[發(fā)明專利]Die的缺陷掃描檢測分析方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210575765.2 | 申請日: | 2022-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN114994073A | 公開(公告)日: | 2022-09-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙韋韋 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | G01N21/95 | 分類號: | G01N21/95;G01N21/88 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人: | 劉昌榮 |
| 地址: | 201203*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | die 缺陷 掃描 檢測 分析 方法 | ||
本發(fā)明提供一種Die的缺陷掃描檢測分析方法,提供掃描機臺,在掃描機臺導(dǎo)入待檢測晶圓的版圖文件;將待檢測晶圓中多個die整合為多個第一測試區(qū),利用掃描機臺對第一測試區(qū)進行缺陷檢測并得到其缺陷分布圖像;根據(jù)缺陷分布圖像判斷缺陷類型;若缺陷類型不為線分布或聚集點分布,則輸出掃描結(jié)果;若沒有發(fā)生缺陷掃描偏移,則輸出掃描結(jié)果;若發(fā)生缺陷掃描偏移,則將包括線分布或聚集點分布缺陷區(qū)域?qū)?yīng)的die整合為第二測試區(qū),對掃描機臺進行參數(shù)調(diào)整以去除造成缺陷掃描偏移的信號,之后輸出掃描結(jié)果。本發(fā)明減少了在對缺陷圖像篩選時丟失真實缺陷的幾率,也不易造成造成缺出來的缺陷圖上的信號比較多的問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種Die的缺陷掃描檢測分析方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體技術(shù)中的發(fā)展中,缺陷是影響晶圓良率的主要原因,所以缺陷掃描在半導(dǎo)體制造中占據(jù)主要地位;針對小尺寸的Die(Die大小小于2um時)晶圓需要進行缺陷掃描時,以現(xiàn)有的光學掃描機臺,無法識別出小于2um的Die,所以以現(xiàn)有的技術(shù)小Die需要進行缺陷掃描時,需要把多個Die合并成一個較大的Die進行缺陷掃描(請參閱圖1)。
但是Die合并后的Die和實際的Die會有失真,由于光學掃描機臺是Die間逐個對比,所以合并Die后缺陷掃描容易發(fā)生缺陷掃描偏移(Defect Scan Shift)現(xiàn)象(請參閱圖2、3)。針對缺陷掃描偏移問題,以現(xiàn)有的技術(shù)篩選容易丟失真實缺陷并且易造成缺出來的缺陷圖上的信號比較多(defect Scan Hot),存在雜亂的信息(比如真實的有50顆,但由于一些失真信號的影響掃描出來500顆)。
為此,針對以上原因需要一套針對小尺寸Die缺陷掃描的方法。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點,本發(fā)明的目的在于提供一種Die的缺陷掃描檢測分析方法,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中Die合并后的Die和實際的Die會有失真,合并Die后缺陷掃描容易發(fā)生缺陷掃描偏移現(xiàn)象,針對缺陷掃描偏移問題,以現(xiàn)有的技術(shù)篩選容易丟失真實缺陷并且易造成缺陷掃描熱點的問題。
為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本發(fā)明提供一種Die的缺陷掃描檢測分析方法包括:
步驟一、提供掃描機臺,在所述掃描機臺導(dǎo)入待檢測晶圓的版圖文件;
步驟二、將所述待檢測晶圓中多個die整合為多個第一測試區(qū),利用所述掃描機臺對所述第一測試區(qū)進行缺陷檢測并得到其缺陷分布圖像;
步驟三、根據(jù)所述缺陷分布圖像判斷缺陷類型;
若所述缺陷類型不為線分布或聚集點分布,則輸出掃描結(jié)果;
若所述缺陷類型為線分布或聚集點分布,則判斷為線分布或聚集點分布的缺陷是否為所述掃描機臺掃描造成的缺陷掃描偏移:
若沒有發(fā)生缺陷掃描偏移,則輸出掃描結(jié)果;
若發(fā)生缺陷掃描偏移,則將包括線分布或聚集點分布缺陷區(qū)域?qū)?yīng)的所述die整合為第二測試區(qū),對所述掃描機臺進行參數(shù)調(diào)整以去除造成缺陷掃描偏移的信號,之后輸出掃描結(jié)果。
優(yōu)選地,步驟一中的所述掃描機臺為光學掃描機臺。
優(yōu)選地,步驟一中的所述版圖文件為所述待檢測晶圓的GDS文件。
優(yōu)選地,步驟二中的所述die的尺寸小于2微米。
優(yōu)選地,步驟二中的所述第一測試區(qū)包括兩行相鄰且每行為三個的所述die。
優(yōu)選地,步驟三中造成所述缺陷掃描偏移的信號包括能量信號和點信號。
優(yōu)選地,步驟三中利用所述缺陷的信號值大于所述掃描機臺的設(shè)置閾值定義出所述缺陷掃描偏移。
如上所述,本發(fā)明的Die的缺陷掃描檢測分析方法,具有以下有益效果:
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- 專利分類
G01N 借助于測定材料的化學或物理性質(zhì)來測試或分析材料
G01N21-00 利用光學手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測試或分析材料
G01N21-01 .便于進行光學測試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學反應(yīng)的系統(tǒng),測試反應(yīng)的進行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





