[發明專利]三維存儲器的讀取方法、三維存儲器及存儲器系統

在審

• 申請號: 202210570686.2
• 申請日: 2022-05-24
• 公開（公告）號: CN114974363A
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 許鋒;李達;閔園園;羅哲;靳磊;田瑤瑤;黃瑩
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C8/08;G11C7/12
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 李芳

1.一種三維存儲器的讀取方法，其特征在于，所述方法包括：

對目標位線進行充電，所述目標位線為第一存儲器單元組中的存儲器單元耦合的位線，所述第一存儲器單元組中的存儲器單元為待讀取存儲器單元層中未確定讀取結果的存儲器單元；

向目標字線逐個施加多個讀取電壓，在施加所述多個讀取電壓中的指定讀取電壓后，根據未確定讀取結果的存儲器單元在讀取電壓下的導通狀態，確定第二存儲器單元組對應的讀取結果，并停止對所述第二存儲器單元組中各存儲器單元耦合的位線進行充電，其中，所述目標字線為與所述待讀取存儲器單元層耦合的字線，所述第二存儲器單元組中各存儲器單元為所述第一存儲器單元組中，能夠根據在讀取電壓下的導通狀態確定出讀取結果的存儲器單元；

如果確定所述待讀取存儲器單元層仍存在未確定讀取結果的存儲器單元，則轉至執行所述對目標位線進行充電。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據未確定讀取結果的存儲器單元在讀取電壓下的導通狀態，確定第二存儲器單元組對應的讀取結果，包括：

獲取所述未確定讀取結果的存儲器單元在所述已施加的讀取電壓下的導通狀態；

根據所述已施加的讀取電壓和所述導通狀態，確定所述第二存儲器單元組中各存儲器單元對應的參考讀取電壓，所述參考讀取電壓為使所述各存儲器單元導通的最小讀取電壓或未使所述各存儲器單元導通的最大讀取電壓；

根據所述參考讀取電壓，得到所述參考讀取電壓對應的讀取數據，將所述讀取數據作為所述第二存儲器單元組對應的讀取結果。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據所述已施加的讀取電壓和所述導通狀態，確定所述第二存儲器單元組中各存儲器單元對應的參考讀取電壓，包括：

如果本次施加的讀取電壓為能夠使得所述各存儲器單元導通的最小讀取電壓且在可施加的讀取電壓中電壓值最小，或，本次施加的讀取電壓為未使得所述各存儲器單元導通的最大讀取電壓且在可施加的讀取電壓中電壓值最大，則將所述本次施加的讀取電壓作為所述參考讀取電壓；

如果本次施加的讀取電壓和之前施加的一個讀取電壓分別為使得所述各存儲器單元導通的最小讀取電壓和未使得所述各存儲器單元導通的最大讀取電壓，則將所述本次施加的讀取電壓或所述之前施加的一個讀取電壓作為所述參考讀取電壓。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，每次充電后向目標字線逐個施加的多個讀取電壓對應同一個page。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述三維存儲器包括三維NAND閃存存儲器。

6.一種三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器包括：

存儲器單元陣列，所述存儲器單元陣列包括多個存儲器單元層；

多個字線，所述多個字線分別耦合到所述多個存儲器單元層；

多個位線，所述多個位線分別耦合到任一存儲器單元層中的多個存儲器單元；以及

外圍電路，所述外圍電路耦合到所述多個字線以及所述多個位線，并且被配置為對所述多個存儲器單元層中的選定存儲器單元層執行讀取操作，所述選定存儲器單元層耦合到選定字線，其中，為了執行所述讀取操作，所述外圍電路被配置為：

對目標位線進行充電，所述目標位線為第一存儲器單元組中的存儲器單元耦合的位線，所述第一存儲器單元組中的存儲器單元為待讀取存儲器單元層中未確定讀取結果的存儲器單元；

向目標字線逐個施加多個讀取電壓，在施加所述多個讀取電壓中的指定讀取電壓后，根據未確定讀取結果的存儲器單元在讀取電壓下的導通狀態，確定第二存儲器單元組對應的讀取結果，并停止對所述第二存儲器單元組中各存儲器單元耦合的位線進行充電，其中，所述目標字線為與所述待讀取存儲器單元層耦合的字線，所述第二存儲器單元組中各存儲器單元為所述第一存儲器單元組中，能夠根據在讀取電壓下的導通狀態確定出讀取結果的存儲器單元；

如果確定所述待讀取存儲器單元層仍存在未確定讀取結果的存儲器單元，則轉至執行所述對目標位線進行充電。