[發明專利]噴淋頭、電極組件、氣體供給組件、基片處理裝置和系統

在審

• 申請號: 202210576592.6
• 申請日: 2022-05-25
• 公開（公告）號: CN115440562A
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發明（設計）人: 須田隆太郎;戶村幕樹;野上達;藥師寺秀明;村上貴宏;若生悠輔
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;池兵

本發明提供能夠提高對處理氣體的耐腐蝕性的噴淋頭、電極組件、氣體供給組件、基片處理裝置和基片處理系統。在一個例示性實施方式中，提供一種噴淋頭，其為等離子體處理用的噴淋頭，其特征在于：包括主體部，該主體部具有第一面、與第一面相反的一側的第二面、和多個內側面，多個內側面界定從第一面到第二面貫穿主體部的多個氣孔，第二面由第一耐腐蝕性材料構成。

技術領域

本發明的例示性實施方式涉及噴淋頭、電極組件、氣體供給組件、基片處理裝置和基片處理系統。

背景技術

例如，專利文獻1公開了一種在用于對等離子體進行處理的腔室的內側進行涂敷的技術。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2016-208034號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

本發明提供能夠提高對處理氣體的耐腐蝕性的技術。

用于解決技術問題的手段

在本發明的一個例示性實施方式中，提供一種噴淋頭，其為等離子體處理用的噴淋頭，其特征在于：包括主體部，該主體部具有第一面、與所述第一面相反的一側的第二面、和多個內側面，所述多個內側面界定從所述第一面到所述第二面貫穿所述主體部的多個氣孔，所述第二面由第一耐腐蝕性材料構成。

發明效果

采用本發明的一個例示性實施方式，能夠提供能夠提高對處理氣體的耐腐蝕性的技術。

附圖說明

圖1A是噴淋頭SH的平面圖。

圖1B是圖1A的A-A截面圖。

圖2A是用于對形成有聚酰亞胺膜作為膜CR的情況下的耐腐蝕效果進行說明的概念圖。

圖2B是用于對主體BD由碳化硅構成的情況下的耐腐蝕效果進行說明的概念圖。

圖3是概略性地表示基片處理裝置1的圖。

圖4是表示基片W的截面結構的一個例子的圖。

圖5是表示基片處理裝置1中的基片處理方法的一個例子的流程圖。

圖6是用于對上部電極中的處理氣體的流動進行說明的圖。

圖7A是氣體供給組件GU的立體圖。

圖7B是氣體供給組件GU的平面圖。

圖7C是圖6B的氣體供給組件GU的A-A'截面圖。

附圖標記說明

1基片處理裝置，10腔室，10s內部空間，12腔室主體，14基片支承器，16電極板，18下部電極，20靜電卡盤，30上部電極，34頂板，34a氣體排出孔，36支承體，38氣體供給管，50排氣裝置，62高頻電源，64偏置電源，80控制部，CT控制部，EF被蝕刻膜，MK掩模膜，OP開口，UF基底膜，W基片，SH頂板，CR耐腐蝕性的膜，BD主體部，BD1第一面，BD2第二面，BD3內側面，GH氣孔，GH氣體供給組件。

具體實施方式

下面，對本發明的各實施方式進行說明。

在一個例示性實施方式中，提供一種噴淋頭，其為等離子體處理用的噴淋頭，其特征在于：包括主體部，該主體部具有第一面、與第一面相反的一側的第二面、和多個內側面，多個內側面界定從第一面到第二面貫穿主體部的多個氣孔，第二面由第一耐腐蝕性材料構成。