[發明專利]基板增層加工方法及封裝結構

在審

• 申請號: 202210579626.7
• 申請日: 2022-05-26
• 公開（公告）號: CN114864415A
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 李軼楠;李明;姚昕;靳學昌
• 申請（專利權）人: 無錫中微高科電子有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 陳麗麗;殷紅梅

本發明涉及半導體加工工藝技術領域，具體公開了一種基板增層加工方法，其中，包括：提供載板；在載板的一個表面上進行熱壓包覆膜涂覆，形成覆蓋雙面銅柱的第一涂覆膜；對第一涂覆膜進行減薄處理以露出雙面銅柱；在第一涂覆膜背離載板的表面形成雙面重布線層；在雙面重布線層上制作多個間隔設置的限位柱，其中限位柱的制作材料的力學性能參數滿足以下條件：莫氏硬度大于3.0、楊氏模量高于110GPa以及剪切彈性模量大于49GPa；在雙面重布線層的表面進行開口電鍍，并制作介質層；在雙面重布線層的表面進行熱壓包覆膜涂覆，形成覆蓋介質層和限位柱的第二涂覆膜。本發明還公開了一種封裝結構。本發明提供的基板增層加工方法能夠有效控制減薄厚度。

技術領域

本發明涉及半導體加工工藝技術領域，尤其涉及一種基板增層加工方法及封裝結構。

背景技術

FC-BGA（Flip Chip-Ball Grid Array，倒裝芯片球柵格陣列的封裝格式）基板增層技術是利用鉆孔、鍍孔及填孔技術在包覆膜上進行層與層間的導通，并在其上進行單層電路層的制備，實現線路的連接，同時也可以通過制作電路層，后熱壓包覆膜使其填充整個線路層，然而這是在填充于金屬層間的介質材料厚度符合理論厚度的前提下進行的，目前包覆膜厚度與理論的介質層厚度偏大，并且在金屬層進行熱壓包覆膜后，金屬表面會殘留較薄的包覆膜層，影響層與層之間的連接，因此對熱壓包覆膜后的減薄工藝不可或缺，但隨之到來的問題是機械減薄過程中容易使介質層厚度無法得到有效控制，會出現減薄量較少的現象，甚至會減薄過多，導致整體結構與理論厚度存在偏差。因此，有必要提高減薄量的精度，從而控制層數較多的板材的整體結構。

發明內容

本發明提供了一種基板增層加工方法及封裝結構，解決相關技術中存在的減薄量無法精確控制的問題。

作為本發明的第一個方面，提供一種基板增層加工方法，其中，包括：

提供載板，其中所述載板上設置有金屬通孔和雙面銅柱；

在所述載板的一個表面上進行熱壓包覆膜涂覆，形成覆蓋所述雙面銅柱的第一涂覆膜；

對所述第一涂覆膜進行減薄處理以露出所述雙面銅柱；

在所述第一涂覆膜背離所述載板的表面形成雙面重布線層；

在所述雙面重布線層上進行開口電鍍，并制作多個間隔設置的限位柱，其中多個間隔設置的限位柱在所述雙面重布線層上且沿外圍呈環形分布，所述限位柱的高度大于待制作的介質層的預設高度，且所述限位柱的高度與介質層的預設高度的差值在預設范圍內，所述限位柱的制作材料的力學性能參數滿足以下條件：莫氏硬度大于3.0、楊氏模量高于110GPa以及剪切彈性模量大于49GPa；

在所述雙面重布線層的表面進行開口電鍍，并制作介質層，其中所述介質層的實際高度大于所述介質層的預設高度，且所述介質層的實際高度與所述介質層的預設高度的差值在預設范圍內；

在所述雙面重布線層的表面進行熱壓包覆膜涂覆，形成覆蓋所述介質層和所述限位柱的第二涂覆膜，其中所述第二涂覆膜的厚度大于所述介質層的高度以及所述限位柱的高度；

對所述第二涂覆膜按照預設研磨進給速度進行研磨減薄，直至研磨至所述限位柱的高度后，所述預設研磨進給速度被動降低直至停止研磨，得到所述預設高度的介質層。

進一步地，所述限位柱的形狀包括圓柱形。

進一步地，所述限位柱的直徑在300μm ~500μm之間。

進一步地，所述限位柱的制作材料包括Ni、Cr和Mo中的任意一種或者多種的組合。

進一步地，所述雙面重布線層的高度在40μm~100μm之間。

進一步地，所述載板的厚度在400μm ~800μm之間。