[發(fā)明專利]一種集成電路結構及其形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210566009.3 | 申請日： | 2022-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN114664790B | 公開（公告）日： | 2022-08-09 |
| 發(fā)明（設計）人： | 呂正良;黃震麟;鄭志成 | 申請（專利權）人： | 合肥晶合集成電路股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528;H01L21/321;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 集成電路 結構 及其 形成 方法 | ||
1.一種集成電路結構，其特征在于，包括：
襯底；
層間介質(zhì)層，形成于所述襯底上，所述層間介質(zhì)層中形成有開口；
擴散阻擋層，所述擴散阻擋層覆蓋所述開口的側壁和底壁；
導電結構，填充于所述開口中，且所述導電結構的頂面高度低于所述擴散阻擋層的側壁的頂面高度；以及，
刻蝕停止層，覆蓋所述層間介質(zhì)層的頂面、所述導電結構的頂面、所述擴散阻擋層的頂面和所述擴散阻擋層的部分側壁。
2.如權利要求1所述的集成電路結構，其特征在于，所述擴散阻擋層的側壁與所述導電結構的高度差大于30埃。
3.如權利要求1所述的集成電路結構，其特征在于，所述刻蝕停止層為氧化鋁、氮化鋁、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、或其組合的一種或多種材料。
4.如權利要求1所述的集成電路結構，其特征在于，所述導電結構的材質(zhì)為銅，所述擴散阻擋層的材質(zhì)為氮化鉭或鉭。
5.一種集成電路結構的形成方法，其特征在于，包括：
提供一襯底，所述襯底上形成有層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層中形成有開口；
形成有擴散阻擋層，所述擴散阻擋層覆蓋所述開口的側壁和底壁；
形成導電材料層，所述導電材料層填滿所述開口并覆蓋所述擴散阻擋層的側壁和底壁，還覆蓋所述層間介質(zhì)層上的頂面；
采用化學機械研磨工藝去除所述層間介質(zhì)層上的導電材料層以形成導電結構，其中，所述化學機械研磨工藝進行過研磨去除所述開口內(nèi)預定高度的導電材料層，以暴露出所述擴散阻擋層的部分側壁；
形成刻蝕停止層，所述刻蝕停止層覆蓋所述層間介質(zhì)層的頂面、所述導電結構的頂面、所述擴散阻擋層的頂面和所述擴散阻擋層的部分側壁。
6.如權利要求5所述的集成電路結構的形成方法，其特征在于，所述擴散阻擋層的側壁與所述導電結構的高度差大于30埃。
7.如權利要求5所述的集成電路結構的形成方法，其特征在于，所述過研磨過程中，所述擴散阻擋層與所述導電材料層的研磨選擇比不同。
8.如權利要求7所述的集成電路結構的形成方法，其特征在于，所述過研磨過程中，所述擴散阻擋層的研磨速率小于所述導電材料層的研磨速率。
9.如權利要求5所述的集成電路結構的形成方法，其特征在于，所述導電結構的材質(zhì)為銅，所述擴散阻擋層的材質(zhì)為氮化鉭或鉭。
10.如權利要求5所述的集成電路結構的形成方法，其特征在于，采用電鍍工藝形成所述導電材料層。
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