[發(fā)明專利]一種存儲設(shè)備及其測試方法、測試系統(tǒng)

在審

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• 申請日: 2022-05-26
• 公開（公告）號: CN114974389A
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳劍鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥康芯威存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: G11C29/12
• 分類號: G11C29/12;G11C29/44
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 吳向青

本發(fā)明公開了一種存儲設(shè)備的測試方法，至少包括：提供一存儲設(shè)備，并根據(jù)存儲信息的種類，在存儲設(shè)備中建立數(shù)據(jù)區(qū)域、系統(tǒng)塊區(qū)域和壞塊表映射區(qū)域；對數(shù)據(jù)區(qū)域進行第一讀寫測試，并根據(jù)第一讀寫測試的結(jié)果，在數(shù)據(jù)區(qū)域中建立第一壞塊區(qū)域和工作塊區(qū)域；調(diào)節(jié)存儲設(shè)備的時序信息，并獲取工作塊區(qū)域的讀寫錯誤信息，根據(jù)讀寫錯誤信息，重復(fù)調(diào)諧存儲設(shè)備的讀寫參數(shù)信息；根據(jù)讀寫參數(shù)信息，對工作塊區(qū)域和系統(tǒng)塊區(qū)域進行第二讀寫測試，并根據(jù)第二讀寫測試的結(jié)果，在工作塊區(qū)域和系統(tǒng)塊區(qū)域內(nèi)標(biāo)記出第二壞塊區(qū)域；以及獲取第一壞塊區(qū)域和第二壞塊區(qū)域的壞塊信息，并將壞塊信息記錄于壞塊表映射區(qū)域。本發(fā)明能夠快速且穩(wěn)定地篩選出存儲設(shè)備中的壞塊。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于存儲設(shè)備測試領(lǐng)域，特別涉及一種存儲設(shè)備及其測試方法、測試系統(tǒng)。

背景技術(shù)

閃存存儲(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性的存儲器。閃存能在被稱為塊(block)的存儲單位中進行刪除和改編。而閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù)據(jù)，必須先擦除后寫入，因此擦除操作是閃存的基本操作。在閃存的制造工藝中，因為工藝限制和閃存性能問題，會出現(xiàn)壞塊問題。

當(dāng)閃存出現(xiàn)壞塊，存儲設(shè)備無法準(zhǔn)確測試出壞塊，若是在存儲數(shù)據(jù)時使用到壞塊，就會導(dǎo)致數(shù)據(jù)的讀寫和擦除出現(xiàn)錯誤。壞塊的存在會嚴(yán)重的影響硬盤的性能，甚至?xí)?dǎo)致硬盤報廢和數(shù)據(jù)丟失。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種存儲設(shè)備及其測試方法、測試系統(tǒng)，可以快速且穩(wěn)定地篩選出存儲設(shè)備中的壞塊，從而提升存儲設(shè)備的穩(wěn)定性。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的：

本發(fā)明提供的一種存儲設(shè)備的測試方法，至少包括：

提供一存儲設(shè)備，并根據(jù)存儲信息的種類，在所述存儲設(shè)備中建立數(shù)據(jù)區(qū)域、系統(tǒng)塊區(qū)域和壞塊表映射區(qū)域；

對所述數(shù)據(jù)區(qū)域進行第一讀寫測試，并根據(jù)所述第一讀寫測試的結(jié)果，在所述數(shù)據(jù)區(qū)域中建立第一壞塊區(qū)域和工作塊區(qū)域；

調(diào)節(jié)所述存儲設(shè)備的時序信息，并獲取所述工作塊區(qū)域的讀寫錯誤信息，根據(jù)所述讀寫錯誤信息，重復(fù)調(diào)諧所述存儲設(shè)備的讀寫參數(shù)信息；

根據(jù)所述讀寫參數(shù)信息，對所述工作塊區(qū)域和所述系統(tǒng)塊區(qū)域進行第二讀寫測試，并根據(jù)第二讀寫測試的結(jié)果，在所述工作塊區(qū)域和所述系統(tǒng)塊區(qū)域內(nèi)標(biāo)記出第二壞塊區(qū)域；以及

獲取所述第一壞塊區(qū)域和所述第二壞塊區(qū)域的壞塊信息，并將所述壞塊信息記錄于所述壞塊表映射區(qū)域。

在本發(fā)明一實施例中，調(diào)諧所述存儲設(shè)備的讀寫參數(shù)的步驟包括：

以單倍數(shù)據(jù)速率對所述工作塊區(qū)域?qū)懭霐?shù)據(jù)，再以雙倍數(shù)據(jù)速率從所述工作塊區(qū)域讀出數(shù)據(jù)；以及

根據(jù)讀寫數(shù)據(jù)產(chǎn)生的錯誤校正碼，校正讀取階段的時序信息，獲得最優(yōu)讀取時序信息。

在本發(fā)明一實施例中，調(diào)諧所述存儲設(shè)備的讀寫參數(shù)的步驟包括：

調(diào)整所述存儲設(shè)備的時序信息為最優(yōu)讀取時序信息，并以雙倍數(shù)據(jù)速率向所述工作塊區(qū)域?qū)懭霐?shù)據(jù)；

從所述工作塊區(qū)域讀出數(shù)據(jù)，并根據(jù)讀寫數(shù)據(jù)產(chǎn)生的錯誤校正碼，校正寫入階段的時序信息，獲得最優(yōu)寫入時序信息。

在本發(fā)明一實施例中，在重復(fù)調(diào)諧所述存儲設(shè)備的讀寫參數(shù)信息后，搜尋所述存儲設(shè)備中存儲塊的結(jié)果頁，在所述壞塊映射表區(qū)域建立壞塊映射表，所述壞塊映射表包括所述第一壞塊區(qū)域的壞塊地址和壞塊信息。

在本發(fā)明一實施例中，所述第一讀寫測試的步驟包括：

提供多個預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)，按照所述預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)從大到小的順序，將所述預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)寫入所述工作塊區(qū)域，至寫滿所述工作塊區(qū)域；以及