[發明專利]基板增層加工方法及封裝結構

在審

• 申請號: 202210579626.7
• 申請日: 2022-05-26
• 公開（公告）號: CN114864415A
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 李軼楠;李明;姚昕;靳學昌
• 申請（專利權）人: 無錫中微高科電子有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 陳麗麗;殷紅梅

1.一種基板增層加工方法，其特征在于，包括：

提供載板，其中所述載板上設置有金屬通孔和雙面銅柱；

在所述載板的一個表面上進行熱壓包覆膜涂覆，形成覆蓋所述雙面銅柱的第一涂覆膜；

對所述第一涂覆膜進行減薄處理以露出所述雙面銅柱；

在所述第一涂覆膜背離所述載板的表面形成雙面重布線層；

在所述雙面重布線層上進行開口電鍍，并制作多個間隔設置的限位柱，其中多個間隔設置的限位柱在所述雙面重布線層上且沿外圍呈環形分布，所述限位柱的高度大于待制作的介質層的預設高度，且所述限位柱的高度與介質層的預設高度的差值在預設范圍內，所述限位柱的制作材料的力學性能參數滿足以下條件：莫氏硬度大于3.0、楊氏模量高于110GPa以及剪切彈性模量大于49GPa；

在所述雙面重布線層的表面進行開口電鍍，并制作介質層，其中所述介質層的實際高度大于所述介質層的預設高度，且所述介質層的實際高度與所述介質層的預設高度的差值在預設范圍內；

在所述雙面重布線層的表面進行熱壓包覆膜涂覆，形成覆蓋所述介質層和所述限位柱的第二涂覆膜，其中所述第二涂覆膜的厚度大于所述介質層的高度以及所述限位柱的高度；

對所述第二涂覆膜按照預設研磨進給速度進行研磨減薄，直至研磨至所述限位柱的高度后，所述預設研磨進給速度被動降低直至停止研磨，得到所述預設高度的介質層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述限位柱的形狀包括圓柱形。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述限位柱的直徑在300μm ~500μm之間。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述限位柱的制作材料包括Ni、Cr和Mo中的任意一種或者多種的組合。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述雙面重布線層的高度在40μm~100μm之間。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述載板的厚度在400μm ~800μm之間。

7.根據權利要求1至6中任意一項所述的方法，其特征在于，通過磨輪對對所述第二涂覆膜按照預設研磨進給速度進行研磨減薄，直至研磨至所述限位柱的高度后，所述預設研磨進給速度被動降低直至停止研磨，得到所述預設高度的介質層，其中所述磨輪包括目數在500目~800目之間，且集中度在75~125之間的磨輪。

8.一種封裝結構，其特征在于，通過權利要求1至7中任意一項所述的基板增層加工方法制作得到。