[發(fā)明專利]基于HTCC的交換網(wǎng)絡(luò)模塊

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210587093.7
• 申請(qǐng)日: 2022-05-27
• 公開（公告）號(hào): CN115051960A
• 公開（公告）日: 2022-09-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳子豪;曾欣;賴邱亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 石家莊烽瓷電子技術(shù)有限公司;石家莊軍特電子科技有限公司;河北鼎瓷電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H04L49/10
• 分類號(hào): H04L49/10;H01R4/66;H05K1/11
• 代理公司: 河北冀華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 13151
• 代理人: 王占華

本發(fā)明公開了一種基于HTCC的交換網(wǎng)絡(luò)模塊，包括若干層陶瓷層，所述陶瓷層之間形成有層間金屬層，若干個(gè)輸入信號(hào)傳輸孔以及輸出信號(hào)傳輸孔的下端連接有信號(hào)BGA，輸入信號(hào)傳輸孔的上端貫穿所述陶瓷層以及所述層間金屬層后與陶瓷層之間的層間帶狀線的一端連接，輸出信號(hào)傳輸孔的上端貫穿所述陶瓷層以及所述層間金屬層后與相應(yīng)的陶瓷層之間的層間帶狀線的另一端連接，每個(gè)所述輸入信號(hào)傳輸孔以及每個(gè)輸出信號(hào)傳輸孔的外周形成有若干個(gè)接地金屬化孔，所述接地金屬化孔與所述層間金屬層直接接觸，所述接地金屬化孔的外端形成有接地BGA。所述網(wǎng)絡(luò)模塊具有集成度高、成本低、射頻性能好等優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及射頻封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于HTCC的交換網(wǎng)絡(luò)模塊。

背景技術(shù)

采用多波束相控陣天線的雷達(dá)稱為多波束相控陣?yán)走_(dá)，相控陣天線由多個(gè)天線單元構(gòu)成，可以形成多個(gè)獨(dú)立的發(fā)射或者接收波束。形成多個(gè)接收波束對(duì)于提高雷達(dá)的接收能力和抗干擾能力都具有非常重大的意義。在多波束相控陣應(yīng)用背景下，T/R組件對(duì)于整個(gè)系統(tǒng)來講是不可或缺的部分，一個(gè)多波束陣面會(huì)應(yīng)用到數(shù)以萬計(jì)的T/R模組，因此，對(duì)于整個(gè)系統(tǒng)而言，需要追求低成本，高性能，高可靠性。而目前多波束相控陣往往采用瓦片式架構(gòu)，瓦片式架構(gòu)主要是按照功能對(duì)系統(tǒng)分層，每層對(duì)應(yīng)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的不同功能，信號(hào)通過層與層之間的垂直通孔連接。此種結(jié)構(gòu)與磚塊式結(jié)構(gòu)相比，集成度顯著提高，大大加快了 T/R組件小型化、輕重量的進(jìn)程。

在對(duì)于瓦片陣多波束相控陣的設(shè)計(jì)中，目前大多數(shù)采用的依舊是先將多波束系統(tǒng)進(jìn)行整體劃分，將幅相控制與波束合成分離設(shè)計(jì)的方式，隨著天線單元數(shù)量的增加，勢(shì)必會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)復(fù)雜度的提高，而采用PCB板進(jìn)行不同陣元間的波束合成與高密度互聯(lián)走線會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)走線復(fù)雜度提高，PCB的設(shè)計(jì)成本會(huì)進(jìn)一步提高，并且高復(fù)雜度也使得設(shè)計(jì)難以移植進(jìn)其他相似系統(tǒng)。為了降低PCB的復(fù)雜度，通常會(huì)采用設(shè)計(jì)延時(shí)芯片或是高集成度芯片來實(shí)現(xiàn)，這種方式雖然可以大幅減小PCB的設(shè)計(jì)難度，但會(huì)使芯片設(shè)計(jì)成本會(huì)更高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是如何提供一種集成度高、成本低、射頻性能好的基于HTCC的交換網(wǎng)絡(luò)模塊。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是：一種基于HTCC的交換網(wǎng)絡(luò)模塊，其特征在于：包括若干層陶瓷層，所述陶瓷層之間形成有層間金屬層，若干個(gè)輸入信號(hào)傳輸孔以及輸出信號(hào)傳輸孔的下端連接有信號(hào)BGA，輸入信號(hào)傳輸孔的上端貫穿所述陶瓷層以及所述層間金屬層后與陶瓷層之間的層間帶狀線的一端連接，輸出信號(hào)傳輸孔的上端貫穿所述陶瓷層以及所述層間金屬層后與相應(yīng)的陶瓷層之間的層間帶狀線的另一端連接，每個(gè)所述輸入信號(hào)傳輸孔以及每個(gè)輸出信號(hào)傳輸孔的外周形成有若干個(gè)接地金屬化孔，所述輸入信號(hào)傳輸孔、輸出信號(hào)傳輸孔以及層間帶狀線不與所述層間金屬層接觸，所述接地金屬化孔與所述層間金屬層直接接觸，所述接地金屬化孔的外端形成有接地BGA。

進(jìn)一步的技術(shù)方案在于：每個(gè)所述輸入信號(hào)傳輸孔與對(duì)應(yīng)的所述輸出信號(hào)傳輸孔之間的層間帶狀線的長(zhǎng)度相等。

進(jìn)一步的技術(shù)方案在于：每個(gè)所述輸入信號(hào)傳輸孔以及每個(gè)所述輸出信號(hào)傳輸孔上間隔的設(shè)置有若干個(gè)匹配焊盤，所述匹配焊盤的直徑大于所述傳輸孔的直徑，且所述匹配焊盤不與層間金屬層接觸。

進(jìn)一步的技術(shù)方案在于：與所述層間帶狀線相對(duì)的上側(cè)的兩層或三層層間金屬層以及與所述層間帶狀線相對(duì)的下側(cè)的三層或兩層層間金屬層進(jìn)行挖空處理。

進(jìn)一步的技術(shù)方案在于：所述層間帶狀線拐角均采用圓角處理，內(nèi)角單倍線寬，外交兩倍線寬的設(shè)計(jì)。

進(jìn)一步的技術(shù)方案在于：每間隔數(shù)層介質(zhì)層后對(duì)隔離用的接地金屬孔位置進(jìn)行錯(cuò)位處理。

進(jìn)一步的技術(shù)方案在于：所述輸入信號(hào)傳輸孔設(shè)置有32個(gè)，所述輸出信號(hào)傳輸孔設(shè)置有32個(gè)。

進(jìn)一步的技術(shù)方案在于：所述陶瓷層設(shè)置有26層，陶瓷層與陶瓷層之間以及最外側(cè)的陶瓷層的下表面以及最外側(cè)的陶瓷層的上表面形成有層間金屬層。