題所采用的技術方案是：一種鈮酸鋰單面拋光片背面不良的返工方法，加工流程圖見圖1，具體包括下列步驟：

a)單面拋光片檢驗：將單面拋光片進行檢驗，將檢驗出背面不良的晶片進行標記；