[發(fā)明專利]噴淋頭、電極組件、氣體供給組件、基片處理裝置和系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210576592.6
• 申請(qǐng)日: 2022-05-25
• 公開（公告）號(hào): CN115440562A
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 須田隆太郎;戶村幕樹;野上達(dá);藥師寺秀明;村上貴宏;若生悠輔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;池兵

1.一種噴淋頭，其為等離子體處理用的噴淋頭，其特征在于：

包括主體部，該主體部具有第一面、與所述第一面相反的一側(cè)的第二面、和多個(gè)內(nèi)側(cè)面，所述多個(gè)內(nèi)側(cè)面界定從所述第一面到所述第二面貫穿所述主體部的多個(gè)氣孔，

所述第二面由第一耐腐蝕性材料構(gòu)成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴淋頭，其特征在于：

所述第一耐腐蝕性材料與構(gòu)成所述主體部的材料相比，對(duì)包含選自F₂、XeF₂、WF₆、MoF₆、IF₇、HF和ClF₃中的至少1種的氣體的耐腐蝕性高。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴淋頭，其特征在于：

所述第一耐腐蝕性材料與構(gòu)成所述主體部的材料相比，對(duì)氟化氫氣體的耐腐蝕性高。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴淋頭，其特征在于：

在所述第二面具有由所述第一耐腐蝕性材料構(gòu)成的膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的噴淋頭，其特征在于：

還在所述多個(gè)內(nèi)側(cè)面具有所述膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的噴淋頭，其特征在于：

在所述第一面沒有形成所述膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴淋頭，其特征在于：

所述主體部由所述第一耐腐蝕性材料構(gòu)成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的噴淋頭，其特征在于：

所述第一耐腐蝕性材料為含碳材料或含金屬材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的噴淋頭，其特征在于：

所述第一耐腐蝕性材料包含選自氟化碳樹脂、碳、加氟碳、聚酰亞胺樹脂和碳化硅中的至少1種。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的噴淋頭，其特征在于：

所述第一耐腐蝕性材料包含選自金屬、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氧化物和合金中的至少1種。

11.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的噴淋頭，其特征在于：

所述主體部由含硅材料構(gòu)成。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的噴淋頭，其特征在于：

所述含硅材料為導(dǎo)電性的含硅材料。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的噴淋頭，其特征在于：

所述含硅材料為硅氧化物。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的噴淋頭，其特征在于：

所述主體部由含碳的基材和覆蓋所述基材的表面的碳化硅膜構(gòu)成。

15.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的噴淋頭，其特征在于：

所述主體部為大致圓板形狀，所述第一面構(gòu)成圓板的一個(gè)面，所述第二面構(gòu)成該圓板的另一個(gè)面。

16.一種電極組件，其特征在于，包括：

權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的噴淋頭；和

配置在所述噴淋頭的所述第二面?zhèn)鹊膶?dǎo)電性的支承體，其具有用于向所述噴淋頭的所述多個(gè)氣孔供給處理氣體的氣體供給路徑。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電極組件，其特征在于：

所述支承體的與所述噴淋頭的所述第二面相對(duì)的第三面由第二耐腐蝕性材料構(gòu)成。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電極組件，其特征在于：

所述第二耐腐蝕性材料為進(jìn)行了半封孔處理的陽極氧化膜。