[發(fā)明專利]開關(guān)裝置、半導(dǎo)體裝置及開關(guān)裝置的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210566942.0 | 申請日: | 2022-05-23 |
| 公開(公告)號: | CN115411008A | 公開(公告)日: | 2022-11-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 牧島仁;松高佑紀(jì) | 申請(專利權(quán))人: | 三菱電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號: | H01L23/49 | 分類號: | H01L23/49;H01L25/07;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 開關(guān) 裝置 半導(dǎo)體 制造 方法 | ||
1.一種開關(guān)裝置,其具有:
開關(guān)元件;
芯片焊盤;
與所述芯片焊盤不是一體的柵極端子;
與所述芯片焊盤一體的第1電力端子;以及
與所述芯片焊盤不是一體的第2電力端子,
所述開關(guān)元件配置于所述芯片焊盤之上,
所述開關(guān)元件的下表面與所述芯片焊盤電連接,
所述柵極端子、所述第1電力端子及所述第2電力端子各自在俯視觀察時(shí)相對于所述芯片焊盤位于第1方向側(cè),
所述柵極端子、所述第1電力端子及所述第2電力端子在俯視觀察時(shí)在與所述第1方向垂直的第2方向上以所述柵極端子、所述第1電力端子、所述第2電力端子的順序或相反的順序排列,
所述開關(guān)元件在上表面具有第1柵極焊盤和第2柵極焊盤,
與所述第2柵極焊盤相比所述第1柵極焊盤靠近所述柵極端子,
與所述第1柵極焊盤相比所述第2柵極焊盤靠近所述第2電力端子,
所述第1柵極焊盤與所述柵極端子通過導(dǎo)線進(jìn)行連接,
所述第2柵極焊盤與所述柵極端子、所述第2電力端子均不連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)裝置,其中,
所述柵極端子和所述第1柵極焊盤的距離與所述第2電力端子和所述第2柵極焊盤的距離相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的開關(guān)裝置,其中,
所述第1柵極焊盤和第2柵極焊盤在所述開關(guān)元件的上表面以所述第1方向上的位置至少局部重疊的方式在所述第2方向上排列地設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的開關(guān)裝置,其中,
從所述開關(guān)元件的所述第2方向上的中心至所述第1柵極焊盤為止的所述第2方向上的距離,與從所述開關(guān)元件的所述第2方向上的中心至所述第2柵極焊盤為止的所述第2方向上的距離相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的開關(guān)裝置,其中,
從所述芯片焊盤的所述第2方向上的中心至所述第1柵極焊盤為止的所述第2方向上的距離,與從所述芯片焊盤的所述第2方向上的中心至所述第2柵極焊盤為止的所述第2方向上的距離相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的開關(guān)裝置,其中,
相對于所述芯片焊盤的所述第2方向上的中心線,所述第1柵極焊盤與所述第2柵極焊盤處于線對稱的位置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的開關(guān)裝置,其中,
從所述芯片焊盤的所述第2方向上的中心至所述開關(guān)元件的所述第2方向側(cè)的端部為止的距離,與從所述芯片焊盤的所述第2方向上的中心至所述開關(guān)元件的與所述第2方向相反側(cè)的端部為止的距離相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的開關(guān)裝置,其中,
所述柵極端子和所述第2電力端子相對于所述芯片焊盤的所述第2方向上的中心在所述第2方向上位于相反側(cè),
從所述芯片焊盤的所述第2方向上的中心至所述柵極端子為止的所述第2方向上的距離,與從所述芯片焊盤的所述第2方向上的中心至所述第2電力端子為止的所述第2方向上的距離相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的開關(guān)裝置,其中,
所述開關(guān)元件包含SiC半導(dǎo)體。
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