[發(fā)明專(zhuān)利]一種對(duì)準(zhǔn)誤差的量測(cè)方法及系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210565869.5
• 申請(qǐng)日: 2022-05-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114660907B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-08-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊學(xué)人
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 合肥晶合集成電路股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G03F7/20
• 分類(lèi)號(hào): G03F7/20
• 代理公司: 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 王積毅

本發(fā)明公開(kāi)了一種對(duì)準(zhǔn)誤差的量測(cè)方法及系統(tǒng)，所述對(duì)準(zhǔn)誤差的量測(cè)方法包括：選取多個(gè)待測(cè)晶圓，且所述待測(cè)晶圓上設(shè)置有多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；依據(jù)至所述待測(cè)晶圓中心的距離，將每個(gè)所述晶圓劃分為多個(gè)待測(cè)區(qū)域；在每個(gè)所述待測(cè)區(qū)域內(nèi)選取至少一個(gè)待測(cè)曝光區(qū)域；在每個(gè)所述待測(cè)曝光區(qū)域內(nèi)選取多個(gè)量測(cè)點(diǎn)，且每個(gè)所述量測(cè)點(diǎn)在所述待測(cè)晶圓上對(duì)應(yīng)設(shè)置有所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；以及獲取每個(gè)所述量測(cè)點(diǎn)與所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的誤差為所述對(duì)準(zhǔn)誤差。通過(guò)本發(fā)明提供的對(duì)準(zhǔn)誤差的量測(cè)方法及系統(tǒng)，可提高半導(dǎo)體器件的性能和產(chǎn)能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種對(duì)準(zhǔn)誤差的量測(cè)方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體制造是通過(guò)光刻、刻蝕、沉積以及注入等多種工藝在襯底上形成疊層結(jié)構(gòu)的過(guò)程。疊層結(jié)構(gòu)中不同材料層之間的關(guān)聯(lián)性容易影響半導(dǎo)體器件的性能。為了提高半導(dǎo)體器件的性能，在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，每一圖案化材料均需與前一圖案化材料層之間實(shí)現(xiàn)對(duì)準(zhǔn)，即半導(dǎo)體工藝需滿(mǎn)足一定的套刻精度(Overlay)。如果對(duì)準(zhǔn)誤差較大，則半導(dǎo)體器件的性能受到影響，甚至出現(xiàn)連接層未對(duì)準(zhǔn)而引起短路或器件失效的問(wèn)題。

當(dāng)半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，半導(dǎo)體器件中的線寬越來(lái)越小。若以局部的套刻精度對(duì)整面晶圓做補(bǔ)償，可減小局部的對(duì)準(zhǔn)誤差，但是晶圓其他方向上的對(duì)準(zhǔn)誤差可能會(huì)進(jìn)一步增大，進(jìn)而影響半導(dǎo)體器件的性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種對(duì)準(zhǔn)誤差的量測(cè)方法及系統(tǒng)，可高效獲取整面晶圓的對(duì)準(zhǔn)誤差，以實(shí)現(xiàn)對(duì)整面晶圓的補(bǔ)償，提高半導(dǎo)體器件的性能和產(chǎn)能。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

本發(fā)明提供一種對(duì)準(zhǔn)誤差的量測(cè)方法，其包括：

選取多個(gè)待測(cè)晶圓，且所述待測(cè)晶圓上設(shè)置有多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；

依據(jù)至所述待測(cè)晶圓中心的距離，將每個(gè)所述待測(cè)晶圓劃分為多個(gè)待測(cè)區(qū)域；

在每個(gè)所述待測(cè)區(qū)域內(nèi)選取至少一個(gè)待測(cè)曝光區(qū)域；

在每個(gè)所述待測(cè)曝光區(qū)域內(nèi)選取多個(gè)量測(cè)點(diǎn)，且每個(gè)所述量測(cè)點(diǎn)在所述待測(cè)晶圓上對(duì)應(yīng)設(shè)置有所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；以及

獲取每個(gè)所述量測(cè)點(diǎn)與所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的誤差為所述對(duì)準(zhǔn)誤差。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，選取多個(gè)所述待測(cè)晶圓的方法包括：

依據(jù)每個(gè)所述待測(cè)晶圓的量測(cè)時(shí)間，獲取每個(gè)所述待測(cè)晶圓上所述量測(cè)點(diǎn)的數(shù)量；以及

依據(jù)所需所述量測(cè)點(diǎn)的總數(shù)量，以及每個(gè)所述待測(cè)晶圓上所述量測(cè)點(diǎn)的數(shù)量，獲取所述待測(cè)晶圓的數(shù)量。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，在每個(gè)所述待測(cè)區(qū)域內(nèi)選取所述待測(cè)曝光區(qū)域的方法包括：

在每個(gè)所述待測(cè)區(qū)域的半徑方向上，依據(jù)每個(gè)所述待測(cè)區(qū)域內(nèi)需要選取的所述待測(cè)曝光區(qū)域的數(shù)量，將所述待測(cè)區(qū)域劃分為多個(gè)子待測(cè)區(qū)域；以及

在每個(gè)所述子待測(cè)區(qū)域內(nèi)選取一個(gè)曝光區(qū)域?yàn)樗龃郎y(cè)曝光區(qū)域。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，每個(gè)所述子待測(cè)區(qū)域的徑向尺寸為：所述待測(cè)區(qū)域的徑向尺寸/每個(gè)所述待測(cè)區(qū)域內(nèi)選取的所述待測(cè)曝光區(qū)域的數(shù)量。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，在每個(gè)待測(cè)區(qū)域內(nèi)，相鄰所述待測(cè)曝光區(qū)域之間的夾角通過(guò)以下公式獲取：

X=（360°/a）±b；

其中，X為相鄰所述待測(cè)曝光區(qū)域之間的夾角，a為每個(gè)所述待測(cè)區(qū)域內(nèi)選取的所述待測(cè)曝光區(qū)域的數(shù)量，b為預(yù)設(shè)角度。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，當(dāng)每個(gè)所述待測(cè)晶圓上的所述待測(cè)曝光區(qū)域選取完成后，將選取的所述待測(cè)曝光區(qū)域的位置信息存儲(chǔ)在信息保存單元內(nèi)。