[發明專利]三維存儲器的讀取方法、三維存儲器及存儲器系統

在審

• 申請號: 202210570686.2
• 申請日: 2022-05-24
• 公開（公告）號: CN114974363A
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 許鋒;李達;閔園園;羅哲;靳磊;田瑤瑤;黃瑩
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C8/08;G11C7/12
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 李芳

本申請公開了一種三維存儲器的讀取方法、三維存儲器及存儲器系統，屬于存儲技術領域。該方法包括：對目標位線進行充電，目標位線為第一存儲器單元組中的存儲器單元耦合的位線，第一存儲器單元組中的存儲器單元為待讀取存儲器單元層中未確定讀取結果的存儲器單元；向目標字線逐個施加多個讀取電壓，在施加多個讀取電壓中的指定讀取電壓后，根據未確定讀取結果的存儲器單元在讀取電壓下的導通狀態，確定第二存儲器單元組對應的讀取結果，其中，目標字線為與待讀取存儲器單元層耦合的字線，第二存儲器單元組中各存儲器單元為第一存儲器單元組中，能夠根據在讀取電壓下的導通狀態確定出讀取結果的存儲器單元。采用本申請能夠降低三維存儲器的功耗。

技術領域

本申請涉及存儲技術領域，特別涉及一種三維存儲器的讀取方法、三維存儲器及存儲器系統。

背景技術

隨著存儲技術的進步，三維存儲器(例如3D NAND閃存存儲芯片)的應用越來越廣泛，如三維存儲器可應用于手機、電腦等設備。

在三維存儲器中，可以根據存儲器單元存儲數據的比特位個數，將一個存儲器單元層劃分為多個頁(page)，其中，劃分page的數量與存儲器單元存儲數據的比特位個數相等。例如，存儲器單元為三級單元(Triple-Level Cell，TLC)閃存顆粒時，每個存儲器單元存儲的數據有三個比特位，相應的可以將一個存儲器單元層劃分為三個page，其中包括低頁(low page)、中間頁(middle page)和高頁(up page)。

其中，每個page對應有不同的讀取電壓，在對三維存儲器的任一存儲器單元層進行數據讀取時，可以按照各page的順序，向相應的字線(Word Line，WL)施加各page對應的讀取電壓。在每次向WL施加任一page對應的任一讀取電壓后，可根據各位線(Bit Line，BL)在不同讀取電壓下的導通狀態，確定存儲器單元存儲的相應比特位的數據，這樣在向WL施加完各page對應的各讀取電壓后，可根據確定的存儲器單元存儲的各比特位的數據，確定讀取結果。

為了確定各位線在不同讀取電壓下的導通狀態，在施加向字線各page對應的讀取電壓的過程中，都需要對所有的位線進行充電，如此也導致三維存儲器的功耗增大。

發明內容

本申請實施例提供了一種三維存儲器的讀取方法、三維存儲器及存儲器系統，能夠降低三維存儲器的功耗。所述技術方案如下：

第一方面，提供了一種三維存儲器的讀取方法，所述方法包括：

對目標位線進行充電，所述目標位線為第一存儲器單元組中的存儲器單元耦合的位線，所述第一存儲器單元組中的存儲器單元為待讀取存儲器單元層中未確定讀取結果的存儲器單元；

向目標字線逐個施加多個讀取電壓，在施加所述多個讀取電壓中的指定讀取電壓后，根據未確定讀取結果的存儲器單元在讀取電壓下的導通狀態，確定第二存儲器單元組對應的讀取結果，并停止對所述第二存儲器單元組中各存儲器單元耦合的位線進行充電，其中，所述目標字線為與所述待讀取存儲器單元層耦合的字線，所述第二存儲器單元組中各存儲器單元為所述第一存儲器單元組中，能夠根據在讀取電壓下的導通狀態確定出讀取結果的存儲器單元；

如果確定所述待讀取存儲器單元層仍存在未確定讀取結果的存儲器單元，則轉至執行所述對目標位線進行充電。

可選的，所述根據未確定讀取結果的存儲器單元在讀取電壓下的導通狀態，確定第二存儲器單元組對應的讀取結果，包括：

獲取所述第一存儲器單元在所述已施加的讀取電壓下的導通狀態；

根據所述已施加的讀取電壓和所述導通狀態，確定所述第二存儲器單元組中各存儲器單元對應的參考讀取電壓，所述參考讀取電壓為使所述各存儲器單元導通的最小讀取電壓或未使所述各存儲器單元導通的最大讀取電壓；

根據所述參考讀取電壓，得到所述參考讀取電壓對應的讀取數據，將所述讀取數據作為所述第二存儲器單元組對應的讀取結果。