[發明專利]Die的缺陷掃描檢測分析方法

在審

• 申請號: 202210575765.2
• 申請日: 2022-05-24
• 公開（公告）號: CN114994073A
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發明（設計）人: 趙韋韋
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: G01N21/95
• 分類號: G01N21/95;G01N21/88
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 劉昌榮

1.一種Die的缺陷掃描檢測分析方法，其特征在于，至少包括：

步驟一、提供掃描機臺，在所述掃描機臺導入待檢測晶圓的版圖文件；

步驟二、將所述待檢測晶圓中多個die整合為多個第一測試區，利用所述掃描機臺對所述第一測試區進行缺陷檢測并得到其缺陷分布圖像；

步驟三、根據所述缺陷分布圖像判斷缺陷類型；

若所述缺陷類型不為線分布或聚集點分布，則輸出掃描結果；

若所述缺陷類型為線分布或聚集點分布，則判斷為線分布或聚集點分布的缺陷是否為所述掃描機臺掃描造成的缺陷掃描偏移：

若沒有發生缺陷掃描偏移，則輸出掃描結果；

若發生缺陷掃描偏移，則將包括線分布或聚集點分布缺陷區域對應的所述die整合為第二測試區，對所述掃描機臺進行參數調整以去除造成缺陷掃描偏移的信號，之后輸出掃描結果。

2.根據權利要求1所述的Die的缺陷掃描檢測分析方法，其特征在于：步驟二中的所述die的尺寸小于2微米。

3.根據權利要求1所述的Die的缺陷掃描檢測分析方法，其特征在于：步驟二中的所述第一測試區包括兩行相鄰且每行為三個的所述die。

4.根據權利要求1所述的Die的缺陷掃描檢測分析方法，其特征在于：步驟一中的所述掃描機臺為光學掃描機臺。

5.根據權利要求1所述的Die的缺陷掃描檢測分析方法，其特征在于：步驟一中的所述版圖文件為所述待檢測晶圓的GDS文件。

6.根據權利要求1所述的Die的缺陷掃描檢測分析方法，其特征在于：步驟三中造成所述缺陷掃描偏移的信號包括能量信號和點信號。

7.根據權利要求1所述的Die的缺陷掃描檢測分析方法，其特征在于：步驟三中利用所述缺陷的信號值大于所述掃描機臺的設置閾值定義出所述缺陷掃描偏移。